中電化合物半導(dǎo)體取得一種晶片貫穿型缺陷的檢測(cè)方法及裝置專利

中電化合物半導(dǎo)體有限公司取得一項(xiàng)名為“一種晶片貫穿型缺陷的檢測(cè)方法及裝置”的專利，授權(quán)公告日為今年1月21日，申請(qǐng)日期為2021年11月11日。

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種晶片貫穿型缺陷的檢測(cè)方法及裝置，具體涉及半導(dǎo)體缺陷的檢測(cè)領(lǐng)域。本發(fā)明的檢測(cè)方法包括以下步驟：提供一晶片容納裝置；將涂覆有第一溶液和第二溶液的待檢測(cè)晶片置于所述晶片容納裝置中；對(duì)裝有待檢測(cè)晶片的晶片容納裝置抽真空并在真空狀態(tài)下保持一段時(shí)間；取出所述待檢測(cè)晶片并觀察其表面的顏色變化。利用晶片兩側(cè)溶液的顏色變化來(lái)判定晶片中貫穿型缺陷的位置。

該方法簡(jiǎn)單易操作，可提高晶片的檢測(cè)效率。本發(fā)明還提供一種晶片貫穿型缺陷的檢測(cè)裝置，該裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作方便。

天科合達(dá)取得一種碳化硅Wafer轉(zhuǎn)移裝置專利

江蘇天科合達(dá)半導(dǎo)體有限公司取得一項(xiàng)名為“一種碳化硅 Wafer 轉(zhuǎn)移裝置”的專利，授權(quán)公告日為2025年1月14日，申請(qǐng)日期為2024年2月。

source：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

專利摘要顯示，本申請(qǐng)涉及碳化硅Wafer轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種碳化硅Wafer轉(zhuǎn)移裝置，包括第一平臺(tái)、第二平臺(tái)、升降導(dǎo)向組件、鎖緊組件；升降導(dǎo)向組件設(shè)置在第一平臺(tái)一側(cè)，第二平臺(tái)滑動(dòng)設(shè)置在升降導(dǎo)向組件上，鎖緊組件與第二平臺(tái)連接且用于將第二平臺(tái)鎖緊在升降導(dǎo)向組件上；第一平臺(tái)用于在頂部設(shè)置第一卡塞，第二平臺(tái)用于在頂部設(shè)置第二卡塞，第一、第二卡塞分別具有用于放置碳化硅Wafer的第一卡槽、第二卡槽，第二平臺(tái)能夠沿升降導(dǎo)向組件升降以將任一第一卡槽與任一第二卡槽在水平方向上對(duì)齊。該轉(zhuǎn)移裝置在應(yīng)用時(shí)，能夠利用第二平臺(tái)的升降使兩卡塞中任意兩卡槽對(duì)齊，實(shí)現(xiàn)在兩卡塞的任意兩卡槽間轉(zhuǎn)移碳化硅Wafer，提升工作效率，避免Wafer掉落，且不易污染 Wafer表面。

安徽格恩申請(qǐng)一種GaN基化合物半導(dǎo)體激光器元件專利

安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種GaN基化合物半導(dǎo)體激光器元件”的專利，申請(qǐng)公布日為今年1月10日，申請(qǐng)日期為2024年10月。

source：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

專利摘要顯示，本發(fā)明提出了一種GaN基化合物半導(dǎo)體激光器元件，包括從下至上依次設(shè)置的襯底、下限制層、下波導(dǎo)層、有源層、上波導(dǎo)層和上限制層，所述下限制層和下波導(dǎo)層之間設(shè)置有電子自旋態(tài)調(diào)控層，設(shè)計(jì)電子自旋態(tài)調(diào)控層中第一電子自旋態(tài)調(diào)控層和第二電子自旋態(tài)調(diào)控層的壓電極化系數(shù)分布，以及下限制層、下波導(dǎo)層、第一電子自旋態(tài)調(diào)控層和第二電子自旋態(tài)調(diào)控層之間壓電極化系數(shù)的關(guān)系。本發(fā)明能夠提升半導(dǎo)體激光器元件性能。

