近日，SiC功率器件相關擴產項目迎來一波小高潮，多家廠商密集發(fā)布新進展，其中包括士蘭微8英寸SiC功率器件生產線項目、安建功率半導體模塊封裝項目、智新半導體800V SiC模塊產線。
圖片來源：拍信網正版圖庫
士蘭微8英寸SiC功率器件項目落地廈門
5月21日，士蘭微與廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府在廈門市簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》（以下簡稱協(xié)議協(xié)議）。
根據協(xié)議，各方合作在廈門市海滄區(qū)投資建設一條以SiC MOSEFET為主要產品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線。該項目分兩期建設，項目一期投資規(guī)模約70億元，規(guī)劃產能3.5萬片/月，二期投資規(guī)模約50億元，規(guī)劃產能2.5萬片/月，兩期建設完成后，將形成8英寸SiC功率器件芯片年產72萬片的生產能力。
為主導項目實施，士蘭微已于2024年3月6日在廈門市海滄區(qū)先行設立了項目公司廈門士蘭集宏半導體有限公司（以下簡稱士蘭集宏），士蘭集宏注冊資本為0.6億元，全部由士蘭微出資。
為推進項目實施，士蘭微擬與廈門半導體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業(yè)有限公司共同向子公司士蘭集宏增資41.5億元并簽署《8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目之投資合作協(xié)議》。
士蘭集宏本次新增注冊資本41.5億元，由士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業(yè)有限公司以貨幣方式共同認繳，其中：士蘭微認繳10億元，廈門半導體投資集團有限公司認繳10億元，廈門新翼科技實業(yè)有限公司認繳21.50億元。本次增資完成后，士蘭集宏的注冊資本將由0.6億元增加至42.1億元。
士蘭微表示，如本次投資事項順利實施，將為士蘭集宏“8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目”的建設和運營提供資金保障，有利于加快實現士蘭微SiC功率器件的產業(yè)化，完善其在車規(guī)級高端功率半導體領域的戰(zhàn)略布局，增強核心競爭力。
安建功率半導體模塊封裝項目簽約浙江海寧
5月20日，2024年二季度海寧經濟開發(fā)區(qū)、海昌街道項目集中簽約儀式在浙江海寧(中國)泛半導體產業(yè)園服務中心舉行，寧波安建半導體有限公司（以下簡稱安建半導體）功率半導體模塊封裝項目簽約落地海寧經開區(qū)，總投資1億元。
作為一家功率半導體元器件產品設計、研發(fā)及銷售公司，安建半導體現有低電壓的SGT MOSFET（分裂柵金屬氧化物場效應晶體管）、高電壓的SJ MOSFET（超結金屬氧化物場效應晶體管）、Field Stop Trench IGBT（絕緣柵雙極晶體管）三條成熟的產品線。其高電壓產品主要應用于高鐵、電動汽車、新能源、工業(yè)控制等領域；低電壓產品主要應用于5G基站、電能轉換、綠色家電、消費電子等領域。
在第三代半導體領域，安建半導體目前已推出具有完全自主產權的1200V 17mΩ SiC MOSFET，正在同步建設SiC模塊封裝產線和開發(fā)新一代GaN技術和產品。
在SiC業(yè)務方面，安建半導體在去年12月與積塔半導體就加速完成安建在積塔代工的平面型SiC MOSFET器件開發(fā)，并攜手邁進新一代溝槽型SiC MOSFET器件開發(fā)達成合作。
智新半導體800V SiC模塊產線預計7月批量投產
5月20日，據湖北日報消息，智新半導體第二條生產線兼容生產400V硅基IGBT模塊和800V SiC模塊，預計7月份批量投產，10月份大批量投用。
據悉，為加速車規(guī)級功率半導體模塊國產替代，東風公司在2019年6月與中國中車成立智新半導體，開始自主研發(fā)生產車規(guī)級IGBT模塊。
2021年7月，智新半導體以先進的第6代IGBT芯片技術為基礎的生產線啟動量產，華中地區(qū)首批自主生產的車規(guī)級IGBT模塊產品正式下線。一期產能30萬只，主要生產400V硅基IGBT模塊。
而在今年4月，智新半導體第二條生產線啟用，規(guī)劃產能40萬只，兼容生產400V硅基IGBT模塊和800V SiC模塊，產線國產化率達到70%。
智新半導體表示，其800V SiC模塊采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術，可將能量轉化效率提高3%，與同樣性能的國外產品相比，該模塊成本降低了30%。（集邦化合物半導體Zac整理）
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