更小體積與更輕重量是下一代電源應(yīng)用制造商的關(guān)鍵要求。這種新型SiC整流器模塊的緊湊尺寸將有助于最大限度地提高功率密度，從而減少所需的電路板空間并降低整體系統(tǒng)成本。

使用頂部冷卻（TSC）和集成負(fù)溫度系數(shù)（NTC）傳感器的組合來(lái)優(yōu)化熱性能，該傳感器可監(jiān)控設(shè)備溫度并為設(shè)備或系統(tǒng)級(jí)預(yù)測(cè)和診斷提供實(shí)時(shí)反饋。該整流器模塊采用低電感封裝，可實(shí)現(xiàn)高頻操作，并且經(jīng)認(rèn)證可在高達(dá)175°C的結(jié)溫下工作。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

安世半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品部高級(jí)總監(jiān)Katrin Feurle表示：“安世半導(dǎo)體與京瓷AVX之間的此次合作將尖端的SiC半導(dǎo)體與最先進(jìn)的模塊封裝相結(jié)合，將使安世半導(dǎo)體能夠更好地滿足市場(chǎng)對(duì)具有極高功率密度的電力電子產(chǎn)品的需求。該整流器模塊的發(fā)布將代表安世半導(dǎo)體和京瓷AVX之間長(zhǎng)期SiC合作伙伴關(guān)系的第一步”。

京瓷AVX組件傳感與控制部傳感與控制部副總裁Thomas Rinschede表示：“我們很高興能夠進(jìn)一步擴(kuò)大與安世半導(dǎo)體的成功合作伙伴關(guān)系，生產(chǎn)用于電力電子應(yīng)用的SiC模塊。安世半導(dǎo)體的專業(yè)制造知識(shí)與京瓷模塊專有技術(shù)相結(jié)合，為希望使用寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高功率密度的客戶提供了極具吸引力的產(chǎn)品?！?/p>

安世半導(dǎo)體預(yù)計(jì)新型SiC整流器模塊的樣品將于2024年第一季度上市。

近日，在深圳舉辦的“2023汽車半導(dǎo)體生態(tài)峰會(huì)暨全球汽車電子博覽會(huì)”上，安世半導(dǎo)體BG MOS中國(guó)區(qū)負(fù)責(zé)人李東岳表示，對(duì)于安世半導(dǎo)體來(lái)講，2022年24億美金的銷售額接近一半的比例來(lái)自于汽車，而最近幾年公司新產(chǎn)品的布局仍集中在碳化硅、氮化鎵、IGBT，還有電源管理IC等領(lǐng)域，相信未來(lái)安世在汽車上面的營(yíng)收占比仍會(huì)逐步增加。

（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）

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