湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目預(yù)計(jì)6月底首批設(shè)備點(diǎn)亮

作者 | 發(fā)布日期 2021 年 06 月 08 日 9:59 | 分類 產(chǎn)業(yè)

據(jù)長(zhǎng)沙高新區(qū)網(wǎng)站報(bào)道,目前,位于長(zhǎng)沙高新區(qū)的湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目即將迎來(lái)新的進(jìn)展,報(bào)道指出,該項(xiàng)目一期部分廠房已完工,預(yù)計(jì)6月底首批設(shè)備點(diǎn)亮。

湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目是省市重點(diǎn)工程,總投資160億元,總占地面積約1000畝,主要建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶材料為主的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地,項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后有望形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模,并帶動(dòng)上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計(jì)逾千億元。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

該項(xiàng)目建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,包括長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈,研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SIC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。

該項(xiàng)目投產(chǎn)后可廣泛用于新能源汽車(chē)、高鐵機(jī)車(chē)、航空航天和無(wú)線(5G)通訊等。

湖南湘江新區(qū)黨工委書(shū)記鄭建新此前表示,長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目作為長(zhǎng)沙17個(gè)制造業(yè)標(biāo)志性重點(diǎn)項(xiàng)目之一,必將成為推動(dòng)長(zhǎng)沙新一代半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的重大動(dòng)力。(來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察整理)

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