11月30日，中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結構，自主設計的新型終端結構具有更高的工藝可靠性，在同等耐壓水平下，體積更小，可應用于新能源汽車主驅逆變器等車載電源系統(tǒng)。 作為一家由中國一汽、東風公司、南方工業(yè)...  [詳內文]