source：三安半導(dǎo)體

據(jù)介紹，湖南三安SiC項目總投資高達(dá)160億人民幣，旨在打造6英寸/8英寸兼容SiC全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合量產(chǎn)平臺。項目達(dá)產(chǎn)后，將具備年產(chǎn)36萬片6英寸SiC晶圓、48萬片8英寸SiC晶圓的制造能力。

M6B作為湖南三安布局SiC產(chǎn)業(yè)的重要一環(huán)，其投產(chǎn)情況備受關(guān)注。預(yù)計到今年12月，M6B將實(shí)現(xiàn)點(diǎn)亮通線，8英寸SiC芯片將正式投產(chǎn)，湖南三安半導(dǎo)體正式轉(zhuǎn)型為8英寸SiC垂直整合制造商。

值得一提的是，除了湖南，重慶三安半導(dǎo)體SiC襯底工廠也于近日完成了主設(shè)備的入場，這表示重慶三安襯底工廠的通線一同步入了倒計時階段。

source：西永微電園

據(jù)重慶三安基建負(fù)責(zé)人透露，項目主廠房已于去年12月完成結(jié)構(gòu)封頂，今年5月完成外墻裝飾，6月完成室外道路接駁，目前整體建設(shè)進(jìn)度已完成95%以上，正處于設(shè)備進(jìn)場安裝調(diào)試的關(guān)鍵階段，預(yù)計8月底將實(shí)現(xiàn)襯底廠的點(diǎn)亮通線。

資料顯示，重慶三安意法SiC項目總規(guī)劃投資約300億元人民幣，項目達(dá)產(chǎn)后將建成全國首條8英寸SiC襯底和晶圓制造線，具備年產(chǎn)48萬片8英寸SiC襯底、車規(guī)級MOSFET功率芯片的制造能力，預(yù)計營收將達(dá)170億人民幣。

隨著湖南與重慶兩地工廠的設(shè)備搬入完成，后續(xù)待兩地正式通線之后，三安半導(dǎo)體不僅將正式轉(zhuǎn)型為8英寸SiC垂直制造整合商，其SiC產(chǎn)能也有望實(shí)現(xiàn)大幅提升，企業(yè)市場競爭力將進(jìn)一步增強(qiáng)。（集邦化合物半導(dǎo)體Rick整理）

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據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，此次上海光伏展，三安半導(dǎo)體、士蘭微、鍇威特、基本半導(dǎo)體、杰平方、芯聯(lián)集成、瑞能半導(dǎo)體、飛锃半導(dǎo)體、阿基米德半導(dǎo)體、宏微科技、矽迪半導(dǎo)體、派恩杰、蘇州固锝等13家廠商帶來了豐富多樣的SiC功率器件產(chǎn)品，應(yīng)用范圍涵蓋新能源汽車、光儲充、工業(yè)控制等多個領(lǐng)域。

三安半導(dǎo)體

本次展會，三安半導(dǎo)體帶來了SiC晶錠、襯底、外延、芯片、器件等全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品。

展會現(xiàn)場，三安半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了8英寸SiC晶圓，以及可應(yīng)用在光伏逆變器、儲能變流器、充電樁電源模塊等領(lǐng)域的650V-1700V SiC二極管和MOSFET，包含多種封裝類型及規(guī)格型號。

士蘭微

本次光伏展，士蘭微展示了應(yīng)用于光伏場景的SiC MOS、IGBT、DPMOS、SGT LVMOS等功率器件產(chǎn)品。

其中，士蘭微推出的1200V SiC芯片性能指標(biāo)已達(dá)到國際先進(jìn)水平，并同時研發(fā)650V、1700V、2000V等電壓段高性能SiC MOSFET芯片，包含TO-247B-4L、TO-263-7L、TOLL、D4等多種封裝形式，適配光伏儲能逆變器應(yīng)用場景。

華潤微

本次展會，華潤微重點(diǎn)展示了SiC MOS模塊。

source：華潤微

華潤微展示的SiC MOS模塊可應(yīng)用于電動汽車充電器、太陽能、高速轉(zhuǎn)換器、逆變器、電機(jī)和牽引驅(qū)動器、智能電網(wǎng)、并網(wǎng)分布式發(fā)電、車載OBC、汽車主驅(qū)等領(lǐng)域，具有低Rdson、低Qg、超低損耗、高頻工作等特點(diǎn)。

