source：光電子先導院

官網(wǎng)資料顯示，光電子先導院成立于2015年10月，面向光子產(chǎn)業(yè)，專注于化合物半導體領(lǐng)域。目前，光電子先導院已經(jīng)建成了光子芯片公共服務平臺和先進光子器件工程創(chuàng)新平臺，擁有化合物芯片關(guān)鍵設(shè)備100余臺（套），擁有百級到十萬級潔凈廠房8000㎡，具備砷化鎵（GaAs）等化合物半導體材料的光刻、刻蝕、薄膜制備等關(guān)鍵工藝能力，是集研發(fā)、中試、檢測等全流程技術(shù)服務于一體的光電子芯片共性技術(shù)平臺。

其中，光電子先導院打造的先進光子器件工程創(chuàng)新平臺于2023年3月正式啟用，專注于提供砷化鎵基化合物光電芯片中試代工服務。截至2024年6月末，該平臺已與30余家光電芯片企業(yè)達成意向服務協(xié)議，其中已與近20家簽署中試代工合同，合計提供超百次服務。

據(jù)悉，光電子先導院于2024年對先進光子器件工程創(chuàng)新平臺進行全面升級。一方面，計劃投資2.2億元，新增高可靠車規(guī)級激光器芯片工藝設(shè)備，開發(fā)面向車載激光雷達領(lǐng)域的激光器芯片工藝技術(shù)，進一步增強化合物光電芯片研發(fā)、中試代工能力；另一方面，計劃投資7.5億元，補充硅光工藝設(shè)備，開發(fā)130nm硅光工藝技術(shù)。

值得一提的是，光電子先導院在今年7月初與國家開發(fā)銀行陜西省分行簽訂總額為5億元的28年超長期貸款協(xié)議，共同加速“先進光子器件工程創(chuàng)新平臺”升級。（集邦化合物半導體Zac整理）

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