昨（10）日，國星光電發(fā)布公告宣布其牽頭承擔的“硅基AlGaN垂直結構近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應用”及公司參與申報的“彩色Micro-LED顯示與超高亮度微顯示技術研究”項目獲批立項，將分別獲批省財政專項經費750萬元和225萬元。
公告顯示，硅基AlGaN垂直結構近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應用屬于第三代半導體材料與器件專項類別。國星光電表示，目前絕大多數(shù)近紫外LED都是藍寶石襯底，易產生張應力甚至裂紋，而硅襯底具有尺寸大、成本低、熱導率高等優(yōu)點，有利于LED器件小型化和高電流密度化。項目通過產學研結合發(fā)揮產業(yè)鏈整合優(yōu)勢，從硅基AlGaN垂直結構近紫外大功率LED外延、芯片、封裝及應用四個層面切入，研制具有自主創(chuàng)新的紫外大功率LED器件并形成產業(yè)化示范，有助于提升國內近紫外LED行業(yè)的國際競爭力，帶動廣東乃至全國的LED產業(yè)升級。
另外，彩色Micro-LED顯示與超高亮度微顯示技術研究屬于新型顯示專項類別，牽頭單位是南方科技大學。國星光電表示，Micro-LED因其體積小、靈活性高、易于拆解合并等優(yōu)點，被認為是最有前途的下一代新型顯示與發(fā)光器件，項目通過Micro-LED器件的開發(fā)、彩色化及轉移與封裝技術等研究，開發(fā)出超高亮度彩色微小尺寸Micro-LED器件和高質量顯示屏。本項目把廣東先進制造能力、市場優(yōu)勢和港澳國際化、科技創(chuàng)新優(yōu)勢相結合，打通粵港兩地微顯示器件產品科技成果轉化和產業(yè)化鏈條，助力粵港澳大灣區(qū)科技創(chuàng)新體系建設。
國星光電稱，目前公司尚未收到項目專項資金。上述項目立項不會對公司近期生產經營產生重大影響，但有利于發(fā)揮公司知識產權優(yōu)勢，形成持續(xù)創(chuàng)新機制，保持技術領先地位，提升公司的核心競爭力。
此外，國星光電還宣布取得由國家知識產權局及美國專利商標局頒發(fā)的兩項專利證書，分別關于LED器件、LED燈及加工LED器件的導電線的方法和一種LED支架及其制成的LED器件與LED顯示模組，專利權期限皆為20年。
國星光電表示，發(fā)明專利的取得不會對公司近期生產經營產生重大影響，但有利于保護和發(fā)揮公司自主知識產權優(yōu)勢，形成持續(xù)創(chuàng)新機制，保持技術領先地位，進一步提升公司核心競爭力。
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