12月18日，據(jù)長飛先進官微消息，長飛先進武漢基地項目首批設備搬入儀式于光谷科學島舉辦。
source：長飛先進
據(jù)介紹，長飛先進武漢基地項目本次搬入的設備涵蓋芯片制造各個環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等。目前，長飛先進武漢基地項目正推進建設并對設備進行安裝調(diào)試，預計2025年5月實現(xiàn)量產(chǎn)通線。
據(jù)長飛先進官微此前消息，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項目總投資預計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設施等。項目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等領域。
據(jù)了解，近期除長飛先進武漢基地外，還有2個碳化硅芯片/模塊項目披露了最新進展，分別位于江蘇東臺、福建廈門。
11月21日，相關環(huán)保網(wǎng)披露的文件顯示，士蘭微旗下廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司碳化硅功率器件生產(chǎn)線建設項目已驗收。該項目依托現(xiàn)有廠房，新增一條SiC產(chǎn)線，主要生產(chǎn)SiC功率芯片產(chǎn)品。項目新增SiC產(chǎn)能規(guī)模為MOSFET芯片28.8萬片/年、SBD芯片28.8萬片/年。
12月6日，瑞福芯科技“車規(guī)級SiC半導體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項目”落地東臺高新技術開發(fā)區(qū)，公司與東臺高新區(qū)正式簽署了《投資協(xié)議》、《補充協(xié)議》。投資協(xié)議顯示，整個項目投資10-15億元，分兩期實施，首期投資3億元。（集邦化合物半導體Zac）
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