12月26日，據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)消息，富士電機將在未來3年內(nèi)（即2024～2026年度）向半導體領域投資2000億日元（折合人民幣約100億元）。該項投資的重點將放在用于純電動汽車（EV）電力控制等相關功率半導體器件上，并計劃在日本境內(nèi)工廠新建碳化硅(SiC)功率半導體的生產(chǎn)線，提高產(chǎn)能。
據(jù)悉，富士電機是一家以大型電氣機器為主產(chǎn)品的日本重電機制造商，旗下主要有半導體、工業(yè)、能源以及食品銷售等四大核心業(yè)務。
由于SiC與傳統(tǒng)的硅（Si）相比，其禁帶寬度、導熱率、以及電子遷移速率都有著一定優(yōu)勢，且在車載功率器件領域表現(xiàn)優(yōu)異。得益于此，SiC功率器件正逐步在純電動汽車中普及開來。諸多車企以及相應的汽車零部件供應商也將目光投向SiC，紛紛開展動作，富士機電緊跟潮流，目前已推出了兩款SiC產(chǎn)品。
source:富士電機
值得一提的是，在富士電機的當前五年中期經(jīng)營計劃中，公司在半導體行業(yè)的投資以每年400億日元（折合人民幣約20億元）的速度穩(wěn)步增長。而在即將到來的2024年至2026年的新三年中期計劃中，這一投資額將顯著提升至每年700億日元（折合人民幣約35億元），加速其在該領域的投資。
此次投資的具體項目是：在松本工廠（位于長野縣松本市）新建一條“光刻前工程”生產(chǎn)線。這產(chǎn)線預計將在2027年之后投入運營，生產(chǎn)使用8英寸大型晶圓的SiC功率半導體。此外，富士電機還計劃從2024年起在津輕工廠（位于青森縣五所川原市）量產(chǎn)6英寸SiC功率半導體。通過擴大晶圓的尺寸，單片晶圓上可切割的芯片數(shù)量將增加，有望進一步提升生產(chǎn)效率。（集邦化合物半導體Morty整理）
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