據(jù)介紹，美迪凱微電子的年產(chǎn)20億顆（件、套）半導(dǎo)體器件建設(shè)項(xiàng)目和美迪凱光學(xué)半導(dǎo)體的半導(dǎo)體晶圓制造及封測項(xiàng)目都在按計(jì)劃推進(jìn)；公司射頻芯片主要為設(shè)計(jì)公司代工，Normal SAW、TC-SAW、TF-SAW均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，包括晶圓制造和封裝測試；BAW項(xiàng)目諧振器收集已完成，已開始全流程樣品試做；公司第三代半導(dǎo)體封測已實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

官網(wǎng)資料顯示，杭州美迪凱光電科技股份有限公司成立于2010年8月，是一家從事光學(xué)光電子、半導(dǎo)體光學(xué)、半導(dǎo)體微納電路、智能終端的研發(fā)、制造和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。

在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的趨勢下，封測領(lǐng)域不時(shí)傳出廠商新動態(tài)，近期三菱電機(jī)、晶能微電子等企業(yè)都披露了新進(jìn)展。

11月20日，據(jù)三菱電機(jī)官網(wǎng)消息，三菱電機(jī)將投資約100億日元（約4.67億人民幣）在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封裝與測試工廠。該工廠最初于2023年3月14日宣布，預(yù)計(jì)于2026年10月開始運(yùn)營。

另據(jù)溫嶺發(fā)布消息，近日，晶能微電子車規(guī)級半導(dǎo)體封測基地二期項(xiàng)目正式開工。據(jù)悉，2023年5月，溫嶺新城開發(fā)區(qū)與晶能微電子簽約車規(guī)級半導(dǎo)體封測基地項(xiàng)目，項(xiàng)目共分兩期實(shí)施建設(shè)。其中，一期擴(kuò)建項(xiàng)目主要建設(shè)一條車規(guī)級Si/SiC器件先進(jìn)封裝產(chǎn)線，已于今年7月正式投產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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目前，功率氮化鎵在消費(fèi)電子領(lǐng)域應(yīng)用已漸入佳境，并正在逐步向各類應(yīng)用場景滲透。整體來看，功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入快速發(fā)展階段。

功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀淺析

從技術(shù)方面來看，9月11日英飛凌宣布，其已成功開發(fā)出全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓。英飛凌表示，12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效率顯著提升。

12英寸氮化鎵技術(shù)的一大優(yōu)勢是可以利用現(xiàn)有的12英寸硅晶圓制造設(shè)備，有利于加快全面規(guī)?；慨a(chǎn)并降低產(chǎn)線建設(shè)成本。

從產(chǎn)業(yè)化方面來看，消費(fèi)電子仍然是功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機(jī)等領(lǐng)域。

在當(dāng)前十分火熱的新能源汽車領(lǐng)域，越來越多的氮化鎵相關(guān)廠商開始探索氮化鎵車用可能性。其中，車載充電機(jī)（OBC）被視為最佳突破點(diǎn)，第一個(gè)符合汽車AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的功率氮化鎵產(chǎn)品在2017年發(fā)布，截至目前，已有多家廠商推出豐富的汽車級產(chǎn)品。

AI技術(shù)的演進(jìn)，帶動算力需求持續(xù)攀升，CPU/GPU的功耗問題日益顯著。為了應(yīng)對更高端的AI運(yùn)算，服務(wù)器電源的效能、功率密度必須進(jìn)一步提高，氮化鎵已成為關(guān)鍵解決技術(shù)之一。

而在機(jī)器人等電機(jī)驅(qū)動場景，氮化鎵的應(yīng)用潛力也正在逐漸浮現(xiàn)。TI、EPC等持續(xù)推動著氮化鎵于電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域的應(yīng)用，并不斷吸引新玩家進(jìn)入。

從市場規(guī)模來看，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，功率氮化鎵產(chǎn)業(yè)正處于關(guān)鍵的突圍時(shí)刻，幾大潛力應(yīng)用同步推動著產(chǎn)業(yè)規(guī)模加速成長。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場分析報(bào)告》顯示，2023年全球氮化鎵功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長率）高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動等場景為核心。

