近期的SiC產(chǎn)業(yè)，廠商簽約合作似乎蔚然成風(fēng)。僅僅在近三個月，就已有芯聯(lián)集成與理想汽車、芯動半導(dǎo)體與意法半導(dǎo)體、湖南三安與維諦技術(shù)等多個重磅戰(zhàn)略合作成功達成。
在這股戰(zhàn)略合作熱潮中，又有兩家SiC廠商開啟了合作進程。5月23日，據(jù)中機新材官微披露，該公司在5月15日與南砂晶圓簽訂了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。由此，知名SiC襯底廠商與SiC晶圓研磨拋光材料頭部企業(yè)正式開啟戰(zhàn)略合作。
source：中機新材
SiC襯底產(chǎn)線關(guān)鍵角色
作為一家專注于高硬脆材料和高性能研磨拋光材料的技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的廠商，中機新材已在第三代半導(dǎo)體晶圓研磨拋光應(yīng)用領(lǐng)域取得多項關(guān)鍵性技術(shù)突破，這為其進軍SiC產(chǎn)業(yè)并與知名廠商達成合作打下了一定的基礎(chǔ)。
據(jù)了解，在SiC晶圓制造過程中,切磨與拋光技術(shù)尤為關(guān)鍵,它直接決定了晶圓的表面質(zhì)量和使用性能。由此可見，SiC晶圓切磨拋耗材在襯底生產(chǎn)過程中扮演了重要角色。而中機新材目前已擁有切割、減薄、粗磨、精磨、粗拋、精拋全工藝環(huán)節(jié)的耗材產(chǎn)品，這意味著其在SiC產(chǎn)業(yè)會有較強的“存在感”。
據(jù)悉，傳統(tǒng)磨拋方案中，研磨液占SiC襯底原材料成本的15.5%，傳統(tǒng)多晶和類多晶研磨成本中高氯酸占總成本的30%，且高氯酸產(chǎn)生的環(huán)境污染時間長、范圍廣、難以根除。
而中機新材首創(chuàng)的團聚金剛石技術(shù)，替代了多晶和類多晶，有效解決了生產(chǎn)過程中的環(huán)保和成本痛點。耗液量方面，團聚金剛石方案用量僅為3μm單晶金剛石方案的20%。
中機新材團聚金剛石研磨材料已于2021年投入量產(chǎn)，在此基礎(chǔ)上，中機新材已成功進入比亞迪、天岳先進、同光股份、天域半導(dǎo)體、合盛硅業(yè)、晶盛機電等SiC產(chǎn)業(yè)鏈頭部企業(yè)。此次與南砂晶圓合作，中機新材重磅客戶再+1。
南砂晶圓瞄準降本需求
作為國內(nèi)SiC襯底頭部廠商，南砂晶圓對SiC晶圓研磨拋光材料需求量大，尤其是在擴產(chǎn)戰(zhàn)略下，因此與中機新材合作已是水到渠成。
近年來，南砂晶圓開啟了規(guī)模龐大的擴產(chǎn)計劃。其中之一是南砂晶圓在廣州南沙區(qū)布局了SiC項目，總投資9億元，該項目2023年4月已經(jīng)試投產(chǎn)，達產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬片。放眼近期所有SiC擴產(chǎn)項目，20萬片產(chǎn)能也能夠位居前列。
此外，南砂晶圓還正在積極擴建廠區(qū)，計劃將位于山東濟南的8英寸SiC單晶和襯底項目打造成為全國最大的8英寸SiC襯底生產(chǎn)基地，投資額達15億元，這是南砂晶圓另一大規(guī)模擴產(chǎn)項目。
不僅僅只有南砂晶圓，天岳先進、天科合達、三安光電等眾多廠商均推出了雄心勃勃的SiC襯底產(chǎn)能提升計劃，隨著相關(guān)項目進入量產(chǎn)階段，SiC襯底產(chǎn)品競爭也會日趨激烈，此時，在技術(shù)水平、價格等方面有優(yōu)勢的產(chǎn)品有望脫穎而出，贏得客戶青睞。
廠商如何達成更有競爭力的價格，降本是必須的。從上文不難看出，采用中機新材團聚金剛石研磨材料對于降低SiC襯底產(chǎn)品生產(chǎn)成本具有積極意義，尤其是規(guī)模效應(yīng)下，其成效將會更加顯著，因而尋求與中機新材合作對于南砂晶圓等SiC襯底大廠而言具有較強的戰(zhàn)略意義。
小結(jié)
與南砂晶圓合作，中機新材有望獲得較大的產(chǎn)品訂單需求，進而推動業(yè)績增長，并進一步提高市場影響力。而與中機新材合作，南砂晶圓有望通過在產(chǎn)線關(guān)鍵環(huán)節(jié)實現(xiàn)降本增效，進而提升產(chǎn)品競爭力，擴大市場份額。
雙方達成戰(zhàn)略合作后，有望通過技術(shù)交流與定制化開發(fā)，推出更契合用戶和市場需求的產(chǎn)品，實現(xiàn)企業(yè)協(xié)同發(fā)展，達成互利雙贏。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。