7月8日晚間,天岳先進發(fā)布公告稱,其擬以簡易程序向特定對象發(fā)行股票,募集資金總額不超過3億元(含本數),扣除相關發(fā)行費用后的募集資金凈額將用于投資8英寸車規(guī)級SiC襯底制備技術提升項目。
source:天岳先進
定增預案顯示,本次項目主要研發(fā)方向包括SiC生長熱場仿真、SiC單晶應力控制、SiC單晶微缺陷控制、導電型SiC電阻率控制等。
公告顯示,天岳先進本次募資的3億元主要投向建筑工程及安裝工程費用及設備購置費。項目建設周期為24個月,包括廠房凈化間裝修改造、設備采購安裝、新技術和工藝試驗等三個階段。
據悉,由6英寸向8英寸升級,是SiC襯底重要的降本路徑之一。天岳先進表示,根據測算,單片8英寸SiC襯底的芯片產出量大約是6英寸的2倍,4英寸的4倍,并可部分使用硅基功率芯片產線裝備,可大幅降低成本、提高效率。以32mm2面積的裸片(芯片)為例,8英寸SiC襯底上的裸片數量相比6英寸增加近90%,同時邊緣裸片數量占比從14%降低至7%,8英寸襯底利用率相比6英寸提升了7%。
近年來,天岳先進持續(xù)發(fā)力8英寸SiC襯底。2022年,天岳先進通過自主擴徑實現了高品質8英寸SiC襯底的制備。隨著國際市場對8英寸SiC襯底需求持續(xù)增加,其在2023年已經實現8英寸SiC襯底的批量銷售。
與此同時,天岳先進不斷進行8英寸產品的技術創(chuàng)新,推進包括導電型SiC用粉料高效合成、高質量導電型SiC晶體生長、高效SiC拋光、8英寸寬禁帶SiC半導體單晶生長及襯底加工關鍵技術等研發(fā)項目。天岳先進目前以PVT法大規(guī)模批量化制備8英寸襯底,是國際上較少掌握了液相法制備技術的企業(yè)之一。
項目方面,據上海臨港管委會官網信息顯示,天岳先進的“碳化硅半導體材料二期(一階段)項目”的環(huán)評信息已于近日公示。
項目概況顯示,天岳先進通過利用現有廠區(qū)預留區(qū)域增加生產設備開展8英寸SiC晶片生產線建設,配套新增公輔設施和環(huán)保設施。為滿足產品質量需求,將對現有已批項目部分工藝、設備進行改造。(集邦化合物半導體Zac整理)
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