河北同光半導(dǎo)體申請(qǐng)使用偏向籽晶生長(zhǎng)制作碳化硅襯底專利

河北同光半導(dǎo)體股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種使用偏向籽晶生長(zhǎng)制作碳化硅襯底的方法”的專利，申請(qǐng)公布日為今年1月7日，申請(qǐng)日期為2024年10月。

source：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種使用偏向籽晶生長(zhǎng)制作碳化硅襯底的方法，屬于碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域，所述使用偏向籽晶生長(zhǎng)制作碳化硅襯底的方法包括如下步驟：S10：使用偏角大于4°的籽晶作為拼接籽晶，在所述拼接籽晶的外緣取兩個(gè)切割點(diǎn)，以兩個(gè)所述切割點(diǎn)的連線為切割軌跡，沿所述切割軌跡切割所述拼接籽晶，取切割后體積較小的部分為拼接部；S20：取偏角為4°的籽晶作為被拼接籽晶，將所述拼接部拼接在所述被拼接籽晶外周作為生長(zhǎng)籽晶；S30：將所述生長(zhǎng)籽晶置于生長(zhǎng)裝置中進(jìn)行生長(zhǎng)，直至在生長(zhǎng)籽晶的軸向上長(zhǎng)出晶錠；S40：對(duì)所述晶錠進(jìn)行滾圓處理，直至將小面滾掉并呈圓柱形，將圓柱形的晶錠裁切為晶片后作為碳化硅襯底使用。（集邦化合物半導(dǎo)體Flora整理）

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圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

據(jù)悉，新工廠初期將具備每月生產(chǎn)1萬(wàn)片碳化硅晶圓的能力，并計(jì)劃在未來(lái)兩至三年內(nèi)增至每月生產(chǎn)5萬(wàn)片碳化硅晶圓。

2024年以來(lái)，碳化硅產(chǎn)業(yè)在印度市場(chǎng)的熱度持續(xù)上漲，各大廠商動(dòng)作頻頻。

2024年6月中旬，總部位于印度欽奈的SiCSem宣布，計(jì)劃在印度奧里薩邦建立一座涵蓋碳化硅制造、組裝、測(cè)試流程的工廠。

與此同時(shí)，SiCSem與印度理工學(xué)院布巴內(nèi)斯瓦爾分校（IIT-BBS）就化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域研究事宜簽署了合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，雙方之間首個(gè)項(xiàng)目是在IIT-BBS實(shí)現(xiàn)碳化硅晶體生長(zhǎng)的本土化。這一項(xiàng)目專注于6英寸和8英寸碳化硅晶圓的大批量生產(chǎn)，預(yù)估耗資4.5億盧比。

9月4日，美國(guó)Silicon Power Group在印子公司RIR Power Electronics Limited宣布，公司投資62億盧比在印度奧里薩邦建設(shè)的碳化硅制造工廠已奠基動(dòng)工。該工廠將用于生產(chǎn)6英寸碳化硅晶圓，預(yù)計(jì)2025年全面投產(chǎn)。

9月20日，印度Zoho集團(tuán)宣布，計(jì)劃在印度奧里薩邦Khurda區(qū)投資303.4億盧比建設(shè)一座碳化硅制造工廠。該工廠的設(shè)計(jì)將覆蓋整個(gè)碳化硅生產(chǎn)鏈，從晶錠制造到晶圓、MOSFET、模塊，再到后續(xù)的改裝和封裝。工廠年產(chǎn)能預(yù)計(jì)包括7.2萬(wàn)片碳化硅外延晶圓、7.2萬(wàn)個(gè)MOSFET和模塊，產(chǎn)品將應(yīng)用于電動(dòng)汽車、汽車及可再生能源領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：京東方華燦光電

京東方華燦與晶通半導(dǎo)體氮化鎵布局及進(jìn)展

早在2020年，京東方華燦就已進(jìn)入氮化鎵功率器件領(lǐng)域，產(chǎn)品面向多領(lǐng)域應(yīng)用。

京東方華燦義烏工廠氮化鎵功率器件晶圓級(jí)全流程工藝已經(jīng)打通，并在2024年底進(jìn)行封裝級(jí)可靠性評(píng)估和650V GaN產(chǎn)品小批量戰(zhàn)略客戶送樣，預(yù)期2025年Q2進(jìn)行大規(guī)模市場(chǎng)推廣。

