從技術趨勢分析，第三季SiC（碳化硅）逆變器滲透率較前一季微增1%，但較去年同期下降2%。值得關注的是，中國市場貢獻全球約65%的SiC逆變器裝機量，盡管其核心零件的功率模塊仍由國際半導體廠商主導，但“國產替代”策略正在推動本土廠商實現(xiàn)突破，未來可能挑戰(zhàn)國際企業(yè)的領導地位。
在一級供應商的競爭格局上，比亞迪受益于旗下車型熱銷，第三季牽引逆變器裝機市占率季增1%，達18%，首度超越日廠Denso，成為市占率最高的公司。匯川技術的市占率亦提升至6%，顯示出中國廠商在該領域的競爭力持續(xù)增強。總體而言，中國廠商、日本廠商和Tesla合計占據(jù)全球裝機量的一半，而歐美廠商影響力則逐漸減弱。
TrendForce集邦咨詢表示，牽引逆變器區(qū)域的分化日益明顯，中國市場裝機量占全球總量的61%，歐洲則在市場萎縮的壓力下積極改革，削減支出以提升電動車產業(yè)鏈的競爭力。短期內，中國市場的穩(wěn)定需求將繼續(xù)支撐牽引逆變器市場的增長。長期來看，歐洲汽車產業(yè)鏈若能成功實施改革，將有助于提振全球牽引逆變器與電動車市場的整體表現(xiàn)。來源：TrendForce集邦咨詢
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各國為提高充電效率，積極建設直流電（DC）公共充電樁，TrendForce集邦咨詢預計2024年全球DC充電樁占比將達37%，較2023年增長2%。除了公共充電樁建設速度放緩，主要市場也出現(xiàn)分布過于集中的問題。以2024年10月的數(shù)據(jù)來看，中國市場有近20%的充電樁分布于廣東省。歐洲方面，荷蘭、德國及法國的合計占比達58%，而在美國，則有26%的公共充電樁集中在加州。
TrendForce集邦咨詢表示，這些充電樁數(shù)量第一名的區(qū)域與第二名有極大的差距。過于集中的充電設施會限制車主規(guī)劃路線的自由度，加劇“充電焦慮”，同時影響新能源車滲透率增長。
里程焦慮沖擊純電車市場增長，短期內難以解決，預期也將影響充電設施增設速度。然而，由于電池的能量密度提升已達瓶頸，持續(xù)增設公共充電樁仍是各國解決里程焦慮較可行的方案。因此，公共充電樁雖然增速放緩，但仍將保持一定的正增長。（文：TrendForce集邦咨詢）
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– 01 -AI應用普及，GaN有望成為減熱增效的幕后英雄
AI技術的演進，帶動算力需求持續(xù)攀升，CPU/GPU的功耗問題日益顯著。為了應對更高端的AI運算，服務器電源的效能、功率密度必須進一步提高，GaN已成為關鍵解決技術之一。臺達為全球最大的服務器電源供應商，市占率近5成。觀察其服務器電源的進階過程，功率密度在過去10年里由33.7W/in3上升至100.3W/in3，同時功率等級來到了3.2kW甚及5.5kW，而下一代預計將達到8 kW以上。
TrendForce集邦咨詢研究表明，2024年AI服務器占整體服務器出貨的比重預估將達12.2%，較2023年提升約3.4%，而一般型服務器出貨量年增率僅有1.9%。
為了搶占商機，英飛凌與納微半導體均在今年公布了針對AI數(shù)據(jù)中心的技術路線圖。英飛凌表示，將液冷技術與GaN相結合，在較低結溫下具有明顯的優(yōu)勢，為數(shù)據(jù)中心提供了巨大的機會，可以最大程度地提高效率，滿足不斷增長的電力需求，并克服服務器發(fā)熱量不斷增加所帶來的挑戰(zhàn)。
– 02 -電機驅動場景，GaN高頻特性潛力凸顯
