圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

資料顯示，華海清科成立于2013年4月，是一家半導體設備制造商，主要從事半導體專用設備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及技術(shù)服務，主要產(chǎn)品為CMP設備。

項目建設方面，今年2月1日，“華海清科集成電路高端裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目”封頂儀式在北京市亦莊舉行。該項目規(guī)劃總建筑面積約70000平方米，總投資額8.2億元。項目建成后將用于開展高端半導體設備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，推動濕法裝備、減薄裝備、CMP裝備等半導體設備的研發(fā)和生產(chǎn)。

據(jù)悉，CMP是一種結(jié)合化學腐蝕與機械磨削的表面平坦化技術(shù)。它通過使用含有超細磨粒和化學腐蝕劑的拋光液，在特定壓力和旋轉(zhuǎn)運動下，對工件表面進行微量的材料去除和表面修飾，從而實現(xiàn)高精度的平坦化處理。

目前，CMP技術(shù)廣泛應用于半導體制造領域，特別是在晶圓制造過程中。晶圓制造過程包括熱處理、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、CMP、清洗、前道量測等工藝流程。CMP在半導體制造中起著至關(guān)重要的作用，能夠減少晶圓表面的不平整，為后續(xù)工藝提供良好的基礎。

在CMP項目方面，浙江博來納潤電子材料有限公司（以下簡稱：博來納潤）位于衢州智造新城高新片區(qū)的107畝生產(chǎn)基地二期項目于今年8月3日正式開工建設。二期項目建成后，加上已經(jīng)運營的一期項目產(chǎn)能，博來納潤將實現(xiàn)在衢州布局34000噸半導體CMP拋光液的目標。（集邦化合物半導體Zac整理）

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source：上海驕成

資料顯示，驕成超聲成立于2007年，聚焦超聲波技術(shù)的開發(fā)與應用，面向半導體、新能源、醫(yī)療醫(yī)美等多個行業(yè)提供整體解決方案。

在半導體領域，驕成超聲主要產(chǎn)品包括超聲波鍵合機、超聲波掃描顯微鏡（SAM/SAT）、Pin針超聲波焊接機、半導體端子超聲波焊接機等。其中超聲波鍵合機、Pin針焊接機和端子焊接機是半導體封測工序的關(guān)鍵設備，超聲波掃描顯微鏡（C-SAM/SAT）則廣泛應用于半導體晶圓、芯片、2.5D/3D封裝、IGBT模塊/SiC器件、基板（陶瓷DBC/金屬板AMB）等產(chǎn)品的檢測。

隨著半導體技術(shù)的進步，檢測技術(shù)也在不斷創(chuàng)新和升級，新的檢測方法和設備的出現(xiàn)，使得檢測更加高效、準確。近期，碳化硅產(chǎn)品檢測細分領域熱度持續(xù)上漲，廠商動作頻頻。

11月20日，據(jù)中導光電官微消息，中導光電近期成功獲得國內(nèi)功率半導體頭部客戶的8英寸碳化硅晶圓缺陷檢測設備訂單。

近日企查查披露信息顯示，創(chuàng)銳光譜已完成近億元Pre-A輪融資，由光速光合領投，老股東君聯(lián)資本跟投，融資資金將主要用于技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能擴容。創(chuàng)銳光譜成立于2016年9月，專注于研發(fā)和生產(chǎn)半導體光譜檢測設備，產(chǎn)品包括第三代半導體晶圓檢測設備等。（集邦化合物半導體Zac整理）

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source：港交所

據(jù)了解，天域半導體成立于2009年，是我國最早實現(xiàn)第三代半導體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)。2010年，天域半導體與中國科學院半導體研究所合作，共同創(chuàng)建了碳化硅研究所，成為全球碳化硅外延晶片的主要生產(chǎn)商之一。

融資方面，天眼查顯示，從2021年7月至今，天域半導體共完成四輪融資，每次均收獲重量級投資方。其中，2021年7月獲華為哈勃投資天使輪融資；2022年6月獲比亞迪、上汽集團入股。目前，天域半導體戰(zhàn)略投資方包括比亞迪、上汽尚頎、海爾資本、晨道資本、東莞大中和申能欣銳等。

在業(yè)務方面，天域半導體指出，2024年公司開始量產(chǎn)8英寸碳化硅外延片，并與海外領先的整合器件制造商(IDM)汽車客戶就8英寸碳化硅外延片達成戰(zhàn)略合作。source：天域半導體產(chǎn)能方面，截止到2024年10月31日，天域半導體6英寸及8英寸外延片的年度產(chǎn)能約為42萬片。