晶通半導(dǎo)體成專注于氮化鎵功率器件、氮化鎵集成驅(qū)動(dòng)芯片和氮化鎵肖特基二極管的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，是國(guó)內(nèi)少數(shù)能提供氮化鎵功率器件和驅(qū)動(dòng)芯片共同優(yōu)化及設(shè)計(jì)集成方案的功率半導(dǎo)體公司。其已于2024年9月完成6000萬(wàn)元的Pre-A輪融資。

幾大潛力應(yīng)用推動(dòng)氮化鎵產(chǎn)業(yè)加速成長(zhǎng)

京東方華燦與晶通半導(dǎo)體的合作，瞄準(zhǔn)的是消費(fèi)類、AI數(shù)據(jù)中心、車用、光伏及儲(chǔ)能等市場(chǎng)的多元化需求。

其中，消費(fèi)電子是目前氮化鎵功率器件的主戰(zhàn)場(chǎng)，且正在由PD快充延伸至家電、智能手機(jī)等領(lǐng)域。具體而言，氮化鎵已經(jīng)在低功率的手機(jī)快速充電器中被大規(guī)模采用，下一步氮化鎵將進(jìn)入可靠性要求更為嚴(yán)格的筆電、家電電源等場(chǎng)景。

AI技術(shù)的演進(jìn)，帶動(dòng)算力需求持續(xù)攀升，CPU/GPU的功耗問(wèn)題日益顯著。為了應(yīng)對(duì)更高端的AI運(yùn)算，服務(wù)器電源的能效、功率密度必須進(jìn)一步提高，氮化鎵正在提升服務(wù)器電源能效、功率密度等方面扮演關(guān)鍵角色。

隨著新能源汽車市場(chǎng)的強(qiáng)勢(shì)崛起，碳化硅功率器件大放異彩，而氮化鎵的汽車應(yīng)用亦不斷吸引著業(yè)界關(guān)注，其中車載充電機(jī)（OBC）被視為最佳突破點(diǎn)。第一個(gè)符合車規(guī)級(jí)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的功率氮化鎵產(chǎn)品在2017年由Transphorm（現(xiàn)Renesas-瑞薩電子）發(fā)布，截至目前，已有多家廠商推出汽車級(jí)氮化鎵產(chǎn)品。

此外，在人形機(jī)器人等電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景，氮化鎵的應(yīng)用潛力也正在逐漸浮現(xiàn)。相對(duì)工業(yè)機(jī)器人，人形機(jī)器人由于自由度大幅上升，對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的需求量大幅增加。人形機(jī)器人的關(guān)節(jié)模組承擔(dān)了主要的發(fā)力與制動(dòng)任務(wù)，為了獲得更高的爆發(fā)力，需要配置高功率密度、高效率、高響應(yīng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，氮化鎵技術(shù)因此受到關(guān)注，特別是在腿部等負(fù)載較高的部位。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，2023年全球氮化鎵功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長(zhǎng)率）高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。

氮化鎵加速“上車”

目前看來(lái)，氮化鎵功率器件的多元化應(yīng)用趨勢(shì)已不可阻擋，未來(lái)具有較高能見(jiàn)度的應(yīng)用市場(chǎng)較多，但根據(jù)最新的產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)，氮化鎵車用探索似乎走的更遠(yuǎn)。

2024年12月，業(yè)內(nèi)披露了2起關(guān)于車用氮化鎵的合作，包括羅姆與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)車用氮化鎵器件、氮化鎵器件廠商VisIC與移動(dòng)技術(shù)公司AVL共同研發(fā)電動(dòng)汽車（EV）用高效率氮化鎵逆變器技術(shù)。

在火熱的新能源汽車市場(chǎng)，豐田、寶馬等車企以及氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)已開(kāi)始將氮化鎵用于汽車場(chǎng)景，特別是在OBC和高壓直流轉(zhuǎn)換器等關(guān)鍵部位。有數(shù)據(jù)顯示，將氮化鎵器件應(yīng)用于新能源汽車的OBC、DC-DC轉(zhuǎn)換器等部件時(shí)，可在節(jié)能70%的同時(shí)使充電效率達(dá)到98%，增加5%續(xù)航。