在機器人等電機驅動場景，GaN的應用潛力逐漸浮現(xiàn)。相對工業(yè)機器人，人形機器人（Humanoid Robot）由于自由度（Degrees of Freedom, DoF）急劇上升，對電機驅動器的需求量大幅增加。人形機器人的關節(jié)模組承擔了主要的發(fā)力與制動任務，為了獲得更高的爆發(fā)力，需要配置高功率密度、高效率、高響應的電機驅動器，GaN因此受到市場關注，特別是在腿部等負載較高的部位。
德州儀器、EPC（宜普電源轉換）持續(xù)推動著GaN于電機驅動領域的應用，并不斷吸引新玩家進入。未來的機器人定會超乎想象，而精確、快速和強大的運動能力是其中之關鍵，驅動其運動所需的電機也勢必隨之進步，GaN將因此受益。
– 03 -GaN為汽車功率電子提供新方案
相對于SiC在汽車產業(yè)的繁榮景象，GaN汽車應用亦不斷吸引著業(yè)界關注，其中車載充電機(OBC)被視為最佳突破點。第一個符合汽車AEC-Q101標準的功率GaN產品在2017年由Transphorm（現(xiàn)Renesas-瑞薩電子）發(fā)布，截至目前，已有多家廠商推出豐富的汽車級產品。
整體而言，雖然GaN進入Inverter、OBC等動力系統(tǒng)組件還面臨著多個技術問題，但相信在英飛凌、瑞薩等汽車芯片大廠的持續(xù)投資推動下，GaN不久就會成為汽車功率組件中的關鍵角色。
– 04 -消費電子仍是GaN的主戰(zhàn)場
消費電子是功率GaN產業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機等領域。
具體而言，GaN已經在低功率的手機快速充電器中被大規(guī)模采用，下一步GaN將進入可靠性要求更為嚴格的筆電、家電電源。另外，其他蘊藏潛力的消費場景包括Class-D Audio、Smartphone OVP等。
TrendForce集邦咨詢認為，功率GaN產業(yè)正處于關鍵的突圍時刻，幾大潛力應用同步推動著產業(yè)規(guī)模加速成長。同時，為了進入更為復雜的大功率、高頻化場景，GaN在可靠性基礎上有望引入新結構、新工藝，為產業(yè)發(fā)展注入新動能。另外，從產業(yè)發(fā)展進程來看，F(xiàn)abless（無晶圓廠）公司在過去一段時間里表現(xiàn)較為活躍，但隨著產業(yè)不斷整合以及應用市場逐步打開，未來將看到傳統(tǒng)IDM（集成器件制造）大廠的話語權顯著上升，為產業(yè)格局的未來圖景帶來新的重大變數(shù)。（文：TrendForce集邦咨詢）
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]]>2023年全球SiC功率元件營收市占率
TrendForce集邦咨詢分析，2024年來自AI服務器等領域的需求則顯著大增，然而，純電動汽車銷量成長速度的明顯放緩和工業(yè)需求走弱正在影響SiC供應鏈，預計2024年全球SiC功率元件產業(yè)營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。
ST
作為關鍵的車用SiC MOSFET供應商，ST正在意大利卡塔尼亞打造一座全流程SiC工廠，預計2026年投產。此外，ST與三安光電在中國成立的8英寸SiC合資工廠有望最快在今年年底通線，屆時ST可結合位于當?shù)氐暮蠖畏鉁y產線以及三安光電提供的配套襯底材料工廠，達到垂直整合效益。
onsemi
onsemi近年來SiC業(yè)務進展迅速，這主要歸功于其車用EliteSiC系列產品。onsemi位于韓國富川的SiC晶圓廠在2023年完成擴建，并計劃在2025年完成相關技術驗證后轉為8英寸。自完成對GTAT收購后，目前onsemi的SiC襯底材料自給率已超過50%，隨著內部材料產能的提升，公司正在朝著毛利率達到50%的目標前進。
Infineon
