10月30日，長飛先進武漢基地相關(guān)負責(zé)人對外介紹，長飛先進武漢碳化硅基地11月設(shè)備即將進駐廠房，明年年初開始調(diào)試，預(yù)計2025年5月可以量產(chǎn)通線，隨后將開啟良率提升和產(chǎn)能爬坡。
source:光谷融媒體中心
據(jù)悉，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項目總投資預(yù)計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。
項目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片SiC晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光儲充等領(lǐng)域。
該項目于2023年8月25日落戶武漢，并于7天后動工建設(shè)。今年6月，項目主體結(jié)構(gòu)全面封頂。
按照原計劃，項目將于2025年1月設(shè)備搬入，2025年7月量產(chǎn)通線，2026年年底達到滿產(chǎn)。截止目前項目最新動態(tài)顯示，項目提前了2個月的進度。
值得一提的是，長飛先進武漢碳化硅基地加速建設(shè)的同時，其在蕪湖的第三代半導(dǎo)體項目也迎來了新進展。
10月29日，據(jù)蕪湖市生態(tài)局披露的建設(shè)項目環(huán)評審批公告顯示，安徽長飛先進將對其位于蕪湖市弋江區(qū)的第三代半導(dǎo)體項目進行改造，具體內(nèi)容為：
對現(xiàn)有研發(fā)方案中6萬片/年的6英寸碳化硅半導(dǎo)體芯片和1.2萬片/年的4、6英寸氮化鎵半導(dǎo)體芯片進行研發(fā)工藝的改進，提高研發(fā)產(chǎn)品的質(zhì)量，優(yōu)化研發(fā)產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)，研發(fā)產(chǎn)能保持不變。
據(jù)悉，該項目由長飛先進全資子公司蕪湖太赫茲工程中心有限公司負責(zé)。項目于2017年6月動工建設(shè)，2021年完成自主驗收，公司后續(xù)在2022年對項目進行了擴產(chǎn)。（來源：湖北日報、集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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