source：山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)

據(jù)山西華芯半導體晶體材料產(chǎn)業(yè)基地負責人介紹，一期項目已于2022年建成投產(chǎn)，二期項目主要用于多種化合物半導體材料的研發(fā)、生產(chǎn)及加工，將布局大尺寸藍寶石生長加工項目、軍工大尺寸透明裝甲單晶生產(chǎn)研發(fā)項目、第三四代化合物半導體晶體研發(fā)、生長及晶體加工項目。項目全部達產(chǎn)后，可實現(xiàn)年產(chǎn)720萬片半導體晶片襯底，實現(xiàn)中高端化合物半導體材料覆蓋。

據(jù)悉，藍寶石晶體是現(xiàn)代工業(yè)重要的基礎(chǔ)材料，其主要產(chǎn)品為半導體晶圓襯底，應(yīng)用領(lǐng)域為LED顯示芯片，尤其是Mini LED、Micro LED等高端顯示類產(chǎn)品，也廣泛應(yīng)用于消費類電子和高端光電窗口。

據(jù)了解，2023年初該項目一期首顆大公斤級藍寶石晶體成功取晶。大公斤級藍寶石晶體一個生長周期一般是11天至13天，生長的過程是把氧化鋁原料放到單晶爐內(nèi)，升溫至2100℃，晶體在晶種上慢慢生長，生長到規(guī)定的公斤數(shù)。目前該項目藍寶石晶體已經(jīng)成功實現(xiàn)量產(chǎn)。

作為該項目投資方，山西華芯晶圖科技有限公司成立于2021年7月，注冊資本8000萬人民幣，經(jīng)營范圍含光電子器件制造、光電子器件銷售、電子元器件零售、電子元器件批發(fā)。（集邦化合物半導體整理）

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source：長光華芯

長光華芯指出，本次項目封頂標志著長光華芯在多種化合物半導體光電芯片、器件等方面的產(chǎn)能、研發(fā)水平、橫向擴展和縱向延伸能力都將邁上新臺階。

橫向覆蓋從可見光、近紅外、中波、長波多波段激光芯片和硅光集成芯片，縱向延伸從激光顯示、工業(yè)激光、光通訊、激光傳感到生命科學與健康等主流應(yīng)用和未來產(chǎn)業(yè)。

集邦化合物半導體了解到，長光華芯先進化合物半導體光電子平臺項目位于蘇州科技城普陀山路北側(cè)、漓江路東側(cè)地塊，項目總占地面積約31畝，含生產(chǎn)中心、研發(fā)中心、動力站及配套設(shè)施，旨在建設(shè)國內(nèi)一流的半導體激光芯片研發(fā)及生產(chǎn)平臺。

作為省重點項目，該項目將打造先進化合物半導體光電子研發(fā)生產(chǎn)平臺，進行氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等激光器和探測器用2-3英寸芯片產(chǎn)線建設(shè)及器件封裝等。項目于2023年12月開工，預計2025年建成并全面投產(chǎn)。

項目建成后，將具備年產(chǎn)1億顆芯片、500萬器件的能力，在目前國際領(lǐng)先的6英寸化合物生產(chǎn)線基礎(chǔ)上，推動研發(fā)硬件條件以及研發(fā)生產(chǎn)水平全面達到國際頂尖，具備多領(lǐng)域的國產(chǎn)器件與模塊進口替代能力，全力構(gòu)建上下游創(chuàng)新協(xié)同、供應(yīng)鏈互通的新一代中國激光國產(chǎn)化產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈，推動蘇州高新區(qū)光子產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

據(jù)公開資料顯示，長光華芯成立于2012年，聚焦半導體激光器行業(yè)，專注于半導體激光芯片、器件、模塊及激光器等。公司于2022年4月1日登陸科創(chuàng)板，成為A股第一家半導體激光芯片上市公司。其股東陣容豪華，包括華為哈勃、國投創(chuàng)投（上海）、華工科技、華泰證券、匯鴻集團等。

今年4月，長光華芯車載激光雷達芯片產(chǎn)品順利通過車規(guī)級AEC-Q102認證，加上去年12月份通過的IATF16949質(zhì)量體系認證，長光華芯已拿到進入汽車電子行業(yè)的兩張通行證。7月，長光華芯攜手鎵銳芯光，共同進軍可見光領(lǐng)域，填補國內(nèi)在氮化鎵藍綠光激光器領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化的空白。（集邦化合物半導體整理）

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資料顯示，芯動半導體無錫“第三代半導體模組封測項目”制造基地，總投資 8 億元，建筑面積約 30000㎡，規(guī)劃車規(guī)級模組年產(chǎn)能 120 萬套。項目于2023年2月開工，2024年2月完工。

據(jù)悉，2022年10月，長城汽車公告稱，公司擬使用自有資金與魏建軍、穩(wěn)晟科技共同出資設(shè)立芯動半導體，注冊資本5000萬元，其中公司認繳出資額1000萬元，占比20%；穩(wěn)晟科技認繳出資3500萬元，占比70%。

