6月26日，由西安電子科技大學(xué)廣州研究院（簡稱西電廣研院）與新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd（簡稱ICCT）合作共建的“氮化鎵器件和集成電路先進(jìn)封裝技術(shù)研究中心”，在廣東-新加坡合作理事會第十三次會議上成功簽約。
據(jù)悉，該研究中心圍繞第三代半導(dǎo)體射頻器件、電力電子器件等產(chǎn)業(yè)需求，以大幅提升QFN、陶瓷封裝、金屬封裝等封裝技術(shù)研發(fā)能力為目標(biāo)，聚力開發(fā)滿足產(chǎn)業(yè)前沿需求的先進(jìn)封裝技術(shù)，推進(jìn)國內(nèi)領(lǐng)先性能的第三代半導(dǎo)體射頻器件、電力電子器件及其模塊的研制進(jìn)程，力爭快速實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品工程化。
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ICCT由是一家致力于提供半導(dǎo)體封裝材料和封裝技術(shù)服務(wù)的中小型企業(yè)。公司客戶包括德州儀器，恩智浦、意法半導(dǎo)體，羅姆、愛普生、住友、精工等。
值得注意的是，6月9日，由西電廣研院與埃特曼半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（以下簡稱“埃特曼半導(dǎo)體”）合作共建的“氮化鎵半導(dǎo)體研究中心”簽約儀式成功舉辦。
埃特曼半導(dǎo)體在北京、廈門、蘇州、芬蘭圖爾庫等多個地區(qū)建設(shè)外延工廠，產(chǎn)品范圍涵蓋砷/磷體系外延片及氮化物外延片。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）
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