文章分類： 功率

總投資約15億元，漢軒車規(guī)級(jí)SiC功率器件制造項(xiàng)目開(kāi)工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 19 日 13:40 |
| 分類: 功率
據(jù)徐州高新發(fā)布消息，漢軒車規(guī)級(jí)功率器件制造項(xiàng)目開(kāi)工建設(shè)。 漢軒車規(guī)級(jí)功率器件制造項(xiàng)目總投資約15億元，占地面積68.8畝，總建筑面積約8萬(wàn)平米，潔凈室面積1.4萬(wàn)平米，滿足6到8英寸晶圓生產(chǎn)需求，是一座專注于車規(guī)級(jí)功率器件的晶圓代工廠。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 該項(xiàng)目規(guī)劃 V...  [詳內(nèi)文]

總投資近10億，紹興新增SiC項(xiàng)目

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 18 日 17:46 |
| 分類: 功率
近日，紹興中芯集成電路制造股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱中芯紹興）公布了“碳化硅（SiC）MOS芯片制造一期項(xiàng)目”環(huán)評(píng)表。據(jù)悉，該項(xiàng)目位于紹興市越城區(qū)，總投資9.61億元，主要從事6/8英寸SiC MOS芯片制造。 具體來(lái)看，該項(xiàng)目實(shí)施主體為中芯紹興控股子公司中芯越州集成電路制造（紹興）...  [詳內(nèi)文]

湖北將建設(shè)全國(guó)化合物半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)基地

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 18 日 16:34 |
| 分類: 功率
近日，湖北省人民政府印發(fā)《湖北省新材料產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展三年行動(dòng)方案（2023—2025年）》（以下簡(jiǎn)稱“《行動(dòng)方案》”）。 《行動(dòng)方案》提出發(fā)展目標(biāo)，到2025年，湖北全省新材料重點(diǎn)企業(yè)產(chǎn)值超6000億元，其中產(chǎn)值過(guò)1000億元企業(yè)超過(guò)1家、過(guò)500億元企業(yè)超過(guò)2家、過(guò)100億元企...  [詳內(nèi)文]

SiC開(kāi)啟800V新時(shí)代，政企雙端發(fā)力

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 15 日 20:36 |
| 分類: 功率
12月14日，全球領(lǐng)先的車用技術(shù)企業(yè)采埃孚，宣布其電機(jī)產(chǎn)量已突破300萬(wàn)臺(tái)大關(guān)。 采埃孚稱，電機(jī)量產(chǎn)超過(guò)300萬(wàn)臺(tái)顯示出市場(chǎng)對(duì)純?nèi)加桶l(fā)動(dòng)機(jī)的依賴不斷減少，標(biāo)志著整個(gè)行業(yè)朝著電動(dòng)化出行的成功轉(zhuǎn)型。 值得一提的是，采埃孚此前推出采用碳化硅（SiC）技術(shù)的EVSys800電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，展...  [詳內(nèi)文]

易達(dá)通GaN功率元件能源轉(zhuǎn)換效率已超92%

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 12 日 17:45 |
| 分類: 功率
近日據(jù)報(bào)道，IDM創(chuàng)企易達(dá)通科技已推出多款氮化鎵（GaN）功率IC，采用藍(lán)寶石襯底及LED制程，獲得全球三大LED集團(tuán)青睞，其中2家已下單。執(zhí)行長(zhǎng)林仕國(guó)表示，GaN具有寬能隙、高電壓驅(qū)動(dòng)及耐高溫特性，搭載藍(lán)寶石襯底可制造各種功率元件，采用碳化硅（SiC）襯底則可制造射頻元件。 據(jù)...  [詳內(nèi)文]

中科重儀自研功率型GaN-on-Si生產(chǎn)線投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 11 日 17:41 |
| 分類: 功率
近日，蘇州中科重儀半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱中科重儀）自主研發(fā)的應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的大尺寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片生產(chǎn)線正式建成并投入使用。 據(jù)介紹，目前GaN材料外延生長(zhǎng)的主流方法是金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法（MOCVD），由于針對(duì)功率型大尺寸GaN-on-Si材料...  [詳內(nèi)文]

193億，羅姆和東芝攜手生產(chǎn)SiC功率器件

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 08 日 17:27 |
| 分類: 功率
12月7日，根據(jù)外國(guó)媒體報(bào)道，為鞏固自身在電動(dòng)汽車零部件領(lǐng)域的地位，羅姆（ROHM）和東芝宣布將合作生產(chǎn)碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導(dǎo)體器件，這一計(jì)劃得到了日本政府的支持。 ROHM和東芝將分別對(duì)SiC和Si功率器件進(jìn)行密集投資，兩者將依據(jù)對(duì)方生產(chǎn)力優(yōu)勢(shì)進(jìn)行互補(bǔ)，有效提高供...  [詳內(nèi)文]

芯塔電子SiC MOSFET通過(guò)車規(guī)級(jí)認(rèn)證

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 06 日 17:45 |
| 分類: 功率
近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩ TO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)（廣電計(jì)量）全套AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。 據(jù)介紹，AEC-Q作為國(guó)際通用的車規(guī)級(jí)電子元器件測(cè)試規(guī)范，目前已成為車用元器件質(zhì)量與可靠性的標(biāo)志。試驗(yàn)項(xiàng)目包含...  [詳內(nèi)文]

中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)SiC MOSFET正式下線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 04 日 17:34 |
| 分類: 功率
11月30日，中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結(jié)構(gòu)，自主設(shè)計(jì)的新型終端結(jié)構(gòu)具有更高的工藝可靠性，在同等耐壓水平下，體積更小，可應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)逆變器等車載電源系統(tǒng)。 作為一家由中國(guó)一汽、東風(fēng)公司、南方工業(yè)...  [詳內(nèi)文]

總投資100億，比亞迪半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目一期竣工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 01 日 17:40 | | 分類: 功率
11月28日，位于紹興濱海新區(qū)的比亞迪半導(dǎo)體功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期竣工。 據(jù)了解，該項(xiàng)目總投資100億元，用地417畝，項(xiàng)目建設(shè)年產(chǎn)72萬(wàn)片功率器件產(chǎn)品和年產(chǎn)60億套光微電子產(chǎn)品生產(chǎn)線，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值150億元。一期項(xiàng)目研發(fā)生產(chǎn)的功率器件、傳感控制器件，均...  [詳內(nèi)文]