鍇威特

本次展會，鍇威特帶來了超結(jié)MOSFET、中高壓平面MOSFET、650-1700V SiC MOSFET、600-1200V SiC SBD、智能功率IC等系列產(chǎn)品。

其中，鍇威特全新的第三代SiC SBD產(chǎn)品，結(jié)合先進(jìn)的薄片技術(shù)和抗浪涌技術(shù)，在顯著提升產(chǎn)品電流密度、降低正向?qū)▔航档耐瑫r，仍保持高的浪涌電流以及低的反向漏電。合理的可靠性設(shè)計及規(guī)范的產(chǎn)品管控，使產(chǎn)品能穩(wěn)定工作于多種嚴(yán)苛工況下，在650-1200V電壓等級滿足各種應(yīng)用需求。

同時，鍇威特量產(chǎn)的平面型SiC MOSFET，立足于6英寸SiC功率芯片工藝線，優(yōu)化元胞結(jié)構(gòu)和柵氧工藝，產(chǎn)品具有更高的阻斷電壓、更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小系統(tǒng)電感、電容、變壓器等無源器件的尺寸，提高系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率。該系列產(chǎn)品支持15V-18V棚極驅(qū)動電壓，最高結(jié)溫高達(dá)175℃。

基本半導(dǎo)體

此次展會，基本半導(dǎo)體攜2000V/1700V系列高壓SiC MOSFET、第三代SiC MOSFET、工業(yè)級SiC功率模塊Pcore 2 E1B、工業(yè)級SiC半橋頂部散熱MOSFET模塊等系列新品，以及旗下全系列SiC二極管、門極驅(qū)動芯片、功率器件驅(qū)動器等產(chǎn)品亮相。

其中，基本半導(dǎo)體展出的Pcore 2 E1B工業(yè)級SiC半橋MOSFET模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、PressFit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

杰平方

本次展會，杰平方半導(dǎo)體帶來了第三代SiC MOSFET和SBD、工業(yè)級SiC功率模塊、1200V 8mΩ SiC晶圓等系列產(chǎn)品，展示了杰平方半導(dǎo)體在SiC領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)實(shí)力。

芯聯(lián)集成

本次展會，芯聯(lián)集成帶來了650V-2300V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品具備低導(dǎo)通損耗，低開關(guān)損耗；高可靠性，通過車規(guī)級驗(yàn)證；參數(shù)一致性好，良率高等特點(diǎn)。在工業(yè)控制方面，可應(yīng)用于光伏、儲能、充電樁、輸配電等場景；在汽車電子方面，可應(yīng)用于OBC、DC-DC、逆變器等產(chǎn)品中。

瑞能半導(dǎo)體

本次展會，瑞能半導(dǎo)體展示了SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊等系列產(chǎn)品。

飛锃半導(dǎo)體

此次展會，飛锃半導(dǎo)體帶來了一系列創(chuàng)新成果，涵蓋第三代1200V SiC MOSFET、750V SiC? MOSFET、1200V大電流SiC二極管、6英寸SiC MOSFET晶圓等產(chǎn)品，以及在光伏儲能、新能源汽車等領(lǐng)域的前沿應(yīng)用解決方案。

其中，飛锃半導(dǎo)體針對新能源汽車的創(chuàng)新應(yīng)用方案，利用車規(guī)級1200V與650V SiC MOSFET，為智能汽車打造安全、高效、智能的核心動力系統(tǒng)。

宏微科技

本次展會，宏微科技展示了1200/20A SiC SBD系列產(chǎn)品。

宏微科技推出的風(fēng)光儲功率器件產(chǎn)品，具有高度的可靠性和優(yōu)異的性能，能夠滿足新能源行業(yè)對高效、安全、可靠的電力轉(zhuǎn)換和控制的需求。此外，宏微科技的風(fēng)光儲功率器件產(chǎn)品還具有廣泛的適用性，可廣泛應(yīng)用于太陽能光伏電站、風(fēng)力發(fā)電站、儲能系統(tǒng)等場景。