圖片來源：芯動半導體

集邦化合物半導體了解到，魏建軍是長城汽車公司的董事長、實控人，也是穩(wěn)晟科技的直接控制人。也就是說，芯動半導體是長城汽車進入功率半導體賽道的重要一環(huán)，承載著長城汽車自主造芯的遠大目標。

除了建設(shè)第三代半導體功率模塊封測項目外，芯動半導體還與業(yè)內(nèi)碳化硅大廠開展了相關(guān)業(yè)務(wù)合作。

2023年12月1日，芯動半導體與博世汽車電子在上海簽署碳化硅長期訂單合作協(xié)議。

2024年，3月8日，芯動半導體與意法半導體在深圳簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議。

芯動半導體與博世汽車電子、意法半導體就SiC產(chǎn)品達成戰(zhàn)略合作，有助于穩(wěn)定長城汽車SiC功率模塊供應(yīng)鏈，也反映了功率模組公司和OEM提前鎖定上游SiC芯片資源的產(chǎn)業(yè)趨勢。（集邦化合物半導體整理）

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據(jù)介紹，半導體激光雷達及傳感器件產(chǎn)業(yè)化項目位于天衢新區(qū)崇德八大道以東、尚德五路以南，總建筑面積約25萬平方米，主要建設(shè)產(chǎn)線10條，用于開展砷化鎵（GaAs）襯底外延生產(chǎn)、器件模組制造和封裝測試。

項目建成后,預計年產(chǎn)激光雷達約100萬臺、傳感器件約4.5億個、發(fā)射器件0.5億個、接收器件0.5億個、模組約215萬套。

source：山東高速德建集團

“我們可生產(chǎn)激光雷達、慣導、射頻傳感器、激光發(fā)射及接收器件、3D模組等10余種產(chǎn)品，全面建成達產(chǎn)后，年銷售收入60億元，年稅收不低于2億～3億元?！表椖控撠熑私鹁S召說。

據(jù)集邦化合物半導體了解到，該項目投資方為廣東先導稀材股份有限公司——先導科技集團子公司。
除了山東德州項目，先導科技集團在武漢投建的化合物半導體相關(guān)項目也有新進展。

2024年3月，先導科技集團擬投資120億元，在武漢東湖綜保區(qū)建設(shè)高端化合物半導體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化基地項目，以填補光谷光通信及激光產(chǎn)業(yè)所需半導體襯底、外延材料的空白。

據(jù)湖北日報近日報道，該項目已于7月底實質(zhì)開工。

source：湖北日報

“項目共有19棟建筑，較早前規(guī)劃，預計明年年前就可提前封頂?！毕葘竟怆娮涌萍迹ㄎ錆h）有限公司負責人熊威說，當前國產(chǎn)光通信、射頻芯片正處上升期，“光谷項目的早日投產(chǎn)，將幫助企業(yè)搶到市場優(yōu)勢身位，進而帶動周邊產(chǎn)業(yè)鏈共享發(fā)展先機?！保罨衔锇雽wMorty整理）

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source：光電子先導院

官網(wǎng)資料顯示，光電子先導院成立于2015年10月，面向光子產(chǎn)業(yè)，專注于化合物半導體領(lǐng)域。目前，光電子先導院已經(jīng)建成了光子芯片公共服務(wù)平臺和先進光子器件工程創(chuàng)新平臺，擁有化合物芯片關(guān)鍵設(shè)備100余臺（套），擁有百級到十萬級潔凈廠房8000㎡，具備砷化鎵（GaAs）等化合物半導體材料的光刻、刻蝕、薄膜制備等關(guān)鍵工藝能力，是集研發(fā)、中試、檢測等全流程技術(shù)服務(wù)于一體的光電子芯片共性技術(shù)平臺。

其中，光電子先導院打造的先進光子器件工程創(chuàng)新平臺于2023年3月正式啟用，專注于提供砷化鎵基化合物光電芯片中試代工服務(wù)。截至2024年6月末，該平臺已與30余家光電芯片企業(yè)達成意向服務(wù)協(xié)議，其中已與近20家簽署中試代工合同，合計提供超百次服務(wù)。

據(jù)悉，光電子先導院于2024年對先進光子器件工程創(chuàng)新平臺進行全面升級。一方面，計劃投資2.2億元，新增高可靠車規(guī)級激光器芯片工藝設(shè)備，開發(fā)面向車載激光雷達領(lǐng)域的激光器芯片工藝技術(shù)，進一步增強化合物光電芯片研發(fā)、中試代工能力；另一方面，計劃投資7.5億元，補充硅光工藝設(shè)備，開發(fā)130nm硅光工藝技術(shù)。

值得一提的是，光電子先導院在今年7月初與國家開發(fā)銀行陜西省分行簽訂總額為5億元的28年超長期貸款協(xié)議，共同加速“先進光子器件工程創(chuàng)新平臺”升級。（集邦化合物半導體Zac整理）

