近日，半導體材料大廠Soitec與兩家企業(yè)展開SiC領域合作。
Tokai Carbon將為Soitec供應多晶6 & 8英寸SiC襯底
5月22日，Soitec宣布，公司與碳和石墨產品綜合制造商Tokai Carbon已建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)和供應專為 Soitec SmartSiC晶圓設計的多晶碳化硅（SiC）襯底。
Soitec指出，SiC是一種顛覆性的化合物半導體，SmartSiC工程襯底通過提供卓越的制造和成本效率以及改善的環(huán)境足跡，加速了碳化硅在電動汽車、工業(yè)和智能電網應用中的采用。
通過此次合作，Tokai Carbon將向 Soitec 供應 150 mm（6英寸）和 200 mm（8英寸）多晶SiC晶圓，兩家公司將利用其先進的研發(fā)能力來增強SmartSi生態(tài)系統(tǒng)。Tokai Carbon在多晶碳化硅（polySiC）方面的先進技術和制造能力，以及 Soitec對符合 Soitec SmartSiC 的多晶碳化硅粗晶圓規(guī)格的使用權相結合，預計將為全球SmartSiC晶圓產量的提升做出戰(zhàn)略貢獻。
據(jù)悉，SmartSiC是基于該公司SmartCut工藝的專有Soitec技術。在該工藝中，高質量單晶（mono-SiC）“供體”晶圓的薄層被分離并粘合到低電阻率多晶（poly-SiC）“柄”晶圓上，由此產生的襯底可提高器件性能和制造良率。該工藝允許對單個供體晶圓進行多次重復使用，從而顯著降低成本和相關的二氧化碳排放。
Soitec將為X-FAB提供SmartSiC晶圓
同日，Soitec還宣布已與SiC晶圓代工龍頭 X-FAB合作。Soitec將為X-FAB位于美國得克薩斯州拉伯克的工廠提供SmartSiC晶圓 ，用于生產SiC功率器件。
Soitec表示，此次合作是在成功完成評估階段之后進行的，在評估階段，SiC功率器件在X-FAB德克薩斯州工廠的150mm（6英寸）? SmartSiC 晶圓上制造。Soitec將通過聯(lián)合供應鏈委托模式，為 X-FAB 的客戶提供獲得 SmartSiC襯底的便捷途徑。
在這個快速增長的市場中，Soitec正在其位于格勒諾布爾（法國）附近的伯寧新工廠提高SmartSiC襯底的產量。X-FAB正在增加拉伯克工廠的SiC器件產能。SmartSiC襯底的使用能讓X-FAB的客戶能夠設計出更小的器件，從而通過增加每個晶圓的芯片數(shù)量來提高效率。
值得一提的是，Soitec日前公布了2024財年第四季度營收及全年業(yè)績。2024年第四季度收入達到3.37億歐元，與創(chuàng)紀錄的23年第四季度相比，按固定匯率計算下降了2%。2024財年收入為9.78億歐元，按固定匯率和周長以及報告基準計算均下降了10%，符合預期。2024財年凈利潤達到1.78億歐元，利潤率為18%。
針對SiC領域，Soitec表示，與前幾個季度相比， 公司用于未來幾代電動汽車的 SmartSiC技術在24財年第四季度產生的收入貢獻進一步增加，但同比略有下降，這是因為 Soitec 在 23 財年同季度公司收到了與意法半導體（STMicroelectronics）合作協(xié)議的首期付款。
Soitec表示，公司的SmartSiC路線圖在技術、工業(yè)、供應和商業(yè)等各個方面都進展順利。今年2月，Soitec公司又獲得了第二家客戶。Soitec公司專門生產SmartSiC襯底的新工廠預計將于25財年下半年投產。（集邦化合物半導體Morty編譯）
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