12月11日，美國商務部宣布為BAE Systems提供約3500萬美元（折合人民幣約2.5億元）的初始資金，用于對新罕布什爾州納舒厄的微電子中心 (MEC) 進行現代化改造。
MEC是一家占地110000平方英尺、經美國防部 (DoD) 認證的芯片制造工廠，是美國境內唯一以國防應用為中心的6英寸GaAs和GaN HEMT晶圓代工廠。
據悉，這是《芯片和科學法案》部分條例頒布以來首次資助公告，該法案旨在加強美國制造業(yè)、供應鏈和國家安全。
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這筆約3500萬美元的資金將與BAE Systems在現代化改造和研發(fā)方面的持續(xù)投資相結合。該款項將幫助其購買新的生產設備，減輕供應鏈風險、提高產能并縮短產品制造時間。工廠效率提高后能夠擴大生產規(guī)模，以滿足美國防部技術發(fā)展日益增長的需求，為包括衛(wèi)星通信、測試和測量設備市場在內的非國防工業(yè)提供關鍵的微電子產品。
據了解，GaN和GaAs是當今全球最先進的有源相控陣雷達的核心材料。此外，電子戰(zhàn)設備、防控導彈系統(tǒng)和反無人機武器等國防領域內都有搭載GaN器件的示例。
由于GaN器件在軍事領域的應用廣泛，美國政府為增強國防實力，不斷提升其國內GaN晶圓的產能。比如，格芯10月份獲得美國政府3500萬美元（折合人民幣約2.56億元）的資助，用于其佛蒙特州的晶圓廠開發(fā)和生產硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該工廠每月可生產超過5萬片晶圓。（集邦化合物半導體Rick編譯）
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