Infineon的SiC營收近一半來自于工業(yè)市場，其馬來西亞居林工廠的主要客戶 SolarEdge陷入困境，對Infineon營運產生沖擊。相較之下，Infineon的汽車業(yè)務發(fā)展較為穩(wěn)健，例如近期小米SU7的design win，另外過去相對落后的產能建設進度反倒讓其在市場逆風中處于有利地位。相較于其他幾家領先的SiC IDM廠商，Infineon缺少SiC晶體材料的內部生產能力，因此積極推動多元化供應商體系，以確保供應鏈穩(wěn)定。
Wolfspeed
Wolfspeed在過去兩年里錯失了一些市場機會，功率元件業(yè)務市占有所下滑。不過Wolfspeed仍然是全球最大的SiC材料供應商，特別是汽車級 MOSFET襯底，并在8英寸領域具備先發(fā)優(yōu)勢。隨著Wolfspeed的The JP工廠即將投產，有望顯著提高材料產能，并推動莫霍克谷工廠（MVF）的投產進程。
ROHM
ROHM近期收購了Solar Frontier的國富町工廠作為其第四個SiC工廠，并計劃在今年開始生產8英寸SiC襯底，后續(xù)亦將投入功率元件的制造。ROHM與Vitesco Technologies、馬自達、吉利汽車等車廠及Tier1建立了長期的合作關系，并加速新一代功率模塊開發(fā)，盼借此帶動市占率的提升。
TrendForce集邦咨詢認為，整體而言，SiC正處于一個快速成長和高度競爭的市場，規(guī)模經濟比任何其他因素更為重要。領先的IDM廠商紛紛一改過去保守、沉穩(wěn)的戰(zhàn)略姿態(tài)，轉而積極投資SiC擴張計劃，期望建立領導地位。截至目前，全球已有超過10家廠商正在投資建設8英寸SiC晶圓廠?？梢灶A見，未來隨著市場規(guī)模不斷擴大，SiC領域的競爭也將更為激烈。（文：TrendForce集邦咨詢）
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]]>其中，純電車(BEV)的牽引逆變器裝機量占比為48%，季減5%；而油電混合動力車(HEV)及插電混合式電動車(PHEV)的牽引逆變器裝機量則從47%提高至52%。從數(shù)據(jù)上的此消彼漲可看出，里程焦慮問題目前仍為消費者購車時的優(yōu)先考量。
從第一季電動車各電壓區(qū)間的牽引逆變器裝機量來看，由于混動車型的增長，電壓≤300V的牽引逆變器裝機量占比達36%，季增2%；而純電車的衰退，導致電壓>300V≤550V的裝機量占比季減1%，下降至55%，>550V的裝機量占比為9%，與上季持平。雖然各區(qū)間占比略有波動，市場主流電壓區(qū)間仍為>300V≤550V。
供應鏈方面，在中國國產替代的戰(zhàn)略下，全球前五大的牽引逆變器Tier 1中，已有比亞迪及匯川技術兩家中國企業(yè)。其中，比亞迪的逆變器屬于自研自產產品，用于自家車型，匯川技術深耕理想、小鵬、小米等新創(chuàng)新能源車廠。
此外，華為的市占率已連續(xù)三季季增1%，未來能否進入前五大供應商值得觀察。整體而言，第一季包含比亞迪與匯川技術在內的中國占比為34%，由歐美日Tier 1主導牽引逆變器的局面已被打破。
由于里程焦慮為結構性因素，加上地緣政治影響，消費者在購買BEV時可能仍采取較保守的態(tài)度，或轉而購買混動車型。根據(jù)TrendForce集邦咨詢預估，BEV第二季的牽引逆變器裝機量可能持平或最多小幅增長，純電車型與混動車型將以均分的形式持續(xù)推動牽引逆變器裝機量。整體來看，第二季牽引逆變器市場將告別淡季，小幅回暖，預估裝機量季增約10%至20%。（來源：TrendForce集邦咨詢）
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Tesla和比亞迪是兩個備受矚目的BEV品牌，近期均報告了令人失望的銷售數(shù)據(jù)，其中Tesla在1Q24更迎來了四年來首次季度銷量同環(huán)比下滑，這讓 SiC供應鏈面臨短期壓力。不過，從長遠發(fā)展角度來看，隨著800V系統(tǒng)滲透率持續(xù)提升，以及SiC供應鏈成本不斷優(yōu)化， SiC在汽車市場發(fā)展前景依舊光明。作為汽車電動化轉型中最閃耀的明星之一，SiC一直處于風口浪尖，這從最近中國兩大汽車品牌智己和小米之間的爭吵中顯而易見。