隨著氮化鎵耐壓能力的進(jìn)一步提升，在可承受800V甚至1200V高電壓而又具備更高性價(jià)比時(shí)，氮化鎵車用范圍有望進(jìn)一步擴(kuò)大，進(jìn)而提高在新能源汽車市場(chǎng)滲透率。

小結(jié)

盡管氮化鎵產(chǎn)業(yè)未來(lái)將保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，但市場(chǎng)體量仍然較小，短期內(nèi)的發(fā)展阻力相對(duì)較大，有限的資源將更多流向重磅玩家，產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷整合期，在2024年誕生了多起收并購(gòu)事件。

除了并購(gòu)整合，攜手合作、共同開(kāi)拓市場(chǎng)也是破局的可行之法，例如京東方華燦和晶通半導(dǎo)體的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，有利于實(shí)現(xiàn)降本增效和協(xié)同發(fā)展。展望2025年，氮化鎵產(chǎn)業(yè)或?qū)鞒龈嗪献飨灿崱＃ㄎ模杭罨衔锇雽?dǎo)體Zac）

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圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

公告顯示，投資標(biāo)的中微半導(dǎo)體設(shè)備（成都）有限公司將于2025年2月成立，注冊(cè)資本1億元。該項(xiàng)目用地約50畝，建設(shè)包含研發(fā)中心、生產(chǎn)基地和配套設(shè)施。項(xiàng)目計(jì)劃2025年開(kāi)工，2027年投入生產(chǎn)，2025年至2030年期間，項(xiàng)目總投資約30.5億元。

中微公司表示，項(xiàng)目公司將面向高端邏輯及存儲(chǔ)芯片，開(kāi)展化學(xué)氣相沉積設(shè)備、原子層沉積設(shè)備及其他關(guān)鍵設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)工作。項(xiàng)目的實(shí)施將有助于公司擴(kuò)展集成電路設(shè)備業(yè)務(wù)范圍，增強(qiáng)技術(shù)研發(fā)能力，提升市場(chǎng)占有率。

與此同時(shí)，中微公司發(fā)布了2024年業(yè)績(jī)預(yù)告。其預(yù)計(jì)2024年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收約90.65億元，較2023年增加約28.02億元，同比增長(zhǎng)約44.73%。其中，2024年刻蝕設(shè)備銷售約72.76億元，同比增長(zhǎng)約54.71%；MOCVD設(shè)備銷售約3.79億元，同比下降約18.11%；LPCVD薄膜設(shè)備2024年實(shí)現(xiàn)首臺(tái)銷售，全年設(shè)備銷售約1.56億元。

中微公司預(yù)計(jì)2024年度實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)為15.00-17.00億元；預(yù)計(jì)2024年度實(shí)現(xiàn)歸母扣非凈利潤(rùn)為12.80億元至14.30億元，同比增加約7.43%至20.02%。

關(guān)于業(yè)績(jī)預(yù)增原因，中微公司表示，其近兩年新開(kāi)發(fā)的LPCVD薄膜設(shè)備和ALD薄膜設(shè)備，目前已有多款新型設(shè)備產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)并獲得重復(fù)性訂單。其中，LPCVD薄膜設(shè)備累計(jì)出貨量已突破100個(gè)反應(yīng)臺(tái)，其他多個(gè)關(guān)鍵薄膜沉積設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目正在順利推進(jìn)；EPI設(shè)備已順利進(jìn)入客戶端量產(chǎn)驗(yàn)證階段。此外，其在Micro-LED和高端顯示領(lǐng)域的MOCVD設(shè)備開(kāi)發(fā)上取得了良好進(jìn)展，并積極布局用于碳化硅和氮化鎵基功率器件應(yīng)用的市場(chǎng)。

