功率半導(dǎo)體器件是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。其中，MOSFET因其具有易于驅(qū)動(dòng)、開(kāi)關(guān)速度快、損耗低等特點(diǎn)，逐漸成為功率器件的主流產(chǎn)品。
與傳統(tǒng)的硅（Si）功率半導(dǎo)體相比，SiC MOSFET具有大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率三個(gè)最顯著特征，適用于大功率且高效的各類(lèi)應(yīng)用，... [詳內(nèi)文]
【會(huì)議預(yù)告】泰科天潤(rùn)：我們需要怎樣的SiC MOSFET |
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作者
huang, Mia
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發(fā)布日期:
2023 年 06 月 06 日 17:26
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