6月24日，湖南省功率半導體產(chǎn)業(yè)對接會暨功率半導體行業(yè)聯(lián)盟第八屆發(fā)展戰(zhàn)略高峰論壇在株洲舉行。
會上，4個功率半導體項目現(xiàn)場簽約，分別為特種變壓器智能制造基地項目、SiC半導體設備與基材生產(chǎn)基地、沃坦科通信連接器項目、功率半導體基板批量制造基地項目。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
其中，SiC半導體設備與基材生產(chǎn)基地項目建設單位為株洲諾天電熱科技有限公司（以下簡稱諾天科技）。諾天科技致力于中高頻感應加熱設備和工業(yè)控制設備的開發(fā)生產(chǎn)與推廣應用，產(chǎn)品廣泛應用于航天、交通、機械、冶金、軌道交通機車車輛行業(yè)等幾十種加工制造行業(yè)中。
據(jù)悉，目前，株洲功率半導體器件產(chǎn)業(yè)集群規(guī)模達460億元，構建了從“芯片—模塊—裝置—系統(tǒng)”的完整產(chǎn)業(yè)鏈，集群產(chǎn)品廣泛應用于軌道交通裝備、智能化輸配電工程、新能源汽車等領域，遠銷歐美、東南亞等地區(qū)。
近年來，株洲SiC產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，德智新材料半導體用SiC蝕刻環(huán)項目、順為科技集團IGBT/SiC功率半導體模塊項目等多個SiC相關項目相繼簽約落地。
其中，德智新材料半導體用SiC蝕刻環(huán)項目總投資約2.5億元，主要用于半導體用SiC蝕刻環(huán)的研發(fā)、制造，投產(chǎn)后年產(chǎn)值超1億元。科技集團IGBT/SiC功率半導體模塊項目總投資7.5億元，主要生產(chǎn)工業(yè)調(diào)頻、充電樁、儲能逆變、光伏/風力發(fā)電用IGBT模塊等，建成達產(chǎn)后可年產(chǎn)400萬個IGBT模塊及100萬個SiC模塊，預計年產(chǎn)值8億元。
此次包括SiC半導體設備與基材生產(chǎn)基地項目在內(nèi)的4個功率半導體項目簽約落地，有望推動株洲功率半導體器件產(chǎn)業(yè)集群規(guī)模進一步發(fā)展壯大。（集邦化合物半導體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。