SiC市場始終熱情不減，在過去的2023年里，并購案例如Bosch 透過收購TSI Semiconductors的關鍵資產來加速8英寸SiC晶圓生產，以及Veeco收購Epiluvac AB切入 SiC外延設備市場。另外，Renesas與Wolfspeed簽訂10年的SiC材料供應協(xié)議，亦凸顯了新進入者之決心。
襯底材料的供應緊缺問題是過去幾年中限制SiC市場發(fā)展的主要因素，洶涌的擴產潮隨之而來，在此期間中國供應商迅速崛起，并進入全球前三。不過，瘋狂的產能擴張背后亦蘊藏著價格和產能過剩風險，生產商們必須加以重視并積極調整應對。在此情況下，Infineon等IDM大廠在確保穩(wěn)定的材料供應后，已將更多注意力轉移到元件、封裝和應用技術上，這是未來關鍵競爭力之所在。
總的來說，SiC正處于一個快速成長和高度競爭的市場，規(guī)模經濟比任何其他因素更為重要。領先的IDM廠商紛紛一改過去保守、沉穩(wěn)的戰(zhàn)略姿態(tài)，轉而激進投資SiC擴張計劃，期望建立領導地位?？梢灶A見，未來隨著市場規(guī)模不斷擴大，SiC領域的競爭將愈發(fā)激烈。（文：TrendForce集邦咨詢）
《2024 全球SiC Power Device市場分析報告》
語系：簡體中文 丨 格式：PDF 丨 頁數(shù)：約70頁
一、概況
-全球SiC產業(yè)格局
-全球SiC供應鏈現(xiàn)狀
-全球SiC產業(yè)并購動態(tài)
-全球主要SiC廠商業(yè)務布局
二、SiC Substrate市場分析
-SiC Substrate廠商分布
-SiC Substrate成本結構分析
-SiC Substrate價格趨勢
-SiC Substrate尺寸趨勢
-8-inch SiC Substrate進展
-SiC Substrate技術創(chuàng)新
-SiC Substrate供應商營收份額
-SiC Substrate市場規(guī)模
-SiC Substrate供應格局
-SiC Substrate產能預測
三、SiC Epitaxial Wafer市場分析
-SiC Epitaxial Wafer廠商分布
-SiC Epitaxial Wafer成本結構分析
-SiC Epitaxial Wafer供應商業(yè)務布局
-SiC Epitaxial Wafer供應商營收份額
-SiC Epitaxial Wafer市場規(guī)模
-SiC Epitaxial Reactor市場規(guī)模
四、SiC Power Device市場分析
-SiC Power Device廠商分布
-SiC Power Device成本結構分析
-SiC MOSFET技術發(fā)展趨勢
-SiC Power Device供應商產品線情況
-SiC Power Device供應商營收份額
-SiC Power Device市場規(guī)模
-8-inch SiC Wafer Fab情況
-SiC Wafer Foundry情況
五、車用SiC市場分析
-全球新能源汽車市場狀況
-SiC車用組件概況
-車用SiC供應鏈狀況
-汽車主逆變器功率模組發(fā)展趨勢
-汽車主逆變器SiC搭載進程
-汽車主逆變器SiC供應格局
-800V系統(tǒng)滲透率預測
-車用市場SiC晶圓需求預測
-車用功率半導體市場份額(Si/SiC/GaN)
六、主要SiC廠商分析
-Wolfspeed
-Infineon
-ST
-onsemi
-ROHM
