6月20日，感測元件廠臺亞半導(dǎo)體總經(jīng)理衣冠君表示，積極轉(zhuǎn)型功率半導(dǎo)體元件廠，規(guī)劃占地4公頃銅鑼新廠預(yù)計2025年底完成土建工程，2026年初生產(chǎn)功率半導(dǎo)體元件。
衣冠君在股東會后記者會指出，臺亞已從LED轉(zhuǎn)型半導(dǎo)體感測元件，盼再進(jìn)一步擴大為功率半導(dǎo)體元件廠，其中硅基氮化鎵（GaN-on-Si）方面，產(chǎn)能建置初期以6英寸晶圓為主，充分利用現(xiàn)有6英寸生產(chǎn)設(shè)備、增置關(guān)鍵有機金屬化學(xué)氣相沉積法（MOCVD）磊晶機。
他說，現(xiàn)已完成第一顆650V D-mode HEMT開發(fā)，并送樣予客戶驗證，其應(yīng)用范疇涵括工具機、綠能（太陽能逆變器）、LED照明電源（模塊）、電競筆電等多元市場。
臺亞持續(xù)投入寬禁帶半導(dǎo)體（俗稱第3代半導(dǎo)體）研發(fā)與制造，特別在于功率元件上的技術(shù)及應(yīng)用開發(fā)，且成立“積亞半導(dǎo)體”投入碳化硅的磊晶及金氧半場效晶體管（MOSFET）功率元件生產(chǎn)制造，預(yù)計2023年第4季前完成6英寸碳化硅每月3000片產(chǎn)能置備，逐步開始生產(chǎn)，后續(xù)產(chǎn)能目標(biāo)為每月5000片。產(chǎn)品應(yīng)用主要為電動車載充電器（OBC）、太陽能逆變器及充電樁。
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至于氮化鎵的8英寸產(chǎn)線將于2023年底前完成置備，并開發(fā)E-mode 650V HEMT功率元件，聚焦于3C快充、云端信息存儲中心、電動車、無人機市場，目標(biāo)設(shè)定為2024年底前達(dá)每月3000片出貨量。
臺亞半導(dǎo)體股東常會通過發(fā)放每股現(xiàn)金股利1元新臺幣外，也通過去年分割出的子公司“光磊先進(jìn)顯示”未來上市柜規(guī)劃的釋股案。
衣冠君表示，除從臺亞半導(dǎo)體集團(tuán)分割成立出“光磊先進(jìn)顯示”，從事面板組裝與系統(tǒng)開發(fā)之外，也因為看好第3代半導(dǎo)體未來的成長性，已于去年成立子公司“積亞半導(dǎo)體”，以從事碳化硅（SiC）晶圓代工；整體目的在于集團(tuán)的產(chǎn)業(yè)分工明確，有利于集團(tuán)資源整合。
他指出，臺亞半導(dǎo)體目前的主要事業(yè)仍是感測元件，隨著消費性市場已從去年的谷底逐步回溫，臺亞已著手進(jìn)行策略性的產(chǎn)能調(diào)整，除滿足客戶的急單需求之外，也因應(yīng)下半年的穿戴裝置旺季，預(yù)做準(zhǔn)備。
臺亞半導(dǎo)體集團(tuán)于斥資新建寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)線時，同步納入扶植臺灣地區(qū)本土設(shè)備制造商考量，臺亞第一條8英寸氮化鎵生產(chǎn)線所采用國產(chǎn)設(shè)備比例已達(dá)40%以上。（來源：CNA）
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