7月15日，據鎵仁半導體官微消息，鎵仁半導體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底，據稱為目前國際上已報導的最大尺寸。
source：鎵仁半導體
據鎵仁半導體介紹，在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先，（010）襯底熱導率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）襯底具有較快的外延生長速率；第三，基于（010）襯底制備的器件具有更優(yōu)異的性能。
資料顯示，鎵仁半導體成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產和銷售的廠商。鎵仁半導體開創(chuàng)了非導模法氧化鎵單晶生長新技術，突破了國際市場對氧化鎵材料的壟斷，可提供具有完全自主知識產權的氧化鎵單晶襯底材料。
技術進展方面，此前，鎵仁半導體聯(lián)合浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室，采用楊德仁院士團隊自主開創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵（β-Ga2O3）單晶襯底。
2024年4月，鎵仁半導體推出了新產品2英寸晶圓級（010）氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實現(xiàn)了2英寸（010）氧化鎵單晶襯底的自主量產，打破了國際壟斷。
融資方面，今年4月，鎵仁半導體宣布完成數千萬元天使輪融資，本輪融資由藍馳創(chuàng)投領投，禹泉資本、毅嶺資本跟投，融資資金將用于強化團隊、加速氧化鎵襯底材料新方法及中試線研發(fā)。（集邦化合物半導體Zac整理）
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