-Bosch
-Coherent
-Resonac
-X-FAB
七、中國SiC市場動態(tài)
-中國SiC供應鏈現(xiàn)狀
-中國主要SiC廠商業(yè)務布局
-中國SiC產線情況-Substrate & Epitaxy
-中國SiC產線情況 – Wafer Fab
-中國SiC生產設備發(fā)展現(xiàn)狀
-中國車用SiC產業(yè)近況
-主要廠商動態(tài)分析
2023年消費性電子產品導入3D感測的品牌包含Apple（手機、平板電腦）、Honor（手機）、Meta Quest 3、Magic Leap 2。iPhone 15 Pro 采用Sony堆疊結構技術，將 VCSEL及驅動 IC、SPAD及ISP（ASIC Chip）以堆疊結構使系統(tǒng)尺寸大幅減少，并同時實現(xiàn)高速回應和高輸出功率，在相同功率下提供更好的光達掃描（LiDAR Scanner）性能，拉長電池續(xù)航時間，同時提高相機和擴增實境的性能。
受惠于Apple 計劃 2024年導入MetaLens技術，以縮小發(fā)射元件（Transmitters）體積，計劃于2027年采用全屏下3D感測（Under-Display 3D Sensing）技術，以提升顯示屏占比，由于屏下3D感測采用短波紅外線VCSEL（SWIR VCSEL），不僅可降低太陽光及環(huán)境光干擾，也較不易產生白點現(xiàn)象。藉由導入短波紅外線VCSEL（SWIR VCSEL）技術，帶動VCSEL價格上升。根據(jù) TrendForce集邦咨詢調查，1,130nm VCSEL于2023下半年已可達到PCE>30%，其中以艾邁斯歐司朗（ams OSRAM）的 1,130nm VCSEL有絕對優(yōu)異的產品表現(xiàn)。
而隨著Apple Vision Pro 將于2024年正式出貨，采用結構光（Structured Light）、直接式飛時測距（dToF）、主動式雙目視覺（Active Stereo Vision），共三項3D感測技術。加上 Sony、Meta、Microsoft、Google 等品牌廠商持續(xù)推出 擴增/虛擬實境產品，也將穩(wěn)定帶動 3D 感測市場需求。預估至2028年消費性電子3D感測VCSEL市場產值上看14.04億美元，2023~2028年復合成長率約11%。（文：TrendForce集邦咨詢）
集邦咨詢 2024紅外線感測市場分析報告
出刊時間: 2024年 01 月 01 日
文件格式: PDF
報告語系: 繁體中文 /英文
頁數(shù): 162
展望第四季，在年底節(jié)慶預期心理下，智能手機、筆電供應鏈備貨急單有望延續(xù)，又以智能手機的零部件拉貨動能較明顯。盡管終端尚未全面復蘇，但中國Android陣營手機年底銷售季前備貨動能略優(yōu)于預期，包括5G中低端、4G手機AP等，以及部分延續(xù)的Apple iPhone新機效應，第四季全球前十大晶圓代工產值預期會持續(xù)向上，成長幅度應會高于第三季。
臺積電3nm正式貢獻營收，第三季市占率上升至58%
臺積電（TSMC）受惠于PC、智能手機零部件如iPhone與Android新機，以及5G、4G中低端手機庫存回補急單助力，加上3nm高價制程正式貢獻營收，抵銷第三季晶圓出貨量下滑負面因素，第三季營收環(huán)比增長10.2%，達172.5億美元。其中3nm在第三季營收占比達6%，而臺積電整體先進制程（7nm含以下）營收占比已達近6成。三星晶圓代工事業(yè)（Samsung Foundry）受惠先進制程Qualcomm中低端5G AP SoC、Qualcomm 5G modem，及成熟制程28nm OLED DDI等訂單加持，第三季營收達36.9億美元，環(huán)比增長14.1%。
