3月6日,東芝電子元件及存儲裝置株式會社(下文簡稱“東芝”)宣布,公司已開始批量生產(chǎn)用于工業(yè)設(shè)備的第三代碳化硅(SiC)1700 V、漏極電流(DC)額定值為250 A的SiC MOSFET模塊“MG250V2YMS3”,并擴(kuò)大了產(chǎn)品陣容。
source:東芝
據(jù)介紹,新產(chǎn)品M...  [詳內(nèi)文]
東芝開始量產(chǎn)第三代1700V SiC MOSFET模塊 |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 03 月 11 日 11:01 | 分類 企業(yè) |