2月4日，晶盛機電宣布成功發(fā)布6英寸雙片式SiC碳化硅外延設(shè)備，標(biāo)志著晶盛機電在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破。
據(jù)介紹，晶盛機電用時兩年開展6英寸雙片式SiC外延設(shè)備的研發(fā)、測試與驗證，在外延產(chǎn)能、運營成本等方面已取得國際領(lǐng)先優(yōu)勢，與單片設(shè)備相比，新設(shè)備單臺產(chǎn)能增加70%，單片運營成本降幅可達30%以上，將對新能源產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生積極影響。
發(fā)布會當(dāng)天，晶盛機電也重點介紹了8英寸SiC襯底片。據(jù)介紹，晶盛機電經(jīng)過一年的研發(fā)，成功生長出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸N型SiC晶體，完成了6英寸到8英寸的擴徑和質(zhì)量迭代，實現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā)，晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當(dāng)，今年二季度將實現(xiàn)小批量生產(chǎn)，有望助力我國在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)實現(xiàn)自主可控。
晶盛機電戰(zhàn)略定位先進材料、先進裝備市場，圍繞硅、藍(lán)寶石、碳化硅三大主要半導(dǎo)體材料開發(fā)一系列關(guān)鍵設(shè)備，業(yè)務(wù)同時延伸至化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。
SiC設(shè)備和SiC材料是晶盛機電當(dāng)下發(fā)展的重點，設(shè)備涵蓋長晶、拋光和外延設(shè)備，其中，SiC外延設(shè)備已實現(xiàn)批量銷售；材料主要是6英寸導(dǎo)電型襯底，現(xiàn)階段，晶盛機電正在寧夏建設(shè)“碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項目”，投產(chǎn)后將年產(chǎn)40萬片6英寸及以上導(dǎo)電型和半絕緣型SiC襯底。
上述最新成果之外，晶盛機電去年也取得了多項研究成果：首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐；建設(shè)了6英寸SiC晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實驗線，實驗線產(chǎn)品已通過下游部分客戶驗證。
得益于第三代半導(dǎo)體及其他業(yè)務(wù)不斷取得突破，晶盛機電2022年業(yè)績預(yù)增，總營收約101.34—113.27億元，同比增長70%-90%；歸屬于上市公司股東的凈利潤約27.39—30.81億元，同比增長60%-80%。（化合物半導(dǎo)體市場Jenny整理）
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