根據(jù)外媒報(bào)道，英飛凌在周四的一份聲明中表示，計(jì)劃在未來(lái)五年內(nèi)投資高達(dá)50億歐元，用于在馬來(lái)西亞建造全球最大的8英寸SiC功率晶圓廠。
此外，其還將對(duì)位于奧地利菲拉赫以及馬來(lái)西亞居林的現(xiàn)有工廠進(jìn)行8英寸改造。根據(jù)英飛凌的估計(jì)，這些基于SiC的投資將在2025年為英飛凌帶來(lái)10億歐元的年?duì)I收，而到了2030年，將帶來(lái)70億歐元的年?duì)I收，并且使得英飛凌占據(jù)全球30%的SiC份額。目前這一計(jì)劃已經(jīng)得到了客戶的支持。
當(dāng)前，英飛凌已經(jīng)獲得了包括50億美元的新設(shè)計(jì)合同，并拿到了約10億美元的預(yù)付款，其在汽車(chē)領(lǐng)域的客戶有包括福特、上汽、奇瑞在內(nèi)的六家車(chē)廠。在可再生能源領(lǐng)域，客戶包括SolarEdge和其它三家中國(guó)光伏和儲(chǔ)能企業(yè)。
英飛凌和施耐德電氣還就產(chǎn)能預(yù)留達(dá)成一致，其中包括基于Si和SiC的功率電子產(chǎn)品的預(yù)付款。預(yù)付款項(xiàng)將為英飛凌未來(lái)幾年的現(xiàn)金流做出積極貢獻(xiàn)，并將最遲在 2030 年根據(jù)商定的銷(xiāo)量全額償還。另外，英飛凌還與Stellantis、富士康和VinFast合作，與德國(guó)供應(yīng)商Vitesco簽訂了SiC半導(dǎo)體合作協(xié)議。
英飛凌CEO Jochen Hanebeck表示:“SiC市場(chǎng)不僅在汽車(chē)領(lǐng)域，而且在太陽(yáng)能、儲(chǔ)能和大功率電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電等廣泛的工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域都呈現(xiàn)出加速增長(zhǎng)的趨勢(shì)?！薄半S著居林的擴(kuò)張，我們將確保我們?cè)谶@個(gè)市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位，”
他還表示，英飛凌的優(yōu)勢(shì)在于行業(yè)領(lǐng)先的規(guī)模和獨(dú)特的成本地位，以及高超的SiC溝槽技術(shù)，最廣泛的封裝組合，和無(wú)與倫比的對(duì)應(yīng)用理解的競(jìng)爭(zhēng)地位，這些是英飛凌能夠保持領(lǐng)先地位的重要原因。
擴(kuò)產(chǎn)：SiC市場(chǎng)的主旋律
此前，化合物半導(dǎo)體統(tǒng)計(jì)了2023年上半年的SiC擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，據(jù)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)粗略計(jì)算，上半年與SiC相關(guān)的擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目以及預(yù)期資本支出加起來(lái)總金額上千億元（折合成人民幣），擴(kuò)產(chǎn)的內(nèi)容主要圍繞襯底、外延、器件，而應(yīng)用的方向也大多數(shù)以電動(dòng)汽車(chē)為主。而國(guó)際廠商是主力軍。
從統(tǒng)計(jì)來(lái)看，包括意法半導(dǎo)體、Wolfspeed、三菱電機(jī)、羅姆、Soitec、安森美等眾多多企業(yè)紛紛擴(kuò)產(chǎn)，其中，意法半導(dǎo)體在1月宣布斥資40億美元用于擴(kuò)產(chǎn)12英寸晶圓和增加SiC制造能力，又在6月與三安光電合資成立8英寸SiC器件制造合資企業(yè)，建設(shè)總額預(yù)計(jì)約達(dá)32億美元。Wolfspeed也計(jì)劃在德國(guó)薩爾州及建設(shè)號(hào)稱全球最大的8英寸SiC工廠。
在中國(guó)本土市場(chǎng)中，上半年擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目也達(dá)到了7起。
中車(chē)時(shí)代電氣投資111.19億元計(jì)劃建設(shè)中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括在宜興子項(xiàng)目（58.26億元）、株洲子項(xiàng)目（52.93億元）。
長(zhǎng)飛先進(jìn)也擬建設(shè)第三代半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)項(xiàng)目，建設(shè)內(nèi)容包括外延、晶圓制造、封測(cè)等產(chǎn)線，建設(shè)完成后將形成6英寸SiC晶圓及外延36萬(wàn)片/年，功率器件模塊6100萬(wàn)個(gè)/年。
比亞迪則計(jì)劃斥資2億元，在深圳市坪山區(qū)比亞迪汽車(chē)生產(chǎn)基地建設(shè)SiC外延中試線量產(chǎn)項(xiàng)目，擴(kuò)建后將新增SiC外延片產(chǎn)能6000片/年，總產(chǎn)能達(dá)18000片/年。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Jump）
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