格芯（GlobalFoundries）第三季晶圓出貨和平均銷售單價持平第二季，故營收也與第二季相近，約18.5億美元。第三季營收支撐主力來自于家用和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)領域（Home and Industrial IoT），其中美國航天與國防訂單占比約20%。聯(lián)電（UMC）受惠于急單支撐，大致抵銷車用訂單的修正，整體晶圓出貨仍小幅下跌、營收微幅環(huán)比減少1.7%，約18億美元，其中28/22nm營收季增近一成、占比上升至32%。
中芯國際（SMIC）同樣受惠于消費性產品季節(jié)性因素，尤以智能手機相關急單為主，第三季營收環(huán)比增長3.8%，達16.2億美元。由于供應鏈持續(xù)有分流趨勢，同時中國本土客戶基于本土化號召回流、及智能手機零部件備貨急單，營收占比增長至84%。
IFS首次進榜，第三季營收成長幅度居冠
第六至第十名最大變化在于世界先進（VIS）、IFS（Intel Foundry Service）排名上升，且IFS是自Intel財務拆分后首度擠進全球前十名。世界先進（VIS）第三季因應LDDI庫存已落至健康水位，LDDI與面板相關PMIC投片逐步復蘇，以及部分預先生產的晶圓（Prebuild）出貨，營收環(huán)比增長3.8%，達3.3億美元，排名首度超越力積電（PSMC），上升至第八名。IFS則受惠于下半年筆電拉貨季節(jié)性因素，加上自身先進高價制程貢獻，第三季營收環(huán)比增長約34.1%，約3.1億美元。
其余業(yè)者如華虹集團（HuaHong Group）第三季營收環(huán)比減少9.3%，約7.7億美元。旗下HHGrace雖晶圓出貨大致與前季持平，但為維持客戶投片啟動讓價，平均銷售單價季減約一成，導致營收下跌。高塔半導體受惠季節(jié)性因素，在智能手機、車用/工控領域相關半導體需求相對穩(wěn)定，第三季營收約3.6億美元，大致持平第二季。力積電第三季營收環(huán)比減少7.5%，約3.1億美元，其中PMIC與Power Discrete營收分別季減近一成與近兩成，影響整體營運表現(xiàn)。
文：TrendForce集邦咨詢
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]]>從全球晶圓代工趨勢洞悉AI應用發(fā)展
消費性電子產品需求隨著全球景氣低迷而委靡不振，而AI應用帶動HPC芯片需求逆勢大幅成長。除采用現(xiàn)有芯片供應商解決方案外，客制化自研芯片趨勢也已崛起，高速運算應用成為先進制程最大驅動力。然而，先進制程產能過度集中也引發(fā)國際客戶的擔憂，據(jù)TrendForce集邦咨詢資料顯示，截至2024年底，全球仍有超過70%的先進制程產能位于臺灣地區(qū)。在地緣風險下，各國以優(yōu)渥的補貼政策吸引晶圓廠前往當?shù)卦O廠，臺灣地區(qū)的半導體關鍵地位及產能版圖變化成為供應鏈關注重點。
全球服務器市場變化下的臺廠機遇與挑戰(zhàn)
2023年在全球性通脹壓力持續(xù)下，無論是Server OEMs或CSPs均持續(xù)盤整供應鏈庫存與調整年度出貨與ODMs生產計劃，使得2023年服務器市場呈現(xiàn)近年的首度衰退。展望2024年，全球經濟態(tài)勢不確定性仍高，加上CSPs對于AI投資力道增強，預期服務器投資將呈現(xiàn)與今年相仿的排擠效應，導致服務器出貨規(guī)模受到抑制。
搶攻生成式AI版圖：AI服務器市場預測及供應鏈動態(tài)解析