矽迪半導(dǎo)體

本次展會，矽迪半導(dǎo)體展示了高性能和差異化的SiC系統(tǒng)解決方案，包括30KW Buck-Boost全SiC解決方案、40KW xBooster IGBT并聯(lián)SIC MOSFET解決方案等，可應(yīng)用于光伏逆變器、儲能逆變器、工業(yè)電源等場景。

阿基米德半導(dǎo)體

本次展會，阿基米德半導(dǎo)體展示了SiC MOSFET/IGBT單管、半橋IGBT模塊、三電平IGBT模塊、SiC模塊等眾多產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于直流快充/超充、工業(yè)電源、感應(yīng)加熱、光伏逆變器、儲能PCS、新能源汽車等領(lǐng)域。

其中，對于215KW儲能，現(xiàn)有產(chǎn)品體積大、效率低，阿基米德推出的1200V 400A混合SiC單模塊解決方案，助力縮小產(chǎn)品體積，提升功率密度，同時集成SiC器件，大幅度降低了功率損耗，提升了充放電效率，模塊滿載效率高達(dá)99%。

派恩杰

本次展會，派恩杰半導(dǎo)體帶來了SiC功率器件、芯片設(shè)計路線以及1700V高壓器件應(yīng)用方案等系列產(chǎn)品，為工業(yè)應(yīng)用以及新能源車用方案等提供了一個新的方向。

其中，派恩杰半導(dǎo)體在650V、1200V、1700V三個電壓平臺已發(fā)布100余款不同型號的SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品。派恩杰半導(dǎo)體的量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動汽車，IT設(shè)備電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域廣泛使用，為Tier 1廠商持續(xù)穩(wěn)定供貨。

蘇州固锝

本次展會，蘇州固锝帶來了光伏旁路二極管在太陽能面板集線盒、以及功率二極管、MOS管、IGBT、SiC SBD等功率器件在光伏逆變器、輔助電源等新能源市場的應(yīng)用方案。

除上述SiC功率器件廠商外，連城數(shù)控、晶升股份、晶盛機(jī)電、宇晶股份、先導(dǎo)智能、微導(dǎo)納米、高測股份、弘元綠能、邁為股份等SiC設(shè)備相關(guān)廠商也在本次上海光伏展上精彩亮相，這些廠商將共同推動SiC產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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國內(nèi)企業(yè)

本屆PCIM展會，多家國內(nèi)廠商攜新品新技術(shù)亮相，如英諾賽科、三安半導(dǎo)體、士蘭微、基本半導(dǎo)體、瑞能半導(dǎo)體、芯聚能等，其中，部分廠商亮點(diǎn)匯總?cè)缦拢?/p>

01、三安半導(dǎo)體

在本次PCIM Europe上，三安以“推動低碳化和電氣化”為主旨，展示其在功率半導(dǎo)體和寬禁帶技術(shù)方面的最新產(chǎn)品如何賦能綠色低碳和電氣化轉(zhuǎn)型。

source：PCIM

三安通過展出豐富的功率產(chǎn)品矩陣，全面展示了其強(qiáng)大的垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，從批量SiC晶錠生長到一流的分立封裝、集成模塊解決方案和應(yīng)用。產(chǎn)品與服務(wù)覆蓋8吋/6吋SiC晶錠、8吋/6吋SiC襯底、8吋/6吋SiC外延、SiC Diodes/MOSFETs芯片/器件以及車規(guī)級SiC功率模塊代工，其中器件包含十余種封裝類型和數(shù)十個規(guī)格型號的產(chǎn)品。

