揚杰科技中央研究院獲批省重點實驗室,助力功率半導(dǎo)體技術(shù)突破

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 03 月 11 日 14:01 | 分類 企業(yè) , 功率 , 碳化硅SiC

據(jù)揚州市刊江區(qū)人民政府網(wǎng)消息,3月10日,揚杰科技中央研究院正式獲批成為省級重點實驗室,標志著其在半導(dǎo)體功率電子領(lǐng)域的研發(fā)實力和創(chuàng)新能力得到了官方的高度認可。

據(jù)悉,該實驗室的成立旨在聚焦半導(dǎo)體功率電子領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)問題,通過產(chǎn)學(xué)研深度融合,推動我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。

公開消息顯示,揚杰科技中央研究院按照國內(nèi)一流電子實驗室標準建設(shè),總建筑面積達5000平方米,分為可靠性實驗室、失效分析實驗室、模擬仿真實驗室和綜合研發(fā)實驗室。實驗室已通過CNAS(中國合格評定國家認可委員會)認證,具備芯片設(shè)計模擬仿真、環(huán)境測試、物理化學(xué)失效分析以及產(chǎn)品電、熱及機械應(yīng)力模擬仿真等多項功能。

中央研究院整合了揚杰科技的多個研發(fā)團隊,涵蓋SiC、GaN、IGBT、MOSFET、二三極管芯片等多個領(lǐng)域。此外,該公司還與東南大學(xué)共建“寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”,專注于第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。實驗室的成立將進一步推動公司在高端功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新,特別是在SiC、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品上實現(xiàn)技術(shù)突破。

揚杰科技中央研究院獲批省重點實驗室后,將重點解決大功率半導(dǎo)體器件的前沿技術(shù)和共性關(guān)鍵技術(shù),助力我國在IGBT等新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)自主可控。此外,實驗室還將為揚杰科技新產(chǎn)品開發(fā)、技術(shù)瓶頸突破以及市場版圖擴展提供強有力的保障。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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