臺亞半導(dǎo)體擬分拆8英寸GaN事業(yè)群，或?qū)ⅹ毩⑸鲜?/a>

4月11日，臺亞半導(dǎo)體召開董事會，會上宣布擬分割8英寸GaN事業(yè)群，包括相關(guān)資產(chǎn)與業(yè)務(wù)，分割后由旗下全資子公司冠亞半導(dǎo)體承接，并且由后者發(fā)行新股予以臺亞半導(dǎo)體作為對價。分割日期暫定在8月30日，5月28日將提送股東常會討論決議。

圖片來源：臺亞半導(dǎo)體

臺亞半導(dǎo)體介紹，本次預(yù)計分割價值約10億元新臺幣（約合人民幣2.24億元），8英寸GaN業(yè)務(wù)分割給冠亞半導(dǎo)體之后，臺亞半導(dǎo)體自身的相關(guān)運營及業(yè)務(wù)皆正常運作，對原有股東之權(quán)利義務(wù)均無影響。

臺亞半導(dǎo)體原名光磊，起步于光電產(chǎn)業(yè)感測元件市場，后于2021年10月正式改名臺亞半導(dǎo)體，表明轉(zhuǎn)型感測半導(dǎo)體先進廠商的決心。隨著SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體市場需求及投資熱情逐步提升，臺亞半導(dǎo)體亦積極搶攻第三代半導(dǎo)體市場。

其中，SiC業(yè)務(wù)由旗下子公司積亞半導(dǎo)體負(fù)責(zé)，主要生產(chǎn)SiC晶圓，產(chǎn)能目標(biāo)為5000片/月。硅基GaN業(yè)務(wù)由臺亞半導(dǎo)體經(jīng)營，產(chǎn)能建設(shè)初期以6英寸晶圓為主，已于2023年7月順利試產(chǎn)GaN功率元件。同時，臺亞半導(dǎo)體積極建設(shè)8英寸GaN產(chǎn)線，計劃開發(fā)E-mode 650V HEMT功率元件，聚焦3C快充、云端信息存儲中心、電動車、無人機市場應(yīng)用，預(yù)計2024年底前實現(xiàn)3000片/月的出貨量。

臺亞半導(dǎo)體總經(jīng)理衣冠君表示，公司已與許多客戶進行相關(guān)產(chǎn)品的可靠性驗證，客戶反饋的驗證結(jié)果良好，并表示可媲美一線大廠，目前整個GaN事業(yè)群發(fā)展進度超前。

針對臺亞半導(dǎo)體此舉，業(yè)界預(yù)計，其目的是推動GaN事業(yè)群上市IPO計劃。實際上，該推測確與臺亞半導(dǎo)體當(dāng)前的發(fā)展規(guī)劃相符。據(jù)了解，臺亞半導(dǎo)體2022年已將面板組裝與系統(tǒng)開發(fā)業(yè)務(wù)分割出去，成立了子公司光磊先進顯示并規(guī)劃上市；除此之外，視覺顯示、IC設(shè)計、人工智能（AI）檢測等子公司也將分批推動上市計劃。

本次分割之后，臺亞半導(dǎo)體的GaN業(yè)務(wù)有望獲得更大的發(fā)展空間，產(chǎn)品開發(fā)與驗證、量產(chǎn)應(yīng)用的進程將加快，而集團資源也將進一步整合，助力各子公司業(yè)務(wù)取得長足的發(fā)展。

市場集中度提升，GaN市場發(fā)展雖慢但穩(wěn)

今年以來，GaN領(lǐng)域似乎傳來了不少消極的消息：美國垂直GaN半導(dǎo)體技術(shù)生產(chǎn)商NexGen Power Systems、新加坡射頻GaN芯片供應(yīng)商Gallium Semiconductor相繼宣布倒閉，而美國垂直GaN器件廠商Odyssey隨后也宣布出售公司資產(chǎn)。

盡管這些消息反映GaN市場經(jīng)營遇到困境的事實，但從資源分配的角度來看，小廠的退出有利于資源進一步向有實力的大廠集中，GaN技術(shù)的潛力能夠更快地被挖掘出來，這一點從兩起大型并購案可窺知一二。

業(yè)界皆知，GaN市場兩大主力GaN Systems及Transphorm已相繼并入功率半導(dǎo)體巨頭英飛凌和半導(dǎo)體芯片大廠瑞薩電子，在綜合能力、技術(shù)共享、客戶資源、成本管控等方面都獲得了明顯的提升，有望發(fā)揮1+1＞2的效果。并且，目前包括英飛凌、瑞薩電子等在內(nèi)的各大廠商對于能源轉(zhuǎn)型期下GaN的發(fā)展前景依舊持著樂觀、看好的態(tài)度。

從實際進展來看，GaN技術(shù)在電動車、光儲充等高壓高功率市場的應(yīng)用越來越值得期待。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體此前不完全統(tǒng)計，GaN主要玩家PI、納微半導(dǎo)體、英諾賽科、GaN Systems、Transphorm、VisIC及博世等2023年在車用GaN市場取得了實質(zhì)性的成果。

另外，GaN技術(shù)去年也進一步打開了光伏儲能應(yīng)用市場，例如，大恒能源的光伏微型逆變器將采用Transphorm的GaN器件，而英諾賽科、EPC及鎵未來也在積極推廣光伏儲能用GaN技術(shù)，布局相關(guān)產(chǎn)品線。

在此基礎(chǔ)上，高壓GaN技術(shù)領(lǐng)域也不斷傳來好消息，越來越多廠商加入研發(fā)1200V及以上，以及基于藍(lán)寶石襯底的GaN技術(shù)。

比如，GaN器件廠商致能科技開發(fā)了1200V D-Mode高可靠性GaN器件平臺。據(jù)悉，該平臺在滿足1200V系統(tǒng)可靠性條件下，本征擊穿已達到2400V，可匹配工業(yè)、新能源、汽車等領(lǐng)域的需求。該公司近日還成功開發(fā)了8英寸藍(lán)寶石基GaN HEMTs晶圓，有助于1200V-3300V高壓GaN平臺的實現(xiàn)。

從大廠的擴產(chǎn)、產(chǎn)品布局動態(tài)及技術(shù)領(lǐng)域的進展來看，GaN技術(shù)在電動車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等更高功率市場的應(yīng)用雖進展較緩慢，但一直在穩(wěn)步前進。目前臺亞半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)發(fā)展效果以及此次的分割之舉也可以作為一個有力的佐證。隨著技術(shù)的進步、成本的下降與產(chǎn)業(yè)生態(tài)的調(diào)整，相信GaN領(lǐng)域?qū)⒂瓉硪环碌木跋?。（文：集邦化合物半?dǎo)體Jenny）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。