值得一提的是，半導(dǎo)體設(shè)備廠商盛美上海也在14日發(fā)布了2024年業(yè)績(jī)預(yù)告。2024年，盛美上海預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收56-58.8億元，同比增長(zhǎng)44.02%-51.22%。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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根據(jù)報(bào)告，北方華創(chuàng)預(yù)計(jì)2024年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收276-317.8億元，同比增長(zhǎng)25.00%-43.93%；歸母凈利潤(rùn)51.7-59.5億元，同比增長(zhǎng)32.60%-52.60%；歸母扣非凈利潤(rùn)51.2-58.9億元，同比增長(zhǎng)42.96%-64.46%。

關(guān)于業(yè)績(jī)預(yù)增原因，北方華創(chuàng)表示，2024年，其電容耦合等離子體刻蝕設(shè)備（CCP）、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD）、原子層沉積立式爐、堆疊式清洗機(jī)等多款新產(chǎn)品進(jìn)入客戶生產(chǎn)線并實(shí)現(xiàn)批量銷售，豐富了公司的產(chǎn)品矩陣，增強(qiáng)了產(chǎn)品布局的完整性。

據(jù)悉，隨著全球半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，與半導(dǎo)體設(shè)備廠商北方華創(chuàng)業(yè)務(wù)布局范圍高度重合的中微公司、盛美上海等廠商紛紛業(yè)績(jī)報(bào)喜。

根據(jù)中微公司發(fā)布的2024年第三季度報(bào)告。中微公司Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收20.59億元，同比增長(zhǎng)35.96%；歸母凈利潤(rùn)3.96億元，同比增長(zhǎng)152.63%；歸母扣非凈利潤(rùn)3.30億元，同比增長(zhǎng)53.79%。

2024年Q3，盛美上海實(shí)現(xiàn)營(yíng)收15.73億元，同比增長(zhǎng)37.96%；歸母凈利潤(rùn)3.15億元，同比增長(zhǎng)35.09%；歸母扣非凈利潤(rùn)3.06億元，同比增長(zhǎng)31.41%。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：每日舟山

據(jù)悉，該項(xiàng)目計(jì)劃總投資5億元，其中一期總投資約1億元，一期全部投產(chǎn)后預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值約5億元。

作為該項(xiàng)目投資方，芯干線成立于2020年10月，專注于第三代半導(dǎo)體功率器件及模塊設(shè)計(jì)研發(fā)，產(chǎn)品線包括增強(qiáng)型氮化鎵功率器件（X-GaN），碳化硅功率器件（X-SiC）以及第三代半導(dǎo)體電源模塊。

據(jù)了解，近期還有多個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目簽約落地，包括第三代半導(dǎo)體芯片制造項(xiàng)目和車規(guī)級(jí)SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

在近期舉辦的浙西南革命老區(qū)發(fā)展論壇主旨會(huì)議上，浙江麗水舉辦項(xiàng)目簽約儀式，其中包括一個(gè)第三代半導(dǎo)體芯片制造項(xiàng)目。該項(xiàng)目總投資23億元，屬于新能源汽車、智能電網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)鏈上游，將建設(shè)芯片制造生產(chǎn)線，布局外延制造、封裝測(cè)試等生產(chǎn)線。

12月6日，瑞福芯科技“車規(guī)級(jí)SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”簽約落地落地浙江東臺(tái)高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)。投資協(xié)議顯示，整個(gè)項(xiàng)目投資10-15億元，分兩期實(shí)施，首期投資3億元。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：杰平方半導(dǎo)體

據(jù)介紹，杰立方半導(dǎo)體晶圓廠項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資約69億港元（約65億人民幣），將建立香港首座第三代半導(dǎo)體碳化硅8英寸晶圓廠，計(jì)劃于2026年正式投產(chǎn)。達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)24萬(wàn)片晶圓，將能滿足150萬(wàn)輛新能源車的生產(chǎn)需求，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值將超過(guò)110億港元。

作為該項(xiàng)目投資方，杰立方半導(dǎo)體成立于2023年10月，是杰平方半導(dǎo)體的全資子公司。杰平方半導(dǎo)體聚焦車載芯片研發(fā)設(shè)計(jì)，主要面向電能轉(zhuǎn)換、通信等領(lǐng)域，提供高性能碳化硅芯片、車載以太網(wǎng)芯片等產(chǎn)品。

