昆芯推出的1200V碳化硅MOS芯片通過國際首創(chuàng)的原胞設(shè)計，展現(xiàn)了低導(dǎo)通損耗和高溫自適應(yīng)的開關(guān)損耗，實現(xiàn)了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的雙降低。目前，昆芯被列為加拿大多倫多大學(xué)電動方程式賽車的合格供應(yīng)商，并為北美客戶提供定制化的功率半導(dǎo)體器件。

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資料顯示，昆芯位于上海，公司專注于功率半導(dǎo)體、光子科技、AI智能芯片的設(shè)計開發(fā)、應(yīng)用及市場銷售。在碳化硅方面，根據(jù)官網(wǎng)信息，昆芯已推出多款產(chǎn)品。

值得一提的是，今年6月，推出自主研發(fā)的1200伏14毫歐碳化硅MOS芯片及相應(yīng)的1200V400A/600A碳化硅HPD模塊，并且該模塊已經(jīng)送車廠驗證。這標(biāo)志著昆芯科技在高功率IGBT車規(guī)芯片和模塊成功應(yīng)用在車廠主驅(qū)逆變后，碳化硅車規(guī)芯片和模塊也將實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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