6月27日，半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）宣布，計(jì)劃投資2億美元（約合人民幣14.5億元）開(kāi)發(fā)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等下一代寬帶隙半導(dǎo)體（WBG），并在德國(guó)漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。
同時(shí)，硅（Si）二極管和晶體管的晶圓廠產(chǎn)能也將增加。這些投資是與漢堡經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)Melanie Leonhard博士在生產(chǎn)基地成立100周年之際共同宣布的。
source：安世半導(dǎo)體
為了滿足對(duì)高效功率半導(dǎo)體日益增長(zhǎng)的長(zhǎng)期需求，從2024年6月開(kāi)始，安世半導(dǎo)體三種工藝（SiC、GaN和Si）器件都將在德國(guó)開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)。
同月，安世半導(dǎo)體首批高壓GaN d-mode晶體管和SiC二極管生產(chǎn)線投產(chǎn)。安世半導(dǎo)體指出，下一個(gè)里程碑將是建設(shè)SiC MOSFET和低壓GaN HEMT 8英寸現(xiàn)代化高性價(jià)比生產(chǎn)線，這些產(chǎn)線預(yù)計(jì)在未來(lái)兩年內(nèi)在漢堡工廠建成。
與此同時(shí)，這筆投資還將有助于德國(guó)漢堡工廠現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施的進(jìn)一步自動(dòng)化，并通過(guò)系統(tǒng)地轉(zhuǎn)換到8英寸晶圓來(lái)擴(kuò)大硅生產(chǎn)能力。安世半導(dǎo)體在擴(kuò)大無(wú)塵室面積后，還將新建研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，以繼續(xù)確保未來(lái)從研究到生產(chǎn)的無(wú)縫過(guò)渡。
安世半導(dǎo)體德國(guó)首席運(yùn)營(yíng)官兼董事總經(jīng)理Achim Kempe評(píng)論道：“這項(xiàng)投資鞏固了我們作為節(jié)能半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商的地位，使我們能夠更負(fù)責(zé)任地利用可用的電能。未來(lái)，我們的漢堡晶圓廠將覆蓋寬帶隙半導(dǎo)體的全系列，同時(shí)其仍然是最大的小型信號(hào)二極管和晶體管工廠?！保罨衔锇雽?dǎo)體Morty編譯）
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