作為一家聚焦于SiC半導(dǎo)體領(lǐng)域的芯片廠商,瞻芯電子致力于開發(fā)SiC功率器件、驅(qū)動和控制芯片、SiC功率模塊產(chǎn)品,并圍繞SiC功率半導(dǎo)體應(yīng)用,為客戶提供一站式芯片解決方案。
圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
據(jù)悉,瞻芯電子在國內(nèi)較早自主開發(fā)并掌握了6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺,并持續(xù)進行升級迭代。
依托自建的SiC晶圓產(chǎn)線,瞻芯電子開發(fā)了第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,其中IV2Q12040T4Z(1200V 40mΩ SiC MOSFET)于2023年8月獲得了車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)認證證書,而且通過了新能源行業(yè)頭部企業(yè)的導(dǎo)入測試,開啟了量產(chǎn)交付。
瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動電壓(Vgs)為15-18V,可提升應(yīng)用兼容性,簡化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上,第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET,但進一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計,使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%,并顯著降低開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)效率。
而在近日,瞻芯電子基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4Z)通過了車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試認證;同時,瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺已正式量產(chǎn)。
瞻芯電子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET,現(xiàn)有IV3Q12013T4Z、IV3Q12013BA、IV3Q12013BD 3款產(chǎn)品,主要用于車載電驅(qū)動系統(tǒng),已獲得多家車載電驅(qū)動客戶的項目定點。
其第三代1200V SiC MOSFET仍為平面柵型MOSFET,相比第二代工藝,元胞的Pitch縮小了超過20%。核心指標(biāo)方面,第三代產(chǎn)品在保證器件的耐壓和短路能力的前提下,將比導(dǎo)通電阻Rsp降低至2.5mΩ*cm2,同時,第三代產(chǎn)品的開關(guān)損耗對比第二代產(chǎn)品進一步降低30%以上。
在可靠性方面,首款產(chǎn)品IV3Q12013T4Z不僅按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)完成了三批次可靠性認證,獲得車規(guī)級可靠性認證證書,而且通過了更嚴(yán)格的Beyond-AECQ可靠性考核,包括動態(tài)可靠性(D-HTRB,D-H3TRB,AC-BTI),柵極負偏壓下的HTRB等。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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