11月4日，晶盛機電“年產(chǎn)25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”正式簽約啟動，此舉旨在攻關半導體材料端關鍵核心技術，最終實現(xiàn)國產(chǎn)替代。
據(jù)悉，此次簽約項目總投資達21.2億元。啟動儀式上，晶盛機電董事長曹建偉博士表示，本次項目啟動，是晶盛機電創(chuàng)新增長的重要方向。
資料顯示，晶盛機電于2006年創(chuàng)建，總部位于中國浙江，并于2012年在深交所上市。晶盛機電圍繞硅、藍寶石、碳化硅三大主要半導體材料開發(fā)一系列關鍵設備，并延伸至化合物襯底材料領域，為半導體、光伏行業(yè)提供高端裝備和高品質(zhì)服務。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
據(jù)晶盛機電介紹，公司自2017年開始碳化硅晶體生長設備和工藝研發(fā)，相繼成功開發(fā)6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，是國內(nèi)為數(shù)不多能供應8英寸襯底片的企業(yè)。目前，公司已建設了6-8英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光中試線，6英寸襯底片已通過多家下游企業(yè)驗證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。
碳化硅作為第三代半導體代表材料之一，因其優(yōu)秀的物理特性，適用于新能源汽車、光伏儲能、數(shù)據(jù)中心、5G通訊、特高壓等應用場景，近年來相關需求持續(xù)走高，但由于成本問題，碳化硅的大規(guī)模商用化仍受阻礙。從成本結構來看，在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，襯底材料成本占據(jù)整體成本大概40%，成為降本關鍵環(huán)節(jié)，而大尺寸襯底因具有更高的有效利用率，幫助降低成本，近年來備受各大業(yè)內(nèi)知名企業(yè)的重視。
例如，全球第三大硅晶圓制造商環(huán)球晶計劃到2025年開始大規(guī)模生產(chǎn)先進類型的芯片襯底，以滿足汽車行業(yè)對功率半導體不斷增長的需求。環(huán)球晶董事長兼CEO徐秀蘭近日表示，該公司將于明年開始8英寸碳化硅襯底的資格認證和測試生產(chǎn)，并于2025年開始大規(guī)模生產(chǎn)。
此外，天岳先進近日在回答投資者提問時表示，自2022年以來，公司加快上海臨港新工廠產(chǎn)能建設，逐步加大導電型襯底產(chǎn)能產(chǎn)量，并于今年5月開啟了產(chǎn)品交付，預計產(chǎn)能產(chǎn)量在2023年四季度仍將繼續(xù)提升。目前，第一階段30萬片產(chǎn)能有望提前達產(chǎn)，第二階段96萬片產(chǎn)能規(guī)劃也已啟動。
盡管目前導電型碳化硅襯底產(chǎn)品仍然以6英寸為主，8英寸尚未普及，但早在2022年初，天岳先進就公布了自主擴徑制備的高品質(zhì)8英寸襯底，目前公司已經(jīng)具備8英寸產(chǎn)品量產(chǎn)能力。
值得一提的是，在2023年Semicon論壇上，天岳先進CTO高超博士稱，公司通過液相法制備出了低缺陷密度的8英寸晶體。（文：集邦化合物半導體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。