作為第三代半導(dǎo)體的翹楚，氮化鎵早已是企業(yè)跑馬圈地的重點(diǎn)賽道。而在近期，這一賽場(chǎng)風(fēng)云不斷，砥礪前行者有之，中途撤場(chǎng)者亦有之。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
出售/倒閉事件增多
3月13日，美國(guó)垂直GaN器件廠商Odyssey官宣出售公司資產(chǎn)。據(jù)悉，Odyssey已與客戶簽署最終協(xié)議，將以952萬美元（約合人民幣0.67億）現(xiàn)金，將其大部分資產(chǎn)出售給一家大型半導(dǎo)體公司，目前買家信息處于保密狀態(tài)。
該事項(xiàng)預(yù)計(jì)將于2024年7月1日左右完成，而Odyssey的事務(wù)最早可能在2024年年底結(jié)束。
業(yè)績(jī)方面，Odyssey在2023年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收29.19萬美元，凈利潤(rùn)則虧損447萬美元。
值得注意的是，2024年開年至今，除了Odyssey外，還有多家氮化鎵企業(yè)傳來消極消息。
據(jù)外媒1月4日消息，NexGen Power Systems已在2023年圣誕節(jié)前夕倒閉，而其旗下總投資超過1億美元的晶圓廠也已關(guān)閉。據(jù)報(bào)道，NexGen倒閉的原因是難以獲得風(fēng)險(xiǎn)融資，企業(yè)運(yùn)營(yíng)舉步維艱。
但在2023年初，NexGen剛開始交付用于高功率應(yīng)用的全球首批700V和1200V垂直GaN器件的工程樣品，彼時(shí)，其還宣布該產(chǎn)品于2023年第三季度開始全面生產(chǎn)；2023年6月，NexGen又宣布與GM通用汽車的合作項(xiàng)目獲得美國(guó)能源部的資助，所獲資金計(jì)劃用于垂直氮化鎵半導(dǎo)體的電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
3月1日，外媒報(bào)道，新加坡射頻GaN芯片供應(yīng)商Gallium Semiconductor宣布倒閉，并解雇所有員工。
這一決定是由GaasLabs LLC作出的。據(jù)悉，GaasLabs是Gallium的投資公司，對(duì)于這一決定的原因，GaasLabs提供的官方原因是：“我們的創(chuàng)始人John Ocampo已經(jīng)去世。GaasLabs決定不再繼續(xù)資助Gallium。我們將關(guān)閉公司，所有員工都將被解散?！睋?jù)悉，John Ocampo于2023年11月去世。
降本、擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)行時(shí)
一邊是出售資產(chǎn)乃至破產(chǎn)，另一邊又有多家相關(guān)企業(yè)傳來好消息。
技術(shù)方面，德州儀器（TI）正在將其GaN-on-Si的生產(chǎn)工藝從6英寸向8英寸過渡；大阪大學(xué)、豐田合成和松下控股公司松下高清三方合作的GaN襯底開發(fā)項(xiàng)目，則在近期成功制備高質(zhì)量6英寸GaN襯底；住友化學(xué)已經(jīng)成功建立4英寸氮化鎵襯底的量產(chǎn)技術(shù)，并計(jì)劃在2024年后開始提供6英寸GaN樣品。
而在中國(guó)，北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)研發(fā)了增強(qiáng)型p型柵氮化鎵（GaN）晶體管，并首次在高達(dá)4500V工作電壓下實(shí)現(xiàn)低動(dòng)態(tài)電阻工作能力；光州科學(xué)技術(shù)院電氣工程與計(jì)算機(jī)科學(xué)學(xué)院Dong-Seon Lee教授的研究團(tuán)隊(duì)，則開發(fā)出僅采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）的氮化鎵半導(dǎo)體遠(yuǎn)程同質(zhì)外延技術(shù)。
產(chǎn)能方面，晶湛半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）外延片生產(chǎn)擴(kuò)建項(xiàng)目于1月份竣工，項(xiàng)目預(yù)計(jì)年產(chǎn)6英寸GaN外延片12萬片，8英寸GaN外延片12萬片；立國(guó)芯微電子項(xiàng)目已成功規(guī)模量產(chǎn)，該項(xiàng)目計(jì)劃組建中高端芯片封裝測(cè)試生產(chǎn)線16條，可年產(chǎn)高階芯片225億顆；天睿半導(dǎo)體8英寸碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）晶圓廠于今年2月簽約落戶福州……
此外，英諾賽科計(jì)劃赴港上市的消息也引來業(yè)界極大的關(guān)注。據(jù)悉，英諾賽科計(jì)劃募資3億美元，以擴(kuò)大氮化鎵芯片產(chǎn)能。英諾賽科還在2023年11月正式啟用其全球研發(fā)中心。據(jù)悉，研發(fā)中心將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地，同時(shí)開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究，全面提升氮化鎵材料與器件的整體競(jìng)爭(zhēng)力。
結(jié)語
“有人辭官歸故里，有人星夜赴考場(chǎng)”，這句話可謂當(dāng)下氮化鎵企業(yè)的發(fā)展?fàn)顟B(tài)的真實(shí)寫照。
事實(shí)上，任何一項(xiàng)技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室走向市場(chǎng)，都面臨著極大的挑戰(zhàn)，市場(chǎng)需求、規(guī)?；a(chǎn)、工藝制程以及成本等都是企業(yè)發(fā)展道路上的障礙。而在未來，那些具有垂直整合能力、并能保障自身生產(chǎn)鏈條完整性的企業(yè)，相信會(huì)在競(jìng)爭(zhēng)中具有更大優(yōu)勢(shì)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Winter）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。