source:東北大學
據(jù)悉,與碳化硅和氮化鎵相比,β-氧化鎵具有更寬的帶隙和更低的能量損耗,因此有望成為下一代功率半導體材料。此外,與硅一樣,β-氧化鎵也可以從原材料熔體中熔融生長,因此可一次生產(chǎn)出大量高質(zhì)量單晶,理論上可以低成本、低缺陷地生產(chǎn)單晶襯底。
然而,在傳統(tǒng)的晶體生長方法中,盛放高熔點氧化物熔液的坩堝使用了貴金屬銥,并且需要定期進行重鑄。因此,銥相關的成本占了包括半導體前段工藝中的一部分薄膜制造成本的60%以上,這使得降低β-氧化鎵器件制造成本變得困難。目前,β-氧化鎵襯底比碳化硅更貴。而FOX正是為了應對這一挑戰(zhàn)而成立的。
FOX采用OCCC(冷容器氧化物晶體生長)方法,無需使用貴金屬坩堝,即可生產(chǎn)出β-氧化鎵塊狀單晶,其低缺陷程度可與硅媲美。
據(jù)介紹,F(xiàn)OX初期階段將集中于使用OCCC法開發(fā)半導體級大尺寸化技術(shù),加速技術(shù)開發(fā),力爭在2028年內(nèi)確立6英寸晶圓的量產(chǎn)技術(shù)。此后,F(xiàn)OX將進一步擴建量產(chǎn)工廠,推進6英寸晶圓的驗證。
目前,除日本企業(yè)外,國內(nèi)相關企業(yè)也在積極布局氧化鎵產(chǎn)業(yè),并取得了一定進展。
其中,鎵仁半導體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底。
隨后在9月12日,據(jù)富加鎵業(yè)官微消息,其6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線于9月10日在杭州富陽開工建設。
同在9月,據(jù)“龍巖發(fā)布”官微消息,晶旭半導體二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目于2023年12月開工建設。目前,項目主體已經(jīng)全部封頂,預計年底之前具備設備模擬的條件。(集邦化合物半導體Zac整理)
更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。
]]>