近日,晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
晶能光電展示12英寸硅襯底紅、綠、藍(lán)光InGaN基LED外延片快檢EL點(diǎn)亮效果
據(jù)悉,晶能光電創(chuàng)立于2006年,是具有底層芯片核心技術(shù)的全產(chǎn)業(yè)鏈IDM半導(dǎo)體光電產(chǎn)品提供商,為全球客戶提供高品質(zhì)的LED(外延、芯片、封裝和模組)光源和感知傳感器件產(chǎn)品和解決方案。
基于近20年的硅襯底GaN基LED技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化積累,晶能光電早在2020年便推出8英寸硅襯底InGaN紅光外延技術(shù),目前仍在持續(xù)研發(fā)以提升InGaN紅光光效。
2021年9月,晶能光電成功制備像素點(diǎn)間距為25微米、像素密度為1000PPI的硅襯底InGaN紅、綠、藍(lán)三基色Micro LED陣列。目前,像素點(diǎn)間距這一重要技術(shù)指標(biāo)已縮至8微米。
2022年,晶能光電突破8英寸硅襯底InGaN基三基色Micro LED外延關(guān)鍵技術(shù),并成功制備5微米pitch的Micro LED三基色陣列,積極布局新興市場(chǎng)。
晶能光電表示,受成本和良率的驅(qū)動(dòng),向大尺寸晶圓升級(jí)已是Micro LED產(chǎn)業(yè)化的確定發(fā)展趨勢(shì),這也契合公司在硅襯底GaN基LED技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新追求。大尺寸晶圓不僅可以大幅度提高M(jìn)icro LED外延片和CMOS背板的利用率,并且更利于兼容成熟的硅IC設(shè)備及工藝,提高M(jìn)icro LED制程效率,降低成本,加速M(fèi)icro LED技術(shù)的商用進(jìn)程。
據(jù)晶能光電副總裁付羿博士介紹,大尺寸硅襯底Micro LED外延生長對(duì)GaN晶體質(zhì)量、外延翹曲、外量子效率、光電一致性和InGaN紅光MQW等關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)帶來了更嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。
此次12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)三基色Micro LED產(chǎn)業(yè)化外延技術(shù)的發(fā)布,表明晶能光電利用其硅襯底GaN基LED技術(shù)不斷的創(chuàng)新迭代能力,已經(jīng)初步攻克上述關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn),為后續(xù)技術(shù)和工藝的優(yōu)化和完善鋪平了道路。
晶能光電進(jìn)一步表示,蘋果在今年推出Vision Pro,給全球AR/VR行業(yè)帶來更高的熱度,但Vision Pro不會(huì)是終點(diǎn),人們對(duì)輕便、高效的可穿戴顯示技術(shù)的期待越來越熱切,這將大大推動(dòng)各種微顯技術(shù)的創(chuàng)新和應(yīng)用。
基于大尺寸硅襯底的Micro LED工藝路線在成本、良率和光效上極具潛力,有望成為微米級(jí)Micro LED的主流產(chǎn)業(yè)化路線,12英寸硅襯底三基色Micro LED外延技術(shù)的突破,將在這一方向上有力推動(dòng)Micro LED顯示技術(shù)向前發(fā)展。( 文:集邦化合物半導(dǎo)體)
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。