投資超10億,福州新區(qū)兩個GaN項目簽約

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 01 月 26 日 18:30 | 分類 產(chǎn)業(yè)

近日,福州新區(qū)集中簽約38個重點項目,總投資超220億元,其中2個項目涉及氮化鎵(GaN),包括芯睿半導體氮化鎵晶圓廠項目和福州鎵谷氮化鎵外延片項目。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

其中,芯睿半導體氮化鎵晶圓廠項目由福建芯睿半導體有限公司建設(shè)。資料顯示,芯睿半導體成立于2023年12月,注冊資本50億人民幣,經(jīng)營范圍含電子元器件批發(fā)、電力電子元器件銷售、電子元器件與機電組件設(shè)備銷售、電子元器件與機電組件設(shè)備制造、電子元器件制造等。股東信息顯示,芯睿半導體是昊盛科技集團有限公司全資子公司。

而福州鎵谷氮化鎵外延片項目由福州鎵谷半導體有限公司建設(shè),主營第三代半導體的研發(fā)與生產(chǎn),預計投入10億元,用地86畝,達產(chǎn)后年產(chǎn)能24萬片。資料顯示,鎵谷半導體成立于2022年,致力于第三代半導體材料GaN外延的研發(fā)與生產(chǎn),產(chǎn)品包括硅基氮化鎵(GaN on Si)、碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC)、藍寶石基氮化鎵(GaN on Sapphire),主要應用于電力電子及功率器件。

2022年12月,鎵谷半導體完成天使輪融資,投資方為諾延資本。2023年7月8日,鎵谷半導體650V E-Mode硅基氮化鎵外延片正式通過終端客戶驗證,標志著其產(chǎn)品及工藝正式量產(chǎn),最終產(chǎn)品可以用于手機快充、電源等領(lǐng)域。

除上述兩個GaN項目簽約外,近期的GaN領(lǐng)域并不平靜,投資擴產(chǎn)、收并購、新品研發(fā)等動態(tài)持續(xù)不斷。

擴產(chǎn)方面,韓國Aprosemicon公司近日將把其光州總部遷至慶北龜尾,并投資600億韓元(折合人民幣約3.23億元)建設(shè)以GaN為基礎(chǔ)的功率半導體生產(chǎn)設(shè)施。該公司已與慶尚北道和龜尾市簽署了諒解備忘錄,將在龜尾生產(chǎn)GaN功率半導體外延片,并優(yōu)先供應給蓄電池充放電設(shè)備使用。

并購方面,1月15日,全球半導體開發(fā)商BluGlass宣布其完成了對合同制造商GaNWorks Foundry的收購,其位于硅谷的激光器生產(chǎn)工廠成功安裝并完成了對GaN晶圓加工設(shè)備的測試;1月22日,思瑞浦公告擬收購GaN方案商創(chuàng)芯微85.26%股份,交易價格為8.9億元。

新品方面,近日,廣東致能科技團隊與西安電子科技大學廣州研究院/廣州第三代半導體創(chuàng)新中心等合作攻關(guān),通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN/GaN外延片,基于廣州第三代半導體創(chuàng)新中心中試平臺,成功在6英寸藍寶石襯底上實現(xiàn)了1700V GaN HEMTs器件。

同樣作為第三代半導體代表材料之一,GaN產(chǎn)業(yè)目前并沒有SiC賽道那般火熱,但未來一段時間內(nèi),仍將保持持續(xù)增長態(tài)勢,有望吸引更多新老玩家持續(xù)投入。(集邦化合物半導體Zac整理)

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