02、英諾賽科

英諾賽科在PCIM展會上展示多樣化分立氮化鎵和集成氮化鎵產(chǎn)品，以及基于高性能氮化鎵的多種解決方案。

英諾賽科展示了多形態(tài)產(chǎn)品組合，包含30V-700V的氮化鎵分立芯片、氮化鎵合封芯片（SolidGaN）和雙向?qū)ㄐ酒╒-GaN）。同時也將采用InnoGaN的多領(lǐng)域應(yīng)用解決方案一一呈現(xiàn)，展示氮化鎵技術(shù)帶來的進(jìn)步，讓電源轉(zhuǎn)換和電源管理解決方案“更快，更小，更輕，更環(huán)保，更高效，性價比更高”。

source：英諾賽科

03、士蘭微電子

士蘭微此次全面展示車規(guī)級功率器件、驅(qū)動和控制芯片產(chǎn)品，以及多種應(yīng)用于汽車、新能源、白電、工業(yè)等領(lǐng)域的產(chǎn)品和應(yīng)用方案。

source：PCIM

04、基本半導(dǎo)體

基本半導(dǎo)體此次在展會上，正式發(fā)布2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、車規(guī)級碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工業(yè)級碳化硅功率模塊PcoreTM2 E2B等系列新品。

source：PCIM

05、派恩杰半導(dǎo)體

此次展會上，派恩杰半導(dǎo)體帶來了最新車規(guī)級封裝產(chǎn)品及更小的比導(dǎo)通電阻展品。

source：派恩杰半導(dǎo)體

派恩杰半導(dǎo)體推出的Easy 1B、62mm和SOT227封裝系列產(chǎn)品，涵蓋多種電路拓?fù)洌琒iC MOSFET和SiCSBD模塊產(chǎn)品，可應(yīng)用于光伏發(fā)電、白色家電、射頻電源等領(lǐng)域。

此外，結(jié)合銀燒結(jié)和CuClip鍵合技術(shù)，派恩杰半導(dǎo)體自主開發(fā)了車規(guī)級塑封半橋HEPACK封裝，可有效降低新能源汽車能耗等級。

對于HPD模塊，引入了銀燒結(jié)和DTS技術(shù)，派恩杰半導(dǎo)體正積極布局1200V600A乃至800A高功率模塊。

06、瑞能半導(dǎo)體

瑞能半導(dǎo)體展出的產(chǎn)品陣容涵蓋了瑞能最新的高性能、高效率、高功率的技術(shù)，以及諸如1200V碳化硅功率模塊、650V / 1200V SiC MOSFET、快恢復(fù)二極管、可控硅整流器、IGBT和其他可應(yīng)用于工業(yè)，汽車，消費(fèi)電子等領(lǐng)域的功率器件。

source：PCIM

SiC產(chǎn)品中，全新系列的SiC MOSFET & SiC肖特基二極管 (SBD) 采用 TSPAK 封裝的，適用于電動汽車充電、車載充電器 (OBC)、光伏逆變器和高功率密度PSU應(yīng)用。新型MOSFET有650V、750V、1200V和1700V四種型號，電阻范圍從20mΩ到150mΩ。新型SiC SBD的電流范圍為10至40A（650V、750V和1200V）。

全新SiC功率模塊包含半橋、四組、六組、雙增壓和NPC 3L拓?fù)涞?SiC 功率模塊，主要針對于電動汽車充電、儲能系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動器、工業(yè)電源裝置 (PSU)、測試儀器和光伏逆變器。

瑞能半導(dǎo)體全新的1700V SiC 技術(shù)& 汽車級1200V / 750V車規(guī)SiC MOSFET提供多種封裝選項和產(chǎn)品配置，包括表面貼裝器件 (SMD) 分立器件和頂部冷卻，實(shí)現(xiàn)可再生能源和電動汽車的高功率、高密度設(shè)計。

07、中車時代半導(dǎo)體

中車時代半導(dǎo)體攜多款功率半導(dǎo)體元件及模塊、傳感器產(chǎn)品隆重亮相PCIM Europe德國紐倫堡展會。
據(jù)介紹，采用中車第五代TMOS高壓溝槽柵、第二代SiC平面柵芯片、AISiC基板、AIN襯板，具有高熱循環(huán)能力、高可靠性等特點(diǎn)，可滿足車輛頻繁啟停和長距離可靠性運(yùn)行的需求，批量應(yīng)用于軌道交通領(lǐng)域。