“助燃”機(jī)器人產(chǎn)業(yè)，為什么是氮化鎵？

從氮化鎵功率器件市場規(guī)模數(shù)據(jù)不難看出，盡管目前功率氮化鎵的主戰(zhàn)場仍然是消費(fèi)電子市場，但未來在汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動等場景的應(yīng)用能見度較高，規(guī)模有望占據(jù)半壁江山。

而在除消費(fèi)電子之外的各類潛力應(yīng)用場景中，以電機(jī)驅(qū)動為基礎(chǔ)的機(jī)器人產(chǎn)業(yè)特別是人形機(jī)器人領(lǐng)域是功率氮化鎵當(dāng)前導(dǎo)入進(jìn)度較慢但未來有著廣闊應(yīng)用空間的市場。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，在2025年各機(jī)器人大廠逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的前提下，預(yù)估2027年全球人形機(jī)器人市場產(chǎn)值有望超越20億美元，2024年至2027年間的市場規(guī)模年復(fù)合成長率將達(dá)154%。

人形機(jī)器人市場規(guī)模增長的原因是多方面的，包括科技進(jìn)步、市場需求、政策支持等。從技術(shù)方面來看，機(jī)器人的核心系統(tǒng)構(gòu)成包括傳感系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電機(jī)系統(tǒng)以及電池系統(tǒng)。這其中，氮化鎵有非常豐富的應(yīng)用場景，包括電機(jī)控制、激光雷達(dá)系統(tǒng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池BMS等。

人形機(jī)器人的動力核心是電機(jī)與電機(jī)驅(qū)動芯片，電機(jī)驅(qū)動芯片是電機(jī)實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)高效控制的關(guān)鍵，這也是電機(jī)驅(qū)動芯片導(dǎo)入氮化鎵技術(shù)的最主要原因。氮化鎵技術(shù)導(dǎo)入電機(jī)驅(qū)動芯片后，為機(jī)器人驅(qū)動系統(tǒng)提供了更高的能效比、更優(yōu)的熱管理和更合理化的設(shè)計(jì)。

具體來看，氮化鎵器件的應(yīng)用，提升了系統(tǒng)整體效率、減輕了重量和體積、延長了機(jī)器人使用壽命并增強(qiáng)其在各種工作環(huán)境中的可靠性。

而在激光雷達(dá)系統(tǒng)中，使用氮化鎵器件與使用傳統(tǒng)的硅器件相比，展現(xiàn)出了更快的響應(yīng)速度和更低的功耗，使得雷達(dá)系統(tǒng)能夠以更窄的脈沖寬度、更大的峰值電流和更高的功率運(yùn)行，從而顯著提升圖像的分辨率和系統(tǒng)的整體表現(xiàn)。

整體來看，氮化鎵功率器件正在機(jī)器人的運(yùn)動、感官等重要零部件發(fā)揮作用，推動機(jī)器人的普及應(yīng)用。

部分功率器件大廠進(jìn)軍機(jī)器人領(lǐng)域

在機(jī)器人產(chǎn)業(yè)氮化鎵應(yīng)用需求驅(qū)動下，TI、EPC、納微、東漸氮化鎵等企業(yè)圍繞機(jī)器人應(yīng)用開始了在氮化鎵業(yè)務(wù)方面的新一輪群雄逐鹿，并各自取得了一定的成果。

TI在今年7月推出了適用于電機(jī)集成式伺服驅(qū)動器和機(jī)器人應(yīng)用的48V、850W小型三相氮化鎵逆變器參考設(shè)計(jì)TIDA-010936。同月，東漸氮化鎵與海神機(jī)器人簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同研發(fā)新一代高性能芯片，以推進(jìn)智慧物業(yè)管理機(jī)器人場景應(yīng)用。

8月在PCIM Asia 2024展會上，EPC展示了一款人形機(jī)器人樣品。該機(jī)器人中的一些關(guān)節(jié)組件采用了氮化鎵技術(shù)。

