19日，湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目最大單體M2B芯片廠房完成封頂。標(biāo)志著湖南三安第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目(一期)Ⅰ標(biāo)段主體工程完工，預(yù)計(jì)今年6月份有望實(shí)現(xiàn)全面投產(chǎn)。
圖片來源：長(zhǎng)沙晚報(bào)
據(jù)悉，該棟廠房占地面積為2.32萬(wàn)平方米，建筑面積5.23萬(wàn)平方米，鋼構(gòu)大屋面面積1.65萬(wàn)平米。
此前，湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目（一期）Ⅰ標(biāo)段已相繼完成M3器件封裝廠房、M4碳化硅長(zhǎng)晶廠房和濺鍍廠房位主體結(jié)構(gòu)封頂。
據(jù)了解，湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目總占地面積1000畝，總投資160億元，項(xiàng)目分兩期建設(shè)，主要包含具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地的建設(shè)。
該項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，并帶動(dòng)上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計(jì)逾千億元。（來源：長(zhǎng)沙晚報(bào)、LEDinside整理）
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