2023年隨ChatBOT等應用帶動AI Server蓬勃發(fā)展，又以CSPs如Microsoft、Google、AWS等積極投入，TrendForce集邦咨詢預期2023年AI服務器（含搭載GPU、FPGA、ASIC等）出貨量逾120萬臺，年增38%，2024年將再成長逾33%，AI占比將突破雙位數(shù)達近12%。市場又以NVIDIA 高端AI芯片如A100、H100需求成長明顯，2023年出貨量上修至年增逾7成，2024年將再成長近8成，另大型CSPs逐步擴大自研ASIC亦值得關注，尤以Google、AWS于2023~2024年將扮領頭角色。預期在AI Server成長趨勢下，亦帶動供應鏈如存儲器、ODM/OEM、PSU等往高規(guī)格發(fā)展。
AI浪潮推動HBM需求大躍進
HBM是高端AI芯片上搭載的存儲器，屬于DRAM中的一個類別，主要由三大供應商三星（Samsung）、SK海力士（SK hynix）與美光（Micron）供應。隨著AI熱潮帶動AI芯片需求，對HBM需求量在2023年與2024年也隨之提升，促使原廠也紛紛加大HBM產能，展望2024年，HBM供給情況可望大幅改善。而以規(guī)格而言，伴隨AI芯片需要更高的效能，HBM主流也將在2024年移轉至HBM3與HBM3e。整體而言，在需求位元提高以及HBM3與HBM3e平均銷售價格高于前代產品的情形下，2024年HBM營收可望有顯著的成長。
2024全球汽車市場展望：電動車戰(zhàn)國時代來臨
中國車廠有不得不出海擴張的壓力，內需有限下，海外市場是其生存下去的必要條件，2024年預期中國品牌收斂會持續(xù)進行。國際車廠在電動化進展上呈現(xiàn)分岐，落后的車廠陷入平臺開發(fā)緩慢和車價缺乏競爭力的困境，若無法盡快擺脫內部問題，將逐漸被市場邊緣化。供應鏈分散化是另一項考驗，美國電動車補貼除了要求在地化組裝外，還限制電池關鍵礦物及電池零組件產地，而兩者的價值比重分別在2024年將提高至50%、60%，各國在地化策略促使車廠、供應商須于各地設廠，在利率與通脹皆高的時期，每一項投資都是步步為營。
EV動力效能提升，第三代半導體扮演關鍵角色
2024年新能源車(BEV與PHEV)將持續(xù)推動電動車（HEV、PHEV、BEV、FCV）市場成長。隨著新能源車逐漸走向NEP（New Electric Platform）平臺化生產，更緊湊及高效的動力設計成為車廠的核心競爭力。第三代半導體因有著較小的尺寸及較低的損耗成為提高動力能源轉換效率的關鍵零件，在主驅逆變器需求的帶領下，TrendForce集邦咨詢預測2024年SiC芯片的需求年成長約40%。面對車廠更進階的技術路線下，第三代半導體產業(yè)的IDM廠除了積極擴產外也將繼續(xù)領導該產業(yè)的技術革新。
車艙智能推手：前進車用面板新紀元
隨著全球車市的逐步回溫，以及車廠對車內顯示功能的越發(fā)重視，車用面板需求在這幾年將呈現(xiàn)逐年攀升的趨勢。除了量的增加外，對車用面板的規(guī)格升級要求也越來越多，因此可以觀察到在尺寸持續(xù)放大之外，對于亮度，分辨率，對比度等規(guī)格的提升也越來越明顯。此外，車用顯示面板逐漸從a-Si LCD朝LTPS LCD發(fā)展，AMOLED面板搶進車用市場的態(tài)度也越來越積極，MiniLED BLU搭配LCD也開始切入車用市場，預期將與AMOLED面板正面競爭車廠未來幾年的新案。也由于車用面板尺寸持續(xù)放大，驅動IC與觸控IC架構朝向TDDI發(fā)展配合In-Cell的趨勢已確認，也將是所有驅動IC廠商接下來的兵家必爭之地。
全球車用LED市場趨勢：照明與Micro/Mini LED新型顯示應用
全球經濟疲弱，車廠透過降價刺激買氣，也讓整體車市進入價格競爭循環(huán)，也導致車用LED價格明顯下跌。自適應性頭燈（ADB Headlight）、MiniLED尾燈、貫穿式尾燈、標識燈、氛圍燈等先進技術仍有望推升2023年車用LED市場規(guī)模。隨著高動態(tài)對比、區(qū)域調光、廣色域、曲面設計等趨勢，MiniLED / HDR車用顯示推廣車廠包含通用汽車、福特、BMW、蔚來、榮威、理想等。Micro LED車用透明顯示屏做為對外廣告、對內信息顯示，應用于未來智能汽車，預期將于2026-2027年將導入車用市場。