10月，納微半導(dǎo)體正式發(fā)布了新一代高度集成的氮化鎵功率芯片GaNSlim系列，納微開啟進(jìn)入48V AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車和機(jī)器人市場。

此外，今年國內(nèi)也有一起工業(yè)機(jī)器人搭載氮化鎵技術(shù)的案例落地——新工綠氫在年初推出自主研發(fā)設(shè)計(jì)的“天工一號”自動駕駛充電機(jī)器人。

總結(jié)

盡管目前已有不少氮化鎵相關(guān)廠商涉足機(jī)器人領(lǐng)域，但短期內(nèi)氮化鎵技術(shù)在機(jī)器人場景的應(yīng)用仍然面臨挑戰(zhàn)。

相較于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體材料，氮化鎵的制備成本較高，這主要是由于其制備過程需要昂貴的原材料和設(shè)備，以及較高的能耗。如何降低氮化鎵的制備成本，提高其市場競爭力，是氮化鎵市場應(yīng)用當(dāng)前面臨的挑戰(zhàn)之一；此外，如何提高氮化鎵器件的穩(wěn)定性和壽命，確保其在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性，也是當(dāng)前研究的重點(diǎn)。

隨著成本的進(jìn)一步下探以及可靠性持續(xù)提升，氮化鎵技術(shù)將向AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、機(jī)器人等要求更嚴(yán)苛的領(lǐng)域進(jìn)一步滲透。

長遠(yuǎn)來看，機(jī)器人特別是人形機(jī)器人的大規(guī)模應(yīng)用，將使人們的生活更加便捷和舒適，未來發(fā)展?jié)摿薮螅熬笆枪饷鞯?。隨著人形機(jī)器人市場規(guī)模的持續(xù)增長，氮化鎵產(chǎn)業(yè)有望吃到又一波紅利。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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source：巴中經(jīng)開區(qū)

據(jù)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人介紹，第一批58臺設(shè)備主要是封裝前端固晶、共晶熱機(jī)設(shè)備，用于芯片生產(chǎn)的粘片工序，預(yù)計(jì)在下周還將到達(dá)第二批設(shè)備，主要是焊線、塑封、測試等設(shè)備，整線設(shè)備到達(dá)后將進(jìn)行安裝調(diào)試。

據(jù)悉，該項(xiàng)目由四川深矽微科技有限公司投資建設(shè)，計(jì)劃總投資3億元，分兩期建設(shè)，一期使用巴中經(jīng)開區(qū)東西部協(xié)作產(chǎn)業(yè)園二期標(biāo)準(zhǔn)化廠房6000平方米，主要建設(shè)車規(guī)級功率器件以及部分芯片級封裝生產(chǎn)線；二期入駐巴中低空經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園，使用廠房2萬平方米，建設(shè)高密度封裝生產(chǎn)線、設(shè)計(jì)開發(fā)高密度模具和引線框架生產(chǎn)基地。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：Carbontech

據(jù)報(bào)道，Diamond Foundry Europe位于西班牙特魯希略的晶圓廠計(jì)劃于2025年開始生產(chǎn)單晶金剛石芯片。該晶圓廠將采用等離子體反應(yīng)器技術(shù)生產(chǎn)人造金剛石晶片。

金剛石不僅硬度驚人，還擁有卓越的導(dǎo)熱性能、極高的電子遷移率，擁有耐高壓、大射頻、低成本、耐高溫等多重優(yōu)異性能參數(shù)，以及其他優(yōu)異的物理特性。

具體來看，金剛石半導(dǎo)體具有超寬禁帶（5.45eV）、高擊穿場強(qiáng)（10MV/cm）、高載流子飽和漂移速度、高熱導(dǎo)率（2000W/m·k）等材料特性，以及優(yōu)異的器件品質(zhì)因子（Johnson、Keyes、Baliga），采用金剛石襯底可研制高溫、高頻、大功率、抗輻照電子器件，克服器件的“自熱效應(yīng)”和“雪崩擊穿”等技術(shù)瓶頸。