source：PCIM

08、安世半導(dǎo)體

在功率場效應(yīng)晶體管(FET)方面，Nexperia展示了首款H橋配置的SMD SiC MOSFET，產(chǎn)品展現(xiàn)出卓越的R DS(on)溫度穩(wěn)定性；以及用于對E型GaN FET開關(guān)性能進(jìn)行基準(zhǔn)測試的半橋評估板。

source：PCIM

09、芯聚能半導(dǎo)體

芯聚能車規(guī)級模塊為800V新能源汽車平臺進(jìn)一步釋放了SiC高溫高速特性，實(shí)現(xiàn)了超低熱阻、拓展了工作范圍；具有高機(jī)械結(jié)構(gòu)強(qiáng)度、高功率循環(huán)壽命、高溫度沖擊穩(wěn)定性。

source：PCIM

10、忱芯科技

忱芯科技展出業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的SiC動態(tài)測試系統(tǒng)以及動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)，并提供現(xiàn)場的測試演示。公司也已推出用于CP階段和KGD階段測試的晶圓級動態(tài)可靠性(WLR)測試系統(tǒng)及裸芯片KGD測試系統(tǒng)。

source：PCIM

11、利普思半導(dǎo)體

PCIM Europe 2024現(xiàn)場，利普思發(fā)布了新一代主驅(qū)用塑封半橋SiC模塊（LPS-Pack系列）。據(jù)悉，該系列模塊是為滿足某海外知名車企差異化需求而開發(fā)的新品。

source：利普思

12、安建科技

此次展會上安建展出的產(chǎn)品陣容涵蓋了IGBT、SGT MOSFET、SiC和其他可用于電能轉(zhuǎn)換、電動汽車、消費(fèi)電子、新能源和工業(yè)自動化等領(lǐng)域的多款功率器件。

source：PCIM

13、賽晶科技

賽晶SiC芯片首次亮相PCIM Europe，芯片采用頂部金屬化，以便進(jìn)行鍵合或者DTS，靜態(tài)性能匹配先進(jìn)的汽車MOSFET產(chǎn)品性能需求，動態(tài)開關(guān)性能適用于EVD和HEEV模塊的應(yīng)用，具有高可靠性、高魯棒性。

source：賽晶科技

14、富樂華半導(dǎo)體

富樂華攜手富樂華歐洲團(tuán)隊、日本團(tuán)隊對功率半導(dǎo)體行業(yè)的封裝基板做了全方位的展示，分享了公司最新的創(chuàng)新型產(chǎn)品和技術(shù)解決方案，產(chǎn)品陣容涵蓋了適用于IGBT、SiC-MOSFET和其他可用于電動汽車、消費(fèi)電子、新能源和工業(yè)自動化等領(lǐng)域的覆銅陶瓷基板。

source：PCIM

15、卓爾半導(dǎo)體

卓爾半導(dǎo)體專注于研發(fā)碳化硅塑封模塊專用設(shè)備，主營芯片分選機(jī)、塑封自動化、切筋成型、激光去膠打標(biāo)等。

source：PCIM

16、飛仕得科技

本次展會飛仕得展出SiC應(yīng)用一站式解決方案，包括電源、驅(qū)動解決方案、功率模組及測試設(shè)備。并發(fā)布新一代多并聯(lián)驅(qū)動解決方案、新一代SiC器件動態(tài)測試設(shè)備等多款新品。

source：PCIM

17、悉智科技

悉智科技此次帶來旗下SiC封裝產(chǎn)品出席展會，其中自主研發(fā)的塑封SiC DCM模塊獲得海外客戶關(guān)注。

source：悉智科技

國外企業(yè)

海外市場方面， Wolfspeed、羅姆、英飛凌、三菱電機(jī)、納微半導(dǎo)體、CGD等悉數(shù)亮相，看點(diǎn)頗多，部分企業(yè)的亮點(diǎn)匯總?cè)缦拢?/p>

