其中，年產(chǎn)1600噸碳化硅襯底材料項目簽約方為蘇州冠嵐新材料有限公司（以下簡稱冠嵐新材料）。

source：安吉發(fā)布

資料顯示，冠嵐新材料成立于2021年9月，主要產(chǎn)品為大尺寸、高純度、低成本第三代半導(dǎo)體SiC原材料、SiC鍍膜，目前國產(chǎn)化原材料產(chǎn)品已驗證完成，獲國內(nèi)外多家客戶認(rèn)證。冠嵐新材料采用獨有的升級的化學(xué)氣相沉積的原材料技術(shù)，生產(chǎn)出的晶棒較厚、成本較低、純度較高。

2023年12月，冠嵐新材料完成A輪融資，投資方包括萬安投資、國升基金、隆晟基業(yè)。

值得一提的是，近期還有另外一個SiC項目簽約落地安吉縣所在的浙江湖州市。5月9日，據(jù)“南太湖發(fā)布”官微披露，浙江湖州南太湖新區(qū)管理委員會和安徽源芯微電子有限責(zé)任公司（以下簡稱源芯微電子）舉行源芯微電子年產(chǎn)20億只車規(guī)級芯片智造項目簽約儀式。

據(jù)悉，此次簽約落地的年產(chǎn)20億只車規(guī)級芯片智造基地和SiC車規(guī)級芯片研究院項目總投資10億元，分兩期建設(shè)，全部達產(chǎn)后年產(chǎn)值約18億元。

此外，東尼電子2021年非公開發(fā)行募投項目“年產(chǎn)12萬片碳化硅半導(dǎo)體材料”的實施地點位于湖州市吳興區(qū)織里鎮(zhèn)。該項目總投資4.69億，由子公司東尼半導(dǎo)體負責(zé)建設(shè)。這一項目已于2023年上半年實施完畢。

今年3月18日，湖州市生態(tài)環(huán)境局公示了對東尼電子擴建SiC項目的環(huán)評文件審批意見。根據(jù)公告內(nèi)容，東尼半導(dǎo)體計劃利用東尼五期廠區(qū)廠房，實施擴建年產(chǎn)20萬片6英寸SiC襯底材料項目。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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