據(jù)悉，天域半導體現(xiàn)有的東莞生產(chǎn)基地，主要專注于生產(chǎn)6英寸碳化硅外延片。公司還購置了位于東莞市生態(tài)園生產(chǎn)工廠的一塊土地，并已開始在該地塊上興建新生產(chǎn)基地，未來將包括辦公區(qū)、工廠、研發(fā)樓、宿舍及其他配套設施。天域半導體預計其正在擴產(chǎn)的新生態(tài)園生產(chǎn)基地將于2025年內(nèi)增加約38萬片碳化硅外延片的年度計劃產(chǎn)能，使公司的年度計劃總產(chǎn)能達至約800,000片碳化硅外延片。

此外，天域半導體還表示，根據(jù)實際需求，其初步計劃在東南亞擴大產(chǎn)能，以更好地服務公司的海外客戶。營收方面，天域半導體的收入由2021年的人民幣月1.55億元增長至2022年的人民幣4.37億元元，并進一步增長至2023年的人民幣11.71億元。

此外，公司的毛利由2021年的人民幣2420萬元增長至2022年的人民幣8750萬元，并進一步增長至2023年的人民幣2.17億元，復合年增長率為199.2%。

本次申請港股上市，天域半導體計劃將IPO募集所得資金凈額將有以下用途：

1.一部分預計將于未來五年內(nèi)用于擴張公司的整體產(chǎn)能，從而提升天域半導體的市場份額及產(chǎn)品競爭力，包括：采購設備，擴張產(chǎn)線；完成基地建設；招聘人才。

2.一部分預計將于未來五年內(nèi)用于提升公司的自主研發(fā)及創(chuàng)新能力，以提高產(chǎn)品質(zhì)量及縮短新產(chǎn)品的開發(fā)周期，從而更迅速地回應市場需求。

3.一部分預計將用于戰(zhàn)略投資及/或收購，以擴大客戶群豐富公司的產(chǎn)品組合及補充公司的技術(shù)，從而實現(xiàn)天域半導體的長遠發(fā)展策略。（集邦化合物半導體整理）

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資料顯示，創(chuàng)銳光譜成立于2016年9月，專注于研發(fā)和生產(chǎn)半導體光譜檢測設備，主營業(yè)務涵蓋半導體工業(yè)檢測和科學研究兩大領域。其中，工業(yè)檢測級產(chǎn)品主要包括第三代半導體晶圓檢測設備、光伏面板光學檢測設備以及LED和激光芯片檢測設備等系列產(chǎn)品。

在碳化硅晶圓缺陷檢測方面，創(chuàng)銳光譜開發(fā)了襯底/外延位錯缺陷無損檢測、點缺陷檢測、高速載流子壽命檢測等多種專用設備，解決了碳化硅襯底位錯缺陷無損檢測的難題。

據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，2024年以來，已有謙視智能、蓋澤科技、優(yōu)睿譜、驛天諾、矽視科技、國科測試、睿勵科學儀器、忱芯科技、創(chuàng)銳光譜9家碳化硅量檢測設備相關(guān)廠商完成新一輪融資。

當前，碳化硅產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷擴產(chǎn)潮，碳化硅材料、器件相關(guān)項目建設正在如火如荼的進行中。隨著材料、器件規(guī)劃產(chǎn)能的不斷提升，在產(chǎn)線上發(fā)揮重要作用的量檢測設備相關(guān)需求水漲船高，背后的各大廠商將持續(xù)獲得紅利，進而獲得更多資本加持。

在設備國產(chǎn)替代的趨勢下，未來包括量檢測設備廠商在內(nèi)的國產(chǎn)碳化硅設備廠商有望傳出更多完成新一輪融資的利好消息。（集邦化合物半導體Zac整理）

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source：青禾晶元

據(jù)了解，目前，可用于MOSFET制造的無缺陷襯底（即“高質(zhì)量”襯底）的成品率通常僅為40%-60%。在6-8英寸SiC的生長和提純過程中產(chǎn)生的低等級襯底（即“低質(zhì)量”襯底）通常被作為陪片甚至廢料處理，導致高質(zhì)量SiC襯底的生產(chǎn)成本較高，通常占最終MOSFET器件成本的50%以上。

為應對這一挑戰(zhàn)，青禾晶元攜手中科院微電子所等合作單位在國際上首次提出了一種新型6英寸單晶SiC復合襯底，通過表面活化鍵合技術(shù)和離子注入剝離技術(shù)，將高質(zhì)量SiC薄層鍵合轉(zhuǎn)移到低質(zhì)量單晶SiC襯底上，實現(xiàn)了低質(zhì)量單晶SiC襯底有效使用，每個高質(zhì)量SiC晶圓可重復使用超過30次（即每個高質(zhì)量晶圓可以產(chǎn)生超過30個薄層），預計成本降低40%。

據(jù)觀察，復合襯底已成為碳化硅乃至半導體產(chǎn)業(yè)的一大技術(shù)突破方向，已吸引部分廠商涉足，除青禾晶元外，達波科技近期也披露了碳化硅復合襯底相關(guān)進展。