18、Wolfspeed

Wolfspeed多位工程師在PCIM Europe 2024上發(fā)表演講，內(nèi)容涵蓋電動汽車電氣化、電動汽車實(shí)現(xiàn)、可再生能源賦能到電機(jī)驅(qū)動以及公司最新的SiC技術(shù)。

source：PCIM

19、羅姆

ROHM向外展示了其新的功率半導(dǎo)體解決方案。ROHM的SiC、Si和GaN產(chǎn)品組合專注于電動汽車和電源應(yīng)用，旨在滿足各個行業(yè)的需求。

source：PCIM

SiC方面，ROHM在PCIM Europe 2024上首次推出用于汽車應(yīng)用的新型SiC 功率模塊。除此之外，ROHM 還展示了其生產(chǎn)的8英寸SiC 晶圓，并透露了有關(guān)其SiC產(chǎn)品開發(fā)的愿景。

ROHM的第四代SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻水平，最大限度地降低了開關(guān)損耗，并支持15V和18V柵極源電壓。

GaN方面，ROHM展示了EcoGaN系列150V和650V GaN HEMT。ROHM還展示其EcoGaN 系列的10多塊電路板，并介紹它們在工業(yè)解決方案中的作用。

20、英飛凌

英飛凌此次向外展示了業(yè)界廣泛的電力電子產(chǎn)品組合，涵蓋硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 相關(guān)的電力技術(shù)。

source：PCIM

寬帶隙技術(shù)方面：英飛凌展示了可用于提高整體能源效率的第二代CoolSiC MOSFET 650V和1200V。此外，其還展示擴(kuò)展的GaN解決方案組合，提供各種創(chuàng)新封裝、分立和集成解決方案。
信息和通信技術(shù)：英飛凌展示了包括Si、SiC和GaN電源開關(guān)在內(nèi)的尖端解決方案，以滿足服務(wù)器技術(shù)和電信網(wǎng)絡(luò)不斷發(fā)展的需求。

21、意法半導(dǎo)體

此次意法半導(dǎo)體帶來了GaN在電源中的應(yīng)用方案、SiC MOSFET、SiC功率模塊、SiC電源模塊等產(chǎn)品。

source：PCIM

22、賀利氏

賀利氏在展會上向外呈現(xiàn)PE360模塊焊接燒結(jié)漿料和無銀活性金屬釬焊氮化硅基板（AMB-Si3N4）等尖端創(chuàng)新產(chǎn)品，并展示旗下功率模塊封裝方案。

source：PCIM

23、納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體此次主要技術(shù)更新和發(fā)布包括GaNSafe、Gen-4 GaNSense半橋IC和Gen-3 Fast GeneSiC功率FET。

source：PCIM

24、PI電源

PI電源分享其在AC-DC轉(zhuǎn)換、柵極驅(qū)動器、電機(jī)驅(qū)動器和汽車解決方案方面的最新創(chuàng)新。

source：PCIM

25、IV Works

在此次展會上，IV Works向外展示了GaN作為高壓應(yīng)用解決方案的材料創(chuàng)新以及n+GaN、p-GaN選擇性區(qū)域再生技術(shù)。

source：PCIM

結(jié)語

本次PCIM上，能明顯感受到國內(nèi)出海企業(yè)增多，從側(cè)面反映出不少三代半企業(yè)已將目光從國內(nèi)市場轉(zhuǎn)移至全球市場。對于國內(nèi)三代半廠商而言，國內(nèi)業(yè)務(wù)發(fā)展到一定階段，出海尋求更廣闊的增長空間順理成章，尤其是在技術(shù)、產(chǎn)能等方面擁有一定的實(shí)力后，拓展海外市場也更加從容。

隨著國內(nèi)三代半企業(yè)的出海動作開展，競爭更加激烈的同時，行業(yè)會更加多元化，產(chǎn)業(yè)業(yè)務(wù)整合的步伐也將加快，有助于推動行業(yè)的全球化發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步。（來源：PCIM官方、各公司、集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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資料顯示，F(xiàn)inepower GmbH成立于2001年，其中國總部位于深圳，專注于電力電子的各種應(yīng)用，業(yè)務(wù)包含功率MOSFET、寬帶隙器件（GaN和SiC）以及IGBT模塊和晶閘管的咨詢。

湖南三安半導(dǎo)體有限公司（三安半導(dǎo)體）是三安光電股份有限公司的子公司，專業(yè)從事寬頻帶半導(dǎo)體（SiC、GaN、GaAs）的研發(fā)、設(shè)計和制造。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