據(jù)了解，第三代半導(dǎo)體是香港近年來(lái)重點(diǎn)發(fā)展的科技領(lǐng)域。

2024年5月，香港立法會(huì)財(cái)務(wù)委員會(huì)批準(zhǔn)了高達(dá)28.4億港元（約26.75億人民幣）的撥款，用于設(shè)立一個(gè)專注于半導(dǎo)體研發(fā)的中心——香港微電子研發(fā)院。香港微電子研發(fā)院將專注支持第三代半導(dǎo)體，包括碳化硅和氮化鎵，該研究中心將率先在大學(xué)、研發(fā)中心和業(yè)界之間就第三代半導(dǎo)體進(jìn)行合作。

2023年10月，香港科技園與杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄，雙方將在香港科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開(kāi)設(shè)香港首家碳化硅8英寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠。

2024年7月底，香港科技園與麻省光子技術(shù)(香港)有限公司聯(lián)合舉行香港首條超高真空第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延片中試線啟動(dòng)儀式。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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公開(kāi)資料顯示，該公司經(jīng)營(yíng)范圍含電子專用材料制造、集成電路芯片及產(chǎn)品制造、半導(dǎo)體分立器件制造、電子專用材料研發(fā)、電子專用材料銷售、半導(dǎo)體分立器件銷售等。

立昂微成立于2002年3月，專注于集成電路用半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體功率芯片、集成電路芯片設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、制造、銷售。其主營(yíng)業(yè)務(wù)主要分三大板塊，分別是半導(dǎo)體硅片、半導(dǎo)體功率器件芯片、化合物半導(dǎo)體射頻芯片。

據(jù)了解，2024年下半年以來(lái)，除立昂微外，還有多家功率器件廠商成立了新公司。

其中，時(shí)代電氣旗下中車時(shí)代半導(dǎo)體于9月26日全資成立了合肥中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司，注冊(cè)資本3.1億人民幣，經(jīng)營(yíng)范圍含半導(dǎo)體分立器件制造、半導(dǎo)體分立器件銷售等。

揚(yáng)杰科技于11月1日全資成立了揚(yáng)州東興揚(yáng)杰研發(fā)有限公司，注冊(cè)資本500萬(wàn)人民幣，經(jīng)營(yíng)范圍含電力電子元器件銷售、電子產(chǎn)品銷售、新材料技術(shù)研發(fā)等。

宏微科技等于11月26日成立了上海宏微愛(ài)賽半導(dǎo)體有限公司，注冊(cè)資本500萬(wàn)人民幣，經(jīng)營(yíng)范圍含電子元器件零售、電子元器件批發(fā)、電子專用設(shè)備銷售、電力電子元器件銷售等。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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2024年以來(lái)披露IPO動(dòng)態(tài)的廠商不算少，但直到2025年1月初，只有英諾賽科和黃山谷捷2家企業(yè)完成了最終的上市。其中，英諾賽科是全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業(yè)，而黃山谷捷是車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊散熱基板行業(yè)的頭部企業(yè)。

分行業(yè)來(lái)看，英諾賽科是披露IPO進(jìn)展中的少數(shù)氮化鎵企業(yè)之一，而其他大部分廠商都和碳化硅直接相關(guān)。這主要系氮化鎵產(chǎn)業(yè)目前市場(chǎng)規(guī)模較小，國(guó)內(nèi)有能力沖刺IPO的廠商并不多，碳化硅產(chǎn)業(yè)體量更大，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)眾多，已有一部分廠商具備了登錄資本市場(chǎng)的實(shí)力。

分產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)來(lái)看，英諾賽科是僅有的IDM模式玩家，其他廠商分布在材料、器件、設(shè)備等各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域。其中，材料領(lǐng)域企業(yè)涵蓋了瀚天天成、博雅新材、鑫華半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)等。在器件領(lǐng)域，披露IPO進(jìn)展的廠商較少，僅有芯長(zhǎng)征、瑞能半導(dǎo)體、華太電子、英諾賽科等企業(yè)。

在設(shè)備領(lǐng)域，披露IPO進(jìn)展的廠商相對(duì)較多，包括納設(shè)智能、邑文科技、芯三代、萊普科技、高裕電子、志橙股份、頂立科技等。這從側(cè)面反映了在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的趨勢(shì)下，設(shè)備領(lǐng)域似乎更加受益。