此外，金剛石擁有優(yōu)異的物理特性，在光學(xué)領(lǐng)域具有良好透光性和折射率，適用于光電器件的研發(fā)；電學(xué)方面，其絕緣性能和介電常數(shù)使其在復(fù)雜電路中發(fā)揮穩(wěn)定作用；機(jī)械性能方面，高強(qiáng)度和耐磨性確保芯片能夠承受極端工作條件。

這些特性使得金剛石在芯片制造領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力，常被用于高功率密度、高頻率電子器件的散熱。金剛石半導(dǎo)體被認(rèn)為是極具前景的新型半導(dǎo)體材料，被業(yè)界譽(yù)為“終極半導(dǎo)體材料”。

全球范圍內(nèi)，對金剛石半導(dǎo)體的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作正在如火如荼地進(jìn)行。從Element Six贏得UWBGS項(xiàng)目，到華為積極布局金剛石半導(dǎo)體技術(shù)，從Diamond Foundry在2022年收購德國的Audiatec公司后培育出全球首個(gè)單晶金剛石晶圓，到Advent Diamond在金剛石摻磷技術(shù)上的突破，再到法國Diamfab計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)4英寸金剛石晶圓的量產(chǎn)，以及日本、美國、韓國等國家的全面發(fā)力，金剛石半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程正在持續(xù)向前推進(jìn)。

在國內(nèi)，啟晶科技、科之誠等金剛石晶圓企業(yè)，已經(jīng)成功研制出大尺寸、高質(zhì)量的金剛石晶圓片。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：長飛先進(jìn)

據(jù)介紹，長飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個(gè)環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等。目前，長飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目正推進(jìn)建設(shè)并對設(shè)備進(jìn)行安裝調(diào)試，預(yù)計(jì)2025年5月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)通線。

據(jù)長飛先進(jìn)官微此前消息，長飛先進(jìn)武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等。項(xiàng)目投產(chǎn)后可年產(chǎn)36萬片碳化硅晶圓及外延、6100萬個(gè)功率器件模塊，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等領(lǐng)域。

據(jù)了解，近期除長飛先進(jìn)武漢基地外，還有2個(gè)碳化硅芯片/模塊項(xiàng)目披露了最新進(jìn)展，分別位于江蘇東臺、福建廈門。

11月21日，相關(guān)環(huán)保網(wǎng)披露的文件顯示，士蘭微旗下廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司碳化硅功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目已驗(yàn)收。該項(xiàng)目依托現(xiàn)有廠房，新增一條SiC產(chǎn)線，主要生產(chǎn)SiC功率芯片產(chǎn)品。項(xiàng)目新增SiC產(chǎn)能規(guī)模為MOSFET芯片28.8萬片/年、SBD芯片28.8萬片/年。

12月6日，瑞福芯科技“車規(guī)級SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”落地東臺高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，公司與東臺高新區(qū)正式簽署了《投資協(xié)議》、《補(bǔ)充協(xié)議》。投資協(xié)議顯示，整個(gè)項(xiàng)目投資10-15億元，分兩期實(shí)施，首期投資3億元。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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環(huán)球晶圓表示，補(bǔ)助將用于支持公司位于德州謝爾曼市（Texas）及密蘇里州圣彼得斯市（ Missouri）的先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓廠40億美元投資計(jì)劃。美國商務(wù)部將根據(jù)GWA和MEMC完成各項(xiàng)專案里程碑的情況，于數(shù)年內(nèi)分次發(fā)放該項(xiàng)補(bǔ)助。

此外，作為獎勵(lì)條款的一部分，環(huán)球晶圓已同意將其位于德州謝爾曼市的部分現(xiàn)有硅外延晶圓產(chǎn)線改為碳化硅外延晶圓產(chǎn)線，制造6英寸（150mm）或8英寸（200mm）碳化硅外延。

source：環(huán)球晶圓

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域布局方面，環(huán)球晶圓旗下業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅和氮化鎵。碳化硅方面，環(huán)球晶圓在中國臺灣生產(chǎn)碳化硅襯底，在美國德州生產(chǎn)6英寸和8英寸碳化硅外延。

