近日,SiC功率器件相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目迎來(lái)一波小高潮,多家廠商密集發(fā)布新進(jìn)展,其中包括士蘭微8英寸SiC功率器件生產(chǎn)線項(xiàng)目、安建功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目、智新半導(dǎo)體800V SiC模塊產(chǎn)線。
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士蘭微8英寸SiC功率器件項(xiàng)目落地廈門(mén)
5月21日,士蘭微與廈門(mén)市人民政府、廈門(mén)市海滄區(qū)人民政府在廈門(mén)市簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》(以下簡(jiǎn)稱協(xié)議協(xié)議)。
根據(jù)協(xié)議,各方合作在廈門(mén)市海滄區(qū)投資建設(shè)一條以SiC MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。該項(xiàng)目分兩期建設(shè),項(xiàng)目一期投資規(guī)模約70億元,規(guī)劃產(chǎn)能3.5萬(wàn)片/月,二期投資規(guī)模約50億元,規(guī)劃產(chǎn)能2.5萬(wàn)片/月,兩期建設(shè)完成后,將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。
為主導(dǎo)項(xiàng)目實(shí)施,士蘭微已于2024年3月6日在廈門(mén)市海滄區(qū)先行設(shè)立了項(xiàng)目公司廈門(mén)士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱士蘭集宏),士蘭集宏注冊(cè)資本為0.6億元,全部由士蘭微出資。
為推進(jìn)項(xiàng)目實(shí)施,士蘭微擬與廈門(mén)半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門(mén)新翼科技實(shí)業(yè)有限公司共同向子公司士蘭集宏增資41.5億元并簽署《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作協(xié)議》。
士蘭集宏本次新增注冊(cè)資本41.5億元,由士蘭微與廈門(mén)半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門(mén)新翼科技實(shí)業(yè)有限公司以貨幣方式共同認(rèn)繳,其中:士蘭微認(rèn)繳10億元,廈門(mén)半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司認(rèn)繳10億元,廈門(mén)新翼科技實(shí)業(yè)有限公司認(rèn)繳21.50億元。本次增資完成后,士蘭集宏的注冊(cè)資本將由0.6億元增加至42.1億元。
士蘭微表示,如本次投資事項(xiàng)順利實(shí)施,將為士蘭集宏“8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目”的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)提供資金保障,有利于加快實(shí)現(xiàn)士蘭微SiC功率器件的產(chǎn)業(yè)化,完善其在車(chē)規(guī)級(jí)高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局,增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力。
安建功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目簽約浙江海寧
5月20日,2024年二季度海寧經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)、海昌街道項(xiàng)目集中簽約儀式在浙江海寧(中國(guó))泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園服務(wù)中心舉行,寧波安建半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱安建半導(dǎo)體)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目簽約落地海寧經(jīng)開(kāi)區(qū),總投資1億元。
作為一家功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)及銷售公司,安建半導(dǎo)體現(xiàn)有低電壓的SGT MOSFET(分裂柵金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、高電壓的SJ MOSFET(超結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、Field Stop Trench IGBT(絕緣柵雙極晶體管)三條成熟的產(chǎn)品線。其高電壓產(chǎn)品主要應(yīng)用于高鐵、電動(dòng)汽車(chē)、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域;低電壓產(chǎn)品主要應(yīng)用于5G基站、電能轉(zhuǎn)換、綠色家電、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。
在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,安建半導(dǎo)體目前已推出具有完全自主產(chǎn)權(quán)的1200V 17mΩ SiC MOSFET,正在同步建設(shè)SiC模塊封裝產(chǎn)線和開(kāi)發(fā)新一代GaN技術(shù)和產(chǎn)品。
在SiC業(yè)務(wù)方面,安建半導(dǎo)體在去年12月與積塔半導(dǎo)體就加速完成安建在積塔代工的平面型SiC MOSFET器件開(kāi)發(fā),并攜手邁進(jìn)新一代溝槽型SiC MOSFET器件開(kāi)發(fā)達(dá)成合作。
智新半導(dǎo)體800V SiC模塊產(chǎn)線預(yù)計(jì)7月批量投產(chǎn)
5月20日,據(jù)湖北日?qǐng)?bào)消息,智新半導(dǎo)體第二條生產(chǎn)線兼容生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊和800V SiC模塊,預(yù)計(jì)7月份批量投產(chǎn),10月份大批量投用。
據(jù)悉,為加速車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊國(guó)產(chǎn)替代,東風(fēng)公司在2019年6月與中國(guó)中車(chē)成立智新半導(dǎo)體,開(kāi)始自主研發(fā)生產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊。
2021年7月,智新半導(dǎo)體以先進(jìn)的第6代IGBT芯片技術(shù)為基礎(chǔ)的生產(chǎn)線啟動(dòng)量產(chǎn),華中地區(qū)首批自主生產(chǎn)的車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊產(chǎn)品正式下線。一期產(chǎn)能30萬(wàn)只,主要生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊。
而在今年4月,智新半導(dǎo)體第二條生產(chǎn)線啟用,規(guī)劃產(chǎn)能40萬(wàn)只,兼容生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊和800V SiC模塊,產(chǎn)線國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到70%。
智新半導(dǎo)體表示,其800V SiC模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù),可將能量轉(zhuǎn)化效率提高3%,與同樣性能的國(guó)外產(chǎn)品相比,該模塊成本降低了30%。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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