在碳化硅產(chǎn)業(yè)8英寸轉(zhuǎn)型趨勢(shì)下，國(guó)內(nèi)碳化硅設(shè)備廠商紛紛積極布局8英寸設(shè)備，商業(yè)化正在加速推進(jìn)當(dāng)中，這些設(shè)備企業(yè)有望成為第三代半導(dǎo)體下一波IPO的主力軍。

化合物半導(dǎo)體企業(yè)沖刺IPO的背后

2024年，化合物半導(dǎo)體相關(guān)廠商密集啟動(dòng)IPO，或與產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展有關(guān)。

碳化硅已在新能源汽車市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模普及應(yīng)用，并向光儲(chǔ)充、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域加速滲透；氮化鎵在消費(fèi)電子市場(chǎng)已被大規(guī)模采用，并正在向汽車電子、AI數(shù)據(jù)中心、機(jī)器人等場(chǎng)景拓展應(yīng)用。市場(chǎng)需求的持續(xù)增長(zhǎng)，促使化合物半導(dǎo)體相關(guān)廠商急于通過(guò)IPO籌集資金，進(jìn)而更好地開(kāi)拓市場(chǎng)、把握機(jī)遇。

化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，讓不少投資機(jī)構(gòu)和投資者對(duì)產(chǎn)業(yè)前景充滿信心，將相關(guān)廠商視為有價(jià)值的投資標(biāo)的。在此背景下，化合物半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)有望獲得較高的估值，有利于獲得融資。通過(guò)上市融資，企業(yè)能夠進(jìn)一步完善業(yè)務(wù)布局。

近年來(lái)，國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在材料、器件、設(shè)備等方面取得了顯著進(jìn)展，部分廠商實(shí)現(xiàn)了從追趕到領(lǐng)先的跨越，這些企業(yè)已經(jīng)具備了登錄資本市場(chǎng)的基礎(chǔ)。而通過(guò)上市融資，企業(yè)在技術(shù)研發(fā)方面的彈藥將更加充足，有利于進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。

當(dāng)前，中國(guó)正在加速推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的國(guó)產(chǎn)化，也包括化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。歐美和日韓企業(yè)在化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)占據(jù)了先發(fā)優(yōu)勢(shì)，國(guó)內(nèi)廠商正在奮起直追，各大企業(yè)通過(guò)IPO上市有助于壯大國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)整體實(shí)力，進(jìn)而推動(dòng)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化率不斷提升。

國(guó)內(nèi)企業(yè)沖刺港交所

縱觀這17家申請(qǐng)IPO的企業(yè)，有13家企業(yè)沖刺A股上市，其中，天岳先進(jìn)（已于2022年在A股上市）、天域半導(dǎo)體、英諾賽科三家企業(yè)的上市目的地為港交所（H股），這3家企業(yè)另辟蹊徑選擇發(fā)力港交所。

國(guó)內(nèi)三家化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭企業(yè)為何紛紛選擇赴港上市？

2024年，“嚴(yán)監(jiān)管”是國(guó)內(nèi)資本市場(chǎng)熱點(diǎn)話題之一。新“國(guó)九條”提出嚴(yán)把發(fā)行上市準(zhǔn)入關(guān)，相關(guān)配套制度已陸續(xù)推出。其中，在IPO新規(guī)方面，主板、創(chuàng)業(yè)板上市門檻提高，科創(chuàng)板科創(chuàng)屬性評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)也進(jìn)一步完善，IPO政策進(jìn)一步收緊，意味著企業(yè)上市的難度加大。

天岳先進(jìn)早已實(shí)現(xiàn)A股上市，其選擇港股上市能夠吸引部分國(guó)際投資者，從而在一定程度上增強(qiáng)企業(yè)的全球影響力；同時(shí)，A+H上市模式增加了企業(yè)融資渠道，公司可以在A股和港股兩個(gè)市場(chǎng)同時(shí)融資，更好地滿足研發(fā)創(chuàng)新和市場(chǎng)拓展的資金需求。

