10月17日，據(jù)無(wú)錫市新吳區(qū)官網(wǎng)消息，位于無(wú)錫市高新區(qū)（新吳區(qū)）的新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目即將竣工投產(chǎn)。
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據(jù)悉，新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目總投資13.5億元，用地面積約3.17萬(wàn)平方米，建筑面積約5.4-5.7萬(wàn)平方米，該項(xiàng)目于2023年1月開工建設(shè)，預(yù)計(jì)2024年底竣工投用。
該項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)碳化硅/氮化鎵功率器件2640萬(wàn)只；年產(chǎn)14.52億只IC及智能功率模塊（IPM）等功率集成模塊；年產(chǎn)362.6萬(wàn)只SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊（含車規(guī)級(jí)）。預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值16.66億元。
官網(wǎng)資料顯示，新潔能成立于2013年1月，擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導(dǎo)體、國(guó)硅集成電路四家子公司以及深圳分公司、寧波分公司。新潔能專注于MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)及銷售，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子、新能源汽車及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領(lǐng)域。
產(chǎn)品方面，新潔能構(gòu)建了IGBT、屏蔽柵MOSFET（SGT MOSFET）、超結(jié)MOSFET（SJ MOSFET）、溝槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大產(chǎn)品工藝平臺(tái)，并已陸續(xù)推出車規(guī)級(jí)功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模塊、柵極驅(qū)動(dòng)IC、電源管理IC等產(chǎn)品，電壓覆蓋12V-1700V全系列。
目前，新潔能的SiC MOSFET部分產(chǎn)品已通過客戶驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)小規(guī)模銷售，GaN HEMT部分產(chǎn)品已開發(fā)完成并通過可靠性測(cè)試。
具體來(lái)看，新潔能已開發(fā)完成1200V 23mohm-75moh和750V 26mohm SiC MOSFET系列產(chǎn)品，新增產(chǎn)品6款，相關(guān)產(chǎn)品處于小規(guī)模銷售階段；650V/190mohm E-Mode GaN HEMT產(chǎn)品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT已開發(fā)完成，新增產(chǎn)品2款，100V/200V GaN產(chǎn)品正在開發(fā)中。
業(yè)績(jī)方面，2024年上半年，新潔能實(shí)現(xiàn)營(yíng)收8.73億元，同比增長(zhǎng)15.16%；歸母凈利潤(rùn)2.18億元，同比增長(zhǎng)47.45%；歸母扣非凈利潤(rùn)2.14億元，同比增長(zhǎng)55.21%。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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