Finepower GmbH表示，三安是世界上為數(shù)不多的幾家在其工廠內(nèi)擁有完整的SiC生產(chǎn)鏈的公司之一，包括晶體生長、外延、芯片生產(chǎn)，甚至分立器件和模塊的封裝。

Finepower GmbH總經(jīng)理And Reiko Winkler在新聞稿中表示：“三安為我們本已強(qiáng)大的功率元件產(chǎn)品組合增添了完美的補(bǔ)充。SiC是未來高壓應(yīng)用的半導(dǎo)體材料，三安擁有全球最強(qiáng)大的生產(chǎn)能力和卓越的制造水準(zhǔn)，因此我們非常自豪能與他們在這個不斷增長的市場上合作?！?/p>

TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，作為未來電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預(yù)估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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圖：三安半導(dǎo)體

湖南三安半導(dǎo)體屬于三安光電下屬子公司，主要業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導(dǎo)體功率芯片的研發(fā)、設(shè)計、制造及服務(wù)，目前建立具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。湖南三安半導(dǎo)體是三安光電在SiC領(lǐng)域布局的重點(diǎn)項目。

根據(jù)三安光電的最新財報數(shù)據(jù)顯示，湖南三安上半年實(shí)現(xiàn)銷售收入5.82億元，同比增長178.86%；凈利潤為3.32億元，同比顯著增長266.99%。

從產(chǎn)能來看，湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產(chǎn)能2,000片/月。其6英寸碳化硅襯底已通過數(shù)家國際大客戶驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)批量出貨，且2023年、2024年供應(yīng)已基本鎖定。此外，三安已簽署的碳化硅MOSFET長期采購協(xié)議總金額超70億元，另有幾家新能源汽車客戶的合作意向在跟進(jìn)。

值得注意的是，湖南三安與理想合資成立的規(guī)劃年產(chǎn)240萬只碳化硅半橋功率模塊蘇州斯科半導(dǎo)體，已完成動力設(shè)備安裝、調(diào)試，待產(chǎn)線通線后進(jìn)入試生產(chǎn)。

今年6月，三安光電宣布與意法半導(dǎo)體在重慶成立合資公司，雙方將攜手新建一座8英寸碳化硅器件制造廠。據(jù)悉，該工廠全部建設(shè)總額預(yù)計約達(dá)32億美元，計劃于2025年第四季度開始生產(chǎn)，2028年全面建廠，將采用ST的碳化硅專利制造工藝技術(shù)生產(chǎn)碳化硅器件，湖南三安持股比例為51%，意法半導(dǎo)體持股比例為49%。

加速8英寸布局

化合物半導(dǎo)體市場對國內(nèi)主流SiC企業(yè)的8英寸襯底進(jìn)度進(jìn)行了統(tǒng)計，除了三安光電之外，目前國內(nèi)在研發(fā)8英寸襯底的企業(yè)及機(jī)構(gòu)還有爍科晶體、晶盛機(jī)電、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、同光股份、中科院物理所、山東大學(xué)、天科合達(dá)、科友半導(dǎo)體、乾晶半導(dǎo)體、等。其中爍科晶體、天科合達(dá)以及晶盛機(jī)電相對來說進(jìn)度比較快。

襯底之外，外延企業(yè)也在加速建設(shè)8英寸產(chǎn)能，東莞天域計劃購置94.7 畝地用于建設(shè)SiC外延材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，用于SiC外延關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)及全球首條8英寸SiC外延晶片生產(chǎn)線的建設(shè)。此外，瀚天天成位于同翔高新城的SiC產(chǎn)業(yè)園的三期項目也極有可能是定位8英寸SiC外延，這兩家企業(yè)目前都在IPO階段。

總體而言，隨著三安光電8英寸襯底的發(fā)布，SiC市場會越來越熱鬧，競爭也會越來越激烈，從長期來看，這有助于產(chǎn)業(yè)整體的發(fā)展，至于最后哪些企業(yè)能夠突圍而出，這個只能騎驢看唱本。
（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jump整理）

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