今日，科友半導體宣布其自主設計制造的電阻長晶爐產(chǎn)出了直徑超過8英寸的碳化硅單晶，晶體表面光滑無缺陷，最大直徑超過204m。
這是科友半導體于今年十月在六吋碳化硅晶體厚度上實現(xiàn)40mm突破后，在碳化硅晶體生長尺寸上取得的又一次極具歷史意義的重大突破。為實現(xiàn)下一步的8英寸碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)化量產(chǎn)打下堅實的基礎。
8月18日，由科友半導體與哈爾濱新區(qū)共同投資建設的科友第三代半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)項目一期正式投用。該項目總投資10億元，目前已安裝100臺長晶爐，預計年底全部達產(chǎn)后可形成年產(chǎn)10萬片6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)能力。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
按照發(fā)展規(guī)劃，未來兩年科友半導體將實現(xiàn)年產(chǎn)20~30萬片碳化硅襯底的產(chǎn)能，成為全球碳化硅襯底重要供應商之一。
碳化硅襯底是制造碳化硅器件最基礎的材料，也是發(fā)展SiC的關鍵，沒有碳化硅襯底就無法制造出碳化硅器件。目前，以襯底和外延為主的碳化硅材料占據(jù)了整個碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈近70%的價值量，其中襯底價值量占比接近50%。
目前，國內(nèi)SiC 襯底主流規(guī)格分別為 4 英寸和 6 英寸，部分廠商如晶盛機電、爍科晶體、中科院物理所等已成功研發(fā)了8英寸SiC單晶。
此前，意法半導體表示，從6英寸晶圓過渡到8英寸晶圓將大幅提高產(chǎn)能，制造集成電路的有用面積提升幾乎兩倍，每個晶圓可以提升1.8-1.9倍的工作芯片。
有業(yè)內(nèi)人士稱，碳化硅襯底的成本和產(chǎn)量將長期成為第三代半導體行業(yè)的關鍵競爭核心。（文：集邦化合物半導體 Amber整理）
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