近日，浙江省發(fā)改委發(fā)布通知，認(rèn)定51家單位為浙江省工程研究中心。其中，矽力杰在浙大科創(chuàng)中心牽頭下，聯(lián)合紹興中芯集成電路制造股份有限公司、浙江富特科技股份有限公司和麥田能源股份有限公司共建的寬禁帶功率器件與應(yīng)用浙江省工程研究中心成功獲批。
據(jù)矽力杰介紹，寬禁帶功率器件與應(yīng)用浙江省工程研究中心圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體的器件與電源管理技術(shù)，建設(shè)貫通“器件-封裝測(cè)試-電源變換裝備”的完善技術(shù)鏈及產(chǎn)業(yè)應(yīng)用體系，重點(diǎn)建設(shè)突破一維電阻極限的碳化硅（SiC）單極型器件技術(shù)，聚焦寬禁帶器件先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)的高效率、高密度電源變換技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化三大重點(diǎn)方向。
資料顯示，物質(zhì)導(dǎo)電需要有自由電子或者空穴存在，自由電子存在的能帶稱(chēng)作導(dǎo)帶，空穴存在的能帶稱(chēng)作價(jià)帶。被束縛的電子要想成為自由電子或空穴，必須獲得足夠能量從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶，這個(gè)能量的最小值就是禁帶寬度。
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寬禁帶半導(dǎo)體是指禁帶寬度大于2.2eV的半導(dǎo)體材料，而當(dāng)前主流的半導(dǎo)體材料硅的禁帶寬度大約是1.12eV。寬禁帶半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵（GaN）為代表，因其禁帶寬度大、電子遷移率高等物理特性，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、汽車(chē)電子、光伏儲(chǔ)能以及光電領(lǐng)域。
隨著終端電力電子產(chǎn)品的迭代升級(jí)，傳統(tǒng)硅基元件已無(wú)法滿(mǎn)足高功率、高壓場(chǎng)景需求，碳化硅、氮化鎵器件因其在高溫、高壓、高頻應(yīng)用領(lǐng)域的顯著優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)需求持續(xù)上漲。
據(jù)TrendForce研究，2022年全球碳化硅功率市場(chǎng)規(guī)模約16.1億美元，至2026年可達(dá)到53.3億美元，CAGR達(dá)35%；2022年全球氮化鎵功率市場(chǎng)規(guī)模約1.8億美元，至2026年可達(dá)13.3億美元，CAGR達(dá)65%。
值得一提的是，矽力杰自主研發(fā)了集成度更高的合封氮化鎵芯片，將控制器與氮化鎵器件集成，包含驅(qū)動(dòng)、保護(hù)等功能，支持QR/DCM模式。在傳統(tǒng)初級(jí)電路中兩三顆芯片才能實(shí)現(xiàn)的功能，通過(guò)采用矽力杰合封方案，僅由一顆芯片就能完成，不僅能夠簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，還可以提升整體方案性能，也能減少PCB板的用量，縮小尺寸并減少物料成本。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Zac整理）
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