據(jù)悉，其碳化硅產(chǎn)品已通過一線大廠認(rèn)證。針對碳化硅襯底，公司的制造產(chǎn)能主要在中國臺灣。

環(huán)球晶圓此前表示，待該地滿載后，出于對美國德州電費(fèi)和土地成本的考量，公司不排除在德州進(jìn)行長晶業(yè)務(wù)。氮化鎵方面，環(huán)球晶母公司中美晶在2021年投資的氮化鎵廠商Transphorm已被日本瑞薩收購，環(huán)球晶圓目前與其保持合作關(guān)系。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)報(bào)道，格力芯片工廠是一座投資近百億元建設(shè)的碳化硅芯片工廠。該項(xiàng)目于2022年12月開始打樁建設(shè)，2023年4月開始鋼結(jié)構(gòu)吊裝，當(dāng)年10月設(shè)備移入，12個(gè)月實(shí)現(xiàn)通線。項(xiàng)目規(guī)劃占地面積600畝，包含芯片工廠、封測工廠以及配套的半導(dǎo)體檢測中心和超級能源站。

值得一提的是，該項(xiàng)目關(guān)鍵核心工藝國產(chǎn)化設(shè)備導(dǎo)入率超過70%，據(jù)稱是全球第二組、亞洲第一座全自動化第三代半導(dǎo)體芯片制造工廠，同時(shí)，成為全球首個(gè)導(dǎo)人全自動缺陷檢測方案的碳化硅芯片制造工廠。

近年來，格力持續(xù)加碼在芯片領(lǐng)域的布局。2012年，格力建設(shè)全國第一條國產(chǎn)化IPM功率模塊線；2018年，其成立珠海零邊界集成電路有限公司；同年格力電器與長安汽車等8家企業(yè)合資成立湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司；2019年，格力斥資30億入股聞泰科技參與完成安世半導(dǎo)體的收購；2020年，格力電器入股三安光電；2022年成立格力電子元器件有限公司。目前，格力在芯片領(lǐng)域已形成較完整的產(chǎn)業(yè)布局。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：長江新區(qū)

資料顯示，金信新材料主要研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體碳化硅晶錠、半導(dǎo)體超高純碳化硅粉料及超純碳化硅結(jié)構(gòu)件等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于芯片和光伏領(lǐng)域。

金信新材料董事長董世昌表示，金信新材料攻克了碳化硅原料超高純度提純以及6到8英寸碳化硅晶錠生產(chǎn)的技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)了8英寸碳化硅襯底材料的規(guī)模化生產(chǎn)。

據(jù)悉，大尺寸高純度碳化硅晶錠指的是一種尺寸較大、純度較高的碳化硅晶體材料，通常呈圓柱形或長方體形。這種晶錠可用于制備高純度、高性能的碳化硅單晶和多晶材料，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、電子、電力、航空航天等領(lǐng)域。

圍繞8英寸碳化硅晶錠，國內(nèi)企業(yè)在材料和設(shè)備方面都有突破。材料方面，今年2月，中宜創(chuàng)芯公司實(shí)驗(yàn)室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶晶錠；設(shè)備方面，今年8月，江蘇通用半導(dǎo)體有限公司自主研發(fā)的國內(nèi)首套8英寸碳化硅晶錠激光全自動剝離設(shè)備正式交付碳化硅襯底生產(chǎn)領(lǐng)域頭部企業(yè)，并投入生產(chǎn)。

值得一提的是，今年9月，世界首款碳化硅AR眼鏡鏡片亮相。它外形與日常太陽鏡無異，但與傳統(tǒng)AR眼鏡鏡片相比，更加輕薄，單片重量只有2.7克、厚度僅0.55毫米。而據(jù)金信新材料董事長董世昌介紹，目前，金信新材料還在著手開發(fā)AI產(chǎn)業(yè)用AR鏡片。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：X-fab