對(duì)于天域半導(dǎo)體、英諾賽科而言，A股IPO上市收緊并且IPO進(jìn)程時(shí)間漫長(zhǎng)，不確定性高，而這兩家廠商估值已經(jīng)較高并且國(guó)內(nèi)融資市場(chǎng)環(huán)境低迷，選擇港股上市難度相對(duì)較小，同時(shí)可以為后續(xù)業(yè)績(jī)改善后回歸A股提供助力。

隨著監(jiān)管部門對(duì)A股IPO全鏈條從嚴(yán)監(jiān)管，選擇門檻相對(duì)較低的港股或許為企業(yè)上市提供了一個(gè)新的選擇。

結(jié)語(yǔ)

未來(lái)幾年受終端應(yīng)用需求增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)，全球碳化硅/氮化鎵產(chǎn)業(yè)上行的趨勢(shì)是明朗的，TrendForce集邦咨詢研究報(bào)告顯示，碳化硅/氮化鎵功率器件市場(chǎng)規(guī)模呈持續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。但在增長(zhǎng)的同時(shí)也將伴隨著激烈的競(jìng)爭(zhēng)，各大廠商通過(guò)完成IPO上市，都將在融資、提升品牌影響力等方面獲得一定利好，最終轉(zhuǎn)化為改善業(yè)績(jī)的動(dòng)力。

在部分化合物半導(dǎo)體相關(guān)廠商A股IPO終止的情況下，部分企業(yè)赴港上市成功的利好消息有助于提振其他廠商IPO的信心，未來(lái)或?qū)⒂懈嗵蓟?氮化鎵相關(guān)廠商進(jìn)軍港股，推動(dòng)企業(yè)及行業(yè)進(jìn)一步發(fā)展。

A股嚴(yán)把IPO入口關(guān)，是為從源頭上提高上市公司質(zhì)量，推動(dòng)資本市場(chǎng)高質(zhì)量發(fā)展。值得一提的是，4月19日晚間，證監(jiān)會(huì)還發(fā)布了《資本市場(chǎng)服務(wù)科技企業(yè)高水平發(fā)展的十六項(xiàng)措施》。該文件從上市融資、并購(gòu)重組、債券發(fā)行、私募投資等多方面為科技型企業(yè)提供精準(zhǔn)支持。

盡管新“國(guó)九條”收緊了IPO政策，準(zhǔn)入門檻提高了，但企業(yè)上市的價(jià)值也更高了。2024年下半年，仍然有不少化合物半導(dǎo)體廠商啟動(dòng)A股IPO，表明部分企業(yè)對(duì)A股的熱情仍然較高。2025年的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)IPO進(jìn)展幾何，讓我們拭目以待。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac）

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source：中國(guó)電科48所

據(jù)介紹，立式氧化爐是6-8英寸碳化硅功率器件及硅基集成電路制造關(guān)鍵工藝設(shè)備，主要用于高溫氧化及退火工藝。

據(jù)悉，氧化退火對(duì)于碳化硅功率器件制造至關(guān)重要。首先，氧化退火處理能夠優(yōu)化碳化硅表面的氧化層結(jié)構(gòu)，形成均勻、高質(zhì)量的SiO?柵氧化層。這有助于提升器件的擊穿電壓、降低漏電流和噪聲，從而提高器件的性能和可靠性。

其次，通過(guò)氧化退火，可以填補(bǔ)晶格缺陷，降低殘余應(yīng)力，提高氧化物和晶體的結(jié)合質(zhì)量，改善電學(xué)性能?，這對(duì)于提高碳化硅功率器件的整體性能和穩(wěn)定性具有重要意義。

此外，在高溫下，碳化硅晶體中的原子會(huì)發(fā)生移動(dòng)，減少晶格缺陷，從而提高其熱穩(wěn)定性和熱傳導(dǎo)性能。氧化退火還能減少氧化物含量，進(jìn)一步增強(qiáng)其耐熱性能。

目前，國(guó)內(nèi)已有部分設(shè)備廠商涉足碳化硅氧化爐細(xì)分市場(chǎng)，除中國(guó)電科48所外，還有北方華創(chuàng)、拉普拉斯等企業(yè)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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