達波科技首條4/6英寸碳化硅基壓電復合襯底生產(chǎn)線于11月23日在其上海臨港工廠正式貫通。

據(jù)悉，碳化硅基壓電復合襯底是一種由碳化硅和其他材料復合而成的材料，具有高硬度、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點。這種材料在多個領域有廣泛應用，特別是在電子、光電和機械行業(yè)中。

在電子行業(yè)，碳化硅基壓電復合襯底被廣泛應用于制造高功率LED和功率器件，其優(yōu)異的導熱性能可以有效降低設備的溫度，提高設備的壽命和可靠性；在光電行業(yè)中，碳化硅基壓電復合襯底用于制造太陽能電池板和激光器，其高硬度和高熱導率可以有效提高器件的效率和性能。（集邦化合物半導體Zac整理）

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根據(jù)公告，兆馳股份擬通過全資子公司兆馳半導體或其下屬子公司以自有資金或自籌資金投資建設“年產(chǎn)1億顆光通信半導體激光芯片項目（一期）”，并建設砷化鎵、磷化銦化合物半導體激光晶圓制造生產(chǎn)線，主要應用為光芯片技術(shù)領域的VCSEL激光芯片及光通信半導體激光芯片。本次投資為項目一期，項目一期建設擬投資金額不超過5億元。

資料顯示，兆馳半導體目前專注于氮化鎵和砷化鎵LED外延及芯片的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，產(chǎn)品線涵蓋全色系LED芯片，廣泛應用于半導體照明、背光、超高清顯示等多個領域。自2023年起，兆馳半導體進一步布局光通信領域，已初步建立起涵蓋終端光通訊器件、模塊及核心原材料芯片的垂直產(chǎn)業(yè)鏈。

近期，國內(nèi)還有多個砷化鎵、磷化銦芯片相關(guān)項目披露了最新進展，分別由縱慧芯光、芯辰半導體等廠商主導建設。

10月23日，縱慧芯光正式宣布，旗下“3英寸化合物半導體芯片制造項目”已完成封頂。該項目總投資5.5億元，規(guī)劃用地40畝，預計明年1月投產(chǎn)，達產(chǎn)后將形成年產(chǎn)3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計約5000萬顆的生產(chǎn)能力。

另據(jù)“勢能資本”消息，芯辰半導體外延設備已于近日投產(chǎn)，覆蓋砷化鎵及磷化銦光芯片四元化合物全材料體系。芯辰半導體專注于生產(chǎn)VCSEL和EEL激光器芯片，致力于在江蘇太倉打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地，其產(chǎn)品廣泛應用于光通信、激光雷達等領域。（集邦化合物半導體Zac整理）

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據(jù)悉，深創(chuàng)投基金與遠致星火將分別出資3億及1億元，認購本次鑫耀半導體新增注冊資本1.6億元，增資完成后，深創(chuàng)投基金、遠致星火將分別持有鑫耀半導體25%、8.3333%的股權(quán)。

對于本次增資擴股原因，云南鍺業(yè)表示，是基于鑫耀半導體當前的實際情況和經(jīng)營發(fā)展的考慮，符合公司的長遠發(fā)展規(guī)劃，融入資金鑫耀半導體可以用于研發(fā)、生產(chǎn)運營、廠房和設備設施購置等。

鑫耀半導體主要業(yè)務為半導體材料砷化鎵晶片及磷化銦晶片的生產(chǎn)與銷售。目前在云南國家鍺材料基地建成一條年產(chǎn)砷化鎵拋光晶片30萬片4英寸（或12萬片6英寸）的單晶材料生產(chǎn)線以及一條年產(chǎn)5萬片磷化銦襯底生產(chǎn)線。

據(jù)企查查顯示，鑫耀半導體目前的主要股東為云南鍺業(yè)、哈勃科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司（下文簡稱“哈勃科技”）和惠峰，三者分別持股84.5%、9.3%、6.1%。值得一提的是，哈勃投資為華為投資有限公司全資子公司。

本次增資完成后，云南鍺業(yè)所持有的鑫耀半導體股權(quán)由之前的84.5294%下降至56.3529%，公司對其控制地位不變，合并報表范圍不會發(fā)生變更。鑫耀半導體二股東哈勃科技持股比例由9.3454%下降至6.2303%，位列深創(chuàng)投基金、遠致星火之后，為第四大股東。（集邦化合物半導體Morty整理）

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據(jù)介紹，美迪凱微電子的年產(chǎn)20億顆（件、套）半導體器件建設項目和美迪凱光學半導體的半導體晶圓制造及封測項目都在按計劃推進；公司射頻芯片主要為設計公司代工，Normal SAW、TC-SAW、TF-SAW均已實現(xiàn)量產(chǎn)，包括晶圓制造和封裝測試；BAW項目諧振器收集已完成，已開始全流程樣品試做；公司第三代半導體封測已實現(xiàn)小批量生產(chǎn)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

