近日，福州新區(qū)集中簽約38個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目，總投資超220億元，其中2個(gè)項(xiàng)目涉及氮化鎵（GaN），包括芯睿半導(dǎo)體氮化鎵晶圓廠項(xiàng)目和福州鎵谷氮化鎵外延片項(xiàng)目。
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其中，芯睿半導(dǎo)體氮化鎵晶圓廠項(xiàng)目由福建芯睿半導(dǎo)體有限公司建設(shè)。資料顯示，芯睿半導(dǎo)體成立于2023年12月，注冊資本50億人民幣，經(jīng)營范圍含電子元器件批發(fā)、電力電子元器件銷售、電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售、電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備制造、電子元器件制造等。股東信息顯示，芯睿半導(dǎo)體是昊盛科技集團(tuán)有限公司全資子公司。
而福州鎵谷氮化鎵外延片項(xiàng)目由福州鎵谷半導(dǎo)體有限公司建設(shè)，主營第三代半導(dǎo)體的研發(fā)與生產(chǎn)，預(yù)計(jì)投入10億元，用地86畝，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能24萬片。資料顯示，鎵谷半導(dǎo)體成立于2022年，致力于第三代半導(dǎo)體材料GaN外延的研發(fā)與生產(chǎn)，產(chǎn)品包括硅基氮化鎵（GaN on Si）、碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）、藍(lán)寶石基氮化鎵（GaN on Sapphire），主要應(yīng)用于電力電子及功率器件。
2022年12月，鎵谷半導(dǎo)體完成天使輪融資，投資方為諾延資本。2023年7月8日，鎵谷半導(dǎo)體650V E-Mode硅基氮化鎵外延片正式通過終端客戶驗(yàn)證，標(biāo)志著其產(chǎn)品及工藝正式量產(chǎn)，最終產(chǎn)品可以用于手機(jī)快充、電源等領(lǐng)域。
除上述兩個(gè)GaN項(xiàng)目簽約外，近期的GaN領(lǐng)域并不平靜，投資擴(kuò)產(chǎn)、收并購、新品研發(fā)等動態(tài)持續(xù)不斷。
擴(kuò)產(chǎn)方面，韓國Aprosemicon公司近日將把其光州總部遷至慶北龜尾，并投資600億韓元（折合人民幣約3.23億元）建設(shè)以GaN為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施。該公司已與慶尚北道和龜尾市簽署了諒解備忘錄，將在龜尾生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體外延片，并優(yōu)先供應(yīng)給蓄電池充放電設(shè)備使用。
并購方面，1月15日，全球半導(dǎo)體開發(fā)商BluGlass宣布其完成了對合同制造商GaNWorks Foundry的收購，其位于硅谷的激光器生產(chǎn)工廠成功安裝并完成了對GaN晶圓加工設(shè)備的測試；1月22日，思瑞浦公告擬收購GaN方案商創(chuàng)芯微85.26%股份，交易價(jià)格為8.9億元。
新品方面，近日，廣東致能科技團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心等合作攻關(guān)，通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN/GaN外延片，基于廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心中試平臺，成功在6英寸藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了1700V GaN HEMTs器件。
同樣作為第三代半導(dǎo)體代表材料之一，GaN產(chǎn)業(yè)目前并沒有SiC賽道那般火熱，但未來一段時(shí)間內(nèi)，仍將保持持續(xù)增長態(tài)勢，有望吸引更多新老玩家持續(xù)投入。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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