串聯(lián)環(huán)境、車、人的關鍵：車聯(lián)網(wǎng)產業(yè)發(fā)展解析
隨著3GPP在Release 17中對網(wǎng)絡覆蓋性、移動性與可靠性深化5G技術，加上全球5G基站快速擴展下，帶動車聯(lián)網(wǎng)產業(yè)發(fā)展，透過5G網(wǎng)絡進行車輛間聯(lián)網(wǎng)、路側設備和行人與車輛聯(lián)網(wǎng)等。預計在2028年達到90%車聯(lián)網(wǎng)覆蓋，主要由進階聯(lián)網(wǎng)技術與資安解決方案驅動車聯(lián)網(wǎng)產業(yè)成長；加上芯片大廠高通近期收購Autotalks后成為車聯(lián)網(wǎng)市場領導者，預計推出多樣化車聯(lián)網(wǎng)產品。（文：集邦咨詢）
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]]>根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，從產業(yè)結構來看，中國的SiC功率半導體產值以功率元件業(yè)（包含F(xiàn)abless、IDM以及Foundry）占比最高，達42.4%，接續(xù)為襯底片制造業(yè)及外延片制造業(yè)。
對于SiC襯底及外延材料環(huán)節(jié)，中國廠商已逐漸贏得海外領先業(yè)者的認可，并在供應鏈中享有可觀的份額，尤其體現(xiàn)在外延片環(huán)節(jié)。須留意的是，在SiC晶體厚度與一致性指標上，本土廠商仍需付出諸多努力，以期實現(xiàn)在汽車電驅系統(tǒng)等更多高端場景中的應用。當前中國正在展開大規(guī)模的SiC材料擴產行動，TrendForce集邦咨詢預估2023年中國N-Type SiC襯底產能（折合6英寸）可達1020Kpcs，其中以天科合達份額續(xù)居首位。
隨著新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等下游市場的快速爆發(fā)，中國的SiC功率元件市場規(guī)模正在迅速擴大。據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，按2022年應用結構來看，光伏儲能為中國SiC市場最大應用場景，占比約38.9%，接續(xù)為汽車、工業(yè)以及充電樁等。當然，汽車市場作為未來發(fā)展主軸，即將超越光伏儲能應用，其份額至2026年有望攀升至60.1%。
在此情況下，中國已有約70家廠商切入SiC功率元件業(yè)務，整體市場進入高度競爭階段。尤其針對低階二極管，不少廠商深感無力而陸續(xù)退出，進一步聚焦凸顯核心競爭力的MOSFET業(yè)務。
再觀察SiC晶圓產線情況，據(jù)TrendForce集邦咨詢不完全統(tǒng)計，截至3Q23，中國已有約24家廠商涉足SiC晶圓制造。其中IDM廠商15家，7家實現(xiàn)量產；Foundry廠商9家，5家實現(xiàn)量產。以各家晶圓產能來看，三安光電與積塔半導體分別位居IDM與Foundry廠商首位。
整體來看，盡管中國SiC晶圓廠產能擴張的步伐仍在繼續(xù)，但有效的MOSFET產能并不理想。TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計2022年由中國廠商釋放的SiC MOSFET晶圓產能尚不足全球10%，不過這一情況預計自4Q23開始會有所好轉。
以下為TrendForce集邦咨詢《2023 SiC功率半導體市場分析報告-Part2》報告目錄：