官網(wǎng)資料顯示，杭州美迪凱光電科技股份有限公司成立于2010年8月，是一家從事光學光電子、半導體光學、半導體微納電路、智能終端的研發(fā)、制造和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。

在第三代半導體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的趨勢下，封測領域不時傳出廠商新動態(tài)，近期三菱電機、晶能微電子等企業(yè)都披露了新進展。

11月20日，據(jù)三菱電機官網(wǎng)消息，三菱電機將投資約100億日元（約4.67億人民幣）在日本福岡縣的功率器件制作所建設一座新的功率半導體模塊封裝與測試工廠。該工廠最初于2023年3月14日宣布，預計于2026年10月開始運營。

另據(jù)溫嶺發(fā)布消息，近日，晶能微電子車規(guī)級半導體封測基地二期項目正式開工。據(jù)悉，2023年5月，溫嶺新城開發(fā)區(qū)與晶能微電子簽約車規(guī)級半導體封測基地項目，項目共分兩期實施建設。其中，一期擴建項目主要建設一條車規(guī)級Si/SiC器件先進封裝產(chǎn)線，已于今年7月正式投產(chǎn)。（集邦化合物半導體Zac整理）

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source：巴中經(jīng)開區(qū)

據(jù)項目負責人介紹，第一批58臺設備主要是封裝前端固晶、共晶熱機設備，用于芯片生產(chǎn)的粘片工序，預計在下周還將到達第二批設備，主要是焊線、塑封、測試等設備，整線設備到達后將進行安裝調(diào)試。

據(jù)悉，該項目由四川深矽微科技有限公司投資建設，計劃總投資3億元，分兩期建設，一期使用巴中經(jīng)開區(qū)東西部協(xié)作產(chǎn)業(yè)園二期標準化廠房6000平方米，主要建設車規(guī)級功率器件以及部分芯片級封裝生產(chǎn)線；二期入駐巴中低空經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)園，使用廠房2萬平方米，建設高密度封裝生產(chǎn)線、設計開發(fā)高密度模具和引線框架生產(chǎn)基地。（集邦化合物半導體Zac整理）

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source：Carbontech

據(jù)報道，Diamond Foundry Europe位于西班牙特魯希略的晶圓廠計劃于2025年開始生產(chǎn)單晶金剛石芯片。該晶圓廠將采用等離子體反應器技術(shù)生產(chǎn)人造金剛石晶片。

金剛石不僅硬度驚人，還擁有卓越的導熱性能、極高的電子遷移率，擁有耐高壓、大射頻、低成本、耐高溫等多重優(yōu)異性能參數(shù)，以及其他優(yōu)異的物理特性。

具體來看，金剛石半導體具有超寬禁帶（5.45eV）、高擊穿場強（10MV/cm）、高載流子飽和漂移速度、高熱導率（2000W/m·k）等材料特性，以及優(yōu)異的器件品質(zhì)因子（Johnson、Keyes、Baliga），采用金剛石襯底可研制高溫、高頻、大功率、抗輻照電子器件，克服器件的“自熱效應”和“雪崩擊穿”等技術(shù)瓶頸。

此外，金剛石擁有優(yōu)異的物理特性，在光學領域具有良好透光性和折射率，適用于光電器件的研發(fā)；電學方面，其絕緣性能和介電常數(shù)使其在復雜電路中發(fā)揮穩(wěn)定作用；機械性能方面，高強度和耐磨性確保芯片能夠承受極端工作條件。

這些特性使得金剛石在芯片制造領域展現(xiàn)出巨大潛力，常被用于高功率密度、高頻率電子器件的散熱。金剛石半導體被認為是極具前景的新型半導體材料，被業(yè)界譽為“終極半導體材料”。

全球范圍內(nèi)，對金剛石半導體的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作正在如火如荼地進行。從Element Six贏得UWBGS項目，到華為積極布局金剛石半導體技術(shù)，從Diamond Foundry在2022年收購德國的Audiatec公司后培育出全球首個單晶金剛石晶圓，到Advent Diamond在金剛石摻磷技術(shù)上的突破，再到法國Diamfab計劃在2025年實現(xiàn)4英寸金剛石晶圓的量產(chǎn)，以及日本、美國、韓國等國家的全面發(fā)力，金剛石半導體的產(chǎn)業(yè)化進程正在持續(xù)向前推進。

在國內(nèi)，啟晶科技、科之誠等金剛石晶圓企業(yè)，已經(jīng)成功研制出大尺寸、高質(zhì)量的金剛石晶圓片。（集邦化合物半導體Zac整理）

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