時代電氣取得高壓SiC電機(jī)控制器專利

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 12 月 20 日 17:44 | 分類 企業(yè)

天眼查資料顯示,12月12日,株洲中車時代電氣股份有限公司(以下簡稱時代電氣)公開一項“一種高壓SiC電機(jī)控制器及包含其的電動汽車”專利,申請公布號CN117220562A,申請日期為2023年8月30日。

該專利摘要顯示,本發(fā)明公開了一種高壓SiC電機(jī)控制器及包含其的電動汽車,高壓SiC電機(jī)控制器中,上蓋板和下蓋板分別連接箱體頂部和底部,下蓋板內(nèi)設(shè)有支撐電容,支撐電容延伸至箱體內(nèi);濾波器設(shè)置在箱體側(cè)部,分別與高壓線束和支撐電容連接;SiC模塊設(shè)置在箱體底部,分別與支撐電容和三相連接組件Ⅰ的輸入端連接,三相連接組件Ⅰ的輸出端與三相連接組件Ⅱ的輸入端連接,三相連接組件Ⅱ的輸出端與電機(jī)連接;驅(qū)動板設(shè)置在SiC模塊上部,SiC模塊與驅(qū)動板連接;控制板設(shè)置在驅(qū)動板上部,控制板與驅(qū)動板之間設(shè)有屏蔽板,控制板與驅(qū)動板進(jìn)行線束連接。本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)緊湊、裝配簡單、體積小巧且密封性能好等優(yōu)點。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

值得一提的是,時代電氣去年還取得多項SiC相關(guān)專利,包括“SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件”、“碳化硅肖特基二極管及其制備方法”。

其中,“SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件”專利授權(quán)公告號CN112701151B,授權(quán)公告日為2022年5月6日。

該專利摘要顯示,本公開提供一種SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件。該方法包括:提供SiC外延片,在所述SiC外延片表面沉積生長掩膜層;刻蝕所述掩膜層,在所述掩膜層上形成第一刻蝕槽;再次刻蝕所述掩膜層,在所述第一刻蝕槽內(nèi)形成第二刻蝕槽;通過第一刻蝕槽和第二刻蝕槽構(gòu)成的離子注入窗口,注入第一高能離子,形成階梯狀形貌的阱區(qū);注入第二高能離子,形成源區(qū)。本公開通過階梯狀形貌的離子注入窗口,來實現(xiàn)自對準(zhǔn)工藝,可以非常精確的實現(xiàn)對溝道長度和位置的控制,工藝簡單穩(wěn)定。同時,形成階梯狀形貌的P阱區(qū),擴(kuò)展了兩個P阱區(qū)之間的JFET區(qū),增大了JFET區(qū)電流橫向輸出路徑,進(jìn)一步提升器件大電流密度輸出能力。

此外,“碳化硅肖特基二極管及其制備方法”專利授權(quán)公告號CN112713199B,授權(quán)公告日為2022年10月11日。

該專利摘要顯示,本公開提供一種碳化硅肖特基二極管及其制備方法。該二極管包括:第一導(dǎo)電類型碳化硅襯底、位于所述襯底上方的第一導(dǎo)電類型漂移層、位于所述漂移層上方的第二導(dǎo)電類型阻擋層和位于所述阻擋層上方的第一導(dǎo)電類型過渡層,所述過渡層包括用于設(shè)置所述肖特基二極管的結(jié)勢壘區(qū)和位于所述結(jié)勢壘區(qū)兩側(cè)的結(jié)終端保護(hù)區(qū)。本公開通過在SiC JBS漂移層上形成導(dǎo)電類型相反的碳化硅阻擋層,在不增加正向?qū)娮璧那疤嵯?,解決了SiC JBS反向漏電過大的問題,特別是反向偏壓低電壓時,肖特基反向漏電隨電壓增長而快速增大的問題。

目前,時代電氣正在大力布局SiC相關(guān)產(chǎn)品。根據(jù)時代電氣在去年4月發(fā)布的公告,時代電氣控股子公司中車時代半導(dǎo)體擬投資46160萬元人民幣(最終投資金額以實際投資金額為準(zhǔn))實施SiC芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項目,通過本項目實施,形成面向新能源汽車、軌道交通方向的SiC芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線。時代電氣在上述公告中稱,公司SiC產(chǎn)品在地鐵、新能源汽車等市場均已實現(xiàn)應(yīng)用示范。

而在今年7月,時代電氣在互動平臺表示,公司針對800V充電樁系統(tǒng)推出的SiC MOSFET芯片產(chǎn)品,正處于應(yīng)用推廣階段。同時,SiC電驅(qū)產(chǎn)品C-Power 220s正處于整車廠送樣驗證階段,系統(tǒng)效率最高可達(dá)94%。(來源:天眼查,集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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