X-fab介紹，XbloX整合了經(jīng)過驗(yàn)證的SiC工藝開發(fā)模塊和平面MOSFET生產(chǎn)的模塊，簡化了入門流程，并顯著降低了設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)和產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間。

通過將經(jīng)過驗(yàn)證的工藝模塊與強(qiáng)大的設(shè)計(jì)規(guī)則、控制計(jì)劃和失效模式及影響分析（FMEA）相結(jié)合，XbloX實(shí)現(xiàn)了更快的原型制作、更簡便的設(shè)計(jì)評估和更短的市場上市時(shí)間。該平臺為客戶提供了競爭優(yōu)勢，允許設(shè)計(jì)師創(chuàng)建多樣化的產(chǎn)品組合，同時(shí)比傳統(tǒng)開發(fā)方法提前多達(dá)九個(gè)月實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)。

新一代平臺在保持穩(wěn)健的工藝控制以及漏電和擊穿性能的同時(shí)，減小了活動區(qū)域設(shè)計(jì)單元尺寸。XSICM03平臺憑借穩(wěn)健的設(shè)計(jì)規(guī)則，允許客戶創(chuàng)建單元間距比上一代小25%以上的SiC平面MOSFET。

這一改進(jìn)使得每片晶圓的芯片數(shù)量比上一代增多30%。利用經(jīng)過驗(yàn)證的工藝模塊，平臺確保了柵氧可靠性和器件穩(wěn)健性。豐富的PCM庫和增強(qiáng)的設(shè)計(jì)支持使得客戶能夠快速流片，從而加速產(chǎn)品開發(fā)。

X-fab Texas的首席執(zhí)行官Rico Tillner評論道：“通過其簡化的方法，我們的下一代工藝平臺滿足了汽車、工業(yè)和能源應(yīng)用中對高性能SiC器件日益增長的需求。公司通過加速原型制作和設(shè)計(jì)評估，使現(xiàn)有和新客戶能夠創(chuàng)建應(yīng)用優(yōu)化的產(chǎn)品組合，顯著縮短上市時(shí)間。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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2024年12月18日至12月23日招股，預(yù)期定價(jià)日為12月24日，預(yù)期股份將于12月30日開始在聯(lián)交所買賣。

source：英諾賽科

文件顯示，英諾賽科已與基石投資者意法半導(dǎo)體（“ST”）、江蘇國有企業(yè)混合所有制改革基金(有限合伙)（“江蘇國企混改基金”）、江蘇蘇州高端裝備產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)母基金(有限合伙)（蘇州高端裝備）及蘇州東方創(chuàng)聯(lián)投資管理有限公司（“東方創(chuàng)聯(lián)”）訂立基石投資協(xié)議。

基石投資者已同意在若干條件規(guī)限下，按發(fā)售價(jià)認(rèn)購或促使其指定實(shí)體認(rèn)購（視情況而定）有關(guān)數(shù)目的發(fā)售股份，購入總金額為1億美元（折合人民幣約7.28億元）。

目前，公司主要股東有深圳市招銀成長拾柒號股權(quán)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)、Inno Holding、SK China、蘇州市吳江產(chǎn)業(yè)投資有限公司、深圳華業(yè)天成投資有限公司、駱薇薇、JAY HYUNG SON。

據(jù)悉，英諾賽科此次募集資金主要用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)能、產(chǎn)品組合以及研發(fā)等，具體如下：

一、約60%用來擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能（從截至2024年6月30日的每月12,500片晶圓增加至未來五年的每月70,000片晶圓）、購買及升級生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器以及招聘生產(chǎn)人員。

二、約20.0%將用于研發(fā)及擴(kuò)大公司的產(chǎn)品組合，以提高氮化鎵產(chǎn)品在終端市場（如消費(fèi)電子產(chǎn)品、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心）的滲透率。英諾賽科計(jì)劃推出新產(chǎn)品，包括低電壓及高電壓氮化鎵晶圓、分立器件及集成電路。

三、約10%將用于擴(kuò)大英諾賽科氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò)。四、約10.0%將用于公司運(yùn)營資金及其他一般企業(yè)用途。集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理

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