12月22日,意法半導體官微宣布,公司與理想汽車簽署了一項碳化硅(SiC)長期供貨協(xié)議。按照協(xié)議,意法半導體將為理想汽車提供SiC MOSFET,支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署。
意法半導體和理想聚焦SiC
作為全球半導體知名廠商和國內新能源汽車龍頭企業(yè),意法半導體和理想汽車合作大概率將引發(fā)廣泛關注。近年來,雙方均重視SiC功率器件布局,合作是明智之舉。
今年9月,意法半導體宣布將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V SiC MOSFET芯片,該功率模塊用于沃爾沃和未來多款純電動汽車設計電驅逆變器平臺;11月26日,據法國產業(yè)雜志新工廠(UsineNouvelle)報道,意法半導體將于意大利西西里島Catane投資50億歐元(約392億人民幣),新建一座SiC超級半導體晶圓廠,該晶圓廠將專門生產SiC芯片。
據稱,意法半導體在全球SiC MOSFET市場的份額超過50%,在新能源汽車領域,意法半導體SiC芯片已被廣泛用于車載充電和功率模塊中。在產品合作和產能提升方面,意法半導體都在持續(xù)推進中,也致力于尋求更多合作伙伴,獲得業(yè)績增量,而理想汽車則是優(yōu)質對象。
理想汽車則從產能建設和技術研發(fā)兩方面深化SiC功率器件布局。早在去年8月,理想汽車功率半導體研發(fā)及生產基地在蘇州高新區(qū)正式啟動建設,該基地由理想汽車與湖南三安半導體共同出資組建的蘇州斯科半導體公司打造,預計2024年正式投產,最終達到240萬只SiC半橋功率模塊的年產能;近期有跡象表明,理想汽車正在新加坡組建團隊,致力于研發(fā)SiC功率芯片。
理想關于SiC功率器件的一系列動作,最終的目的都是為了實現(xiàn)高壓電驅動技術的自主可控,但與意法半導體合作,獲得SiC MOSFET成熟產品,也是有必要的。
據悉,理想汽車即將推出的800V高壓純電平臺將在電驅逆變器中采用意法半導體的第三代1200V SiC MOSFET產品。引入意法半導體先進技術,有助于理想汽車在激烈市場競爭中占據有利地位,提升銷量。
圖片來源:拍信網正版圖庫
車企加速引入SiC MOSFET
在今年4月的2023上海車展上,理想推出了800V超充純電解決方案。該800V超充方案包括了基于SiC技術打造的800V高壓電驅系統(tǒng),可實現(xiàn)充電10分鐘,續(xù)航400km。
從產品角度來看,理想基于該超充方案打造的車型具有一定的競爭力,有望收獲部分新用戶,但從行業(yè)情況來看,理想仍將面對眾多強有力的競爭對手。
除理想外,同樣應用SiC功率模塊、搭載第二代高效電驅平臺的全新蔚來ES6也亮相2023上海車展;此外,一汽紅旗全新電動中大型SUV紅旗E202同期亮相2023上海車展,紅旗E202基于800V SiC快充平臺的“旗幟”超級架構,充電5分鐘即可續(xù)航300km。
當下,全球已公開(含未上市)的SiC車型已超100款,包括熱度居高不下的問界M7、智界S7等,其中便搭載了華為的SiC電機技術。
值得注意的是,車企采用直接引入成熟技術和產品的方式,快速推出SiC車型,以期占據先發(fā)優(yōu)勢,這是大部分廠商的共性,也有頭部玩家重視技術研發(fā)和產能建設,進行全產業(yè)鏈布局。
其中,比亞迪半導體功率器件研發(fā)及產業(yè)化項目一期于今年11月底竣工,該項目總投資100億元,一期項目研發(fā)生產的功率器件、傳感控制器件,均為新能源汽車核心器件。
車企將先進的SiC功率器件產品用于旗下車型獲得競爭優(yōu)勢固然重要,穩(wěn)定的產能保障亦不可或缺,新能源車企SiC器件需求爭奪戰(zhàn)打響后,有自建SiC器件產能的車企更有可能立于不敗之地,同時,擁有穩(wěn)定供貨能力的SiC廠商自然更受車企青睞。
小結
為順應SiC MOSFET加速上車大趨勢,新能源汽車廠商和各大半導體功率器件龍頭企業(yè)攜手合作已成常態(tài)。
除理想汽車分別與意法半導體和湖南三安合作外,吉利牽手積塔半導體與華潤微,上汽與英飛凌,東風公司與株洲中車時代,長城與同光半導體等,均通過戰(zhàn)略合作方式,推動車規(guī)級SiC MOSFET等相關產品落地。
未來,新能源車企和SiC廠商仍有較大合作空間,有望推出更多搭載SiC功率模塊、性能強悍的新車型。(文:集邦化合物半導體Zac)
更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。