總投資10億,北一第三代半導(dǎo)體功率器件項目開工

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 18:00 | 分類 企業(yè)

6月26日,據(jù)建湖發(fā)布官微消息,江蘇省鹽城市建湖縣舉行重大產(chǎn)業(yè)項目推進(jìn)暨北一半導(dǎo)體功率器件項目開工活動。

source:建湖發(fā)布

據(jù)悉,北一第三代半導(dǎo)體功率器件項目總投資10億元,分兩期實施。項目全部投產(chǎn)后,可年產(chǎn)半導(dǎo)體器件125萬件,年可實現(xiàn)開票銷售15億元,稅收1.2億元。

官微資料顯示,北一半導(dǎo)體成立于2017年,總部位于深圳市,生產(chǎn)基地位于黑龍江省穆棱市,是一家專注于Si基、SiC基功率半導(dǎo)體芯片及模塊研發(fā)、模塊生產(chǎn)、銷售的廠商。北一半導(dǎo)體目前在研產(chǎn)品包括精細(xì)溝槽柵IGBT芯片、溝槽柵SiC?MOSFET芯片、雙面散熱模塊等,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻、感應(yīng)加熱、新能源汽車、風(fēng)電及光伏領(lǐng)域。

SiC業(yè)務(wù)方面,2018年,北一半導(dǎo)體成立SiC芯片開發(fā)項目組,進(jìn)行SiC二極管及MOSFET芯片調(diào)研規(guī)劃;2019年,其1200V 20A SiC JBS二極管產(chǎn)出,可靠性通過工業(yè)級考核,1200V 40mΩ MOSFET芯片工程批流片;2021年,其1200V SiC JBS二極管及MOSFET分立器件在電源領(lǐng)域獲得批量訂單;2022年,北一半導(dǎo)體完成1200V等級SiC MPS芯片開發(fā),浪涌電流達(dá)到12倍額定電流,新能源汽車用750V、1200V等級IGBT及SiC模塊獲小批量訂單;2023年,北一半導(dǎo)體完成650V及1200V溝槽柵SiC MOSFET芯片設(shè)計。

項目方面,2023年1月,北一半導(dǎo)體新建二期廠房正式全面投入使用。二期占地面積超過12500平米,產(chǎn)能進(jìn)一步擴(kuò)大,能夠滿足HPD模塊、IGBT模塊、PIM模塊、IPM模塊、SiC模塊大量生產(chǎn)條件。

隨著北一半導(dǎo)體本次開工的新項目建成達(dá)產(chǎn),其SiC功率器件產(chǎn)能有望再上一個臺階(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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