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萬業(yè)企業(yè)與國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心達成戰(zhàn)略合作

8月19日，據(jù)上海萬業(yè)企業(yè)股份有限公司（以下簡稱：萬業(yè)企業(yè)）官微消息，萬業(yè)企業(yè)8月16日與國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）在蘇州納米城舉辦的國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）2024年發(fā)展戰(zhàn)略研討會現(xiàn)場舉行了《協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展全面戰(zhàn)略合作協(xié)議》簽署儀式。

source：萬業(yè)企業(yè)

根據(jù)協(xié)議，雙方將瞄準第三代半導體產(chǎn)業(yè)應(yīng)用需求，圍繞先進半導體設(shè)備和工藝關(guān)鍵技術(shù)，共同培育和承擔各類重大項目。

具體來看，此次攜手合作，雙方將共建國家第三代半導體創(chuàng)新中心先進化合物半導體器件制造中心與第三代半導體工藝技術(shù)開發(fā)平臺，圍繞先進半導體設(shè)備和工藝關(guān)鍵技術(shù)，設(shè)置研發(fā)課題，聯(lián)合攻堅關(guān)鍵工藝節(jié)點核心工藝技術(shù)問題，合力開展關(guān)鍵工藝技術(shù)開發(fā)，推動第三代半導體芯片制程量產(chǎn)關(guān)鍵設(shè)備國產(chǎn)化、標準化，實現(xiàn)技術(shù)自主可控。

資料顯示，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）由江蘇第三代半導體研究院有限公司作為主體承建單位，聚焦第三代半導體在新型顯示、5G通信、電力電子、環(huán)境與健康等領(lǐng)域的應(yīng)用，開展第三代半導體高質(zhì)量材料制備技術(shù)、器件外延技術(shù)、芯片工藝技術(shù)、應(yīng)用模塊設(shè)計與集成技術(shù)、相關(guān)裝備技術(shù)等關(guān)鍵共性技術(shù)研發(fā)和成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，建立覆蓋第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈條、全體系的創(chuàng)新平臺。

萬業(yè)企業(yè)成立于1991年10月，是一家半導體設(shè)備材料廠商。近年來，萬業(yè)企業(yè)陸續(xù)收購凱世通、Compart Systems，成立嘉芯半導體，持續(xù)加大集成電路在公司整體業(yè)務(wù)中的比重。目前，萬業(yè)企業(yè)已形成多個半導體前道核心設(shè)備產(chǎn)品線，業(yè)務(wù)覆蓋集成電路離子注入機、刻蝕、薄膜沉積、快速熱處理等多類主制程設(shè)備以及尾氣處理等支撐制程設(shè)備。

作為萬業(yè)企業(yè)控股子公司，凱世通專注于為下游晶圓廠提供覆蓋邏輯、存儲、功率、CIS四大應(yīng)用領(lǐng)域的設(shè)備。其自主研發(fā)生產(chǎn)的低能大束流離子注入機和超低溫離子注入機，已經(jīng)率先通過了國內(nèi)多家重點12英寸晶圓廠的驗證驗收，并實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

凱世通自去年開始研發(fā)投入多款面向細分領(lǐng)域的離子注入機，包括SOI氫離子注入機、6/8英寸碳化硅高溫離子注入機、中束流離子注入機、超高能離子注入機等特色工藝設(shè)備。

武高新-常大化合物半導體創(chuàng)新聯(lián)合體揭牌

8月15日，據(jù)“武進國家高新區(qū)”官微消息，武進國家高新區(qū)-常州大學化合物半導體創(chuàng)新聯(lián)合體正式簽約揭牌。

source：武進國家高新區(qū)

該聯(lián)合體建設(shè)單位主要有常州大學、西安電子科技大學、武進區(qū)人民政府、武進國家高新區(qū)管委會以及縱慧芯光、承芯半導體等化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)。聯(lián)合體一期建設(shè)投入經(jīng)費1000萬元，建設(shè)期兩年，擬設(shè)立科研創(chuàng)新計劃項目不低于40項。

據(jù)悉，武進國家高新區(qū)聚焦化合物半導體，以化合物半導體制造、特色集成電路設(shè)計、半導體核心材料與設(shè)備為產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點方向，目前累計引進落戶了縱慧芯光、承芯半導體、快克芯、臻晶半導體、圣創(chuàng)半導體、毫厘智能等60多個產(chǎn)業(yè)鏈項目。

其中，縱慧芯光成立于2015年，是國內(nèi)較早從事VCSEL激光芯片3D感知應(yīng)用研發(fā)的企業(yè)，自有外延產(chǎn)線和封測產(chǎn)線，提供VCSEL激光芯片及模組和外延片的研發(fā)制造與服務(wù)，核心產(chǎn)品為3D感知應(yīng)用的VCSEL芯片、激光雷達（LiDAR）高功率VCSEL芯片解決方案。項目進展方面，縱慧芯光建設(shè)有國內(nèi)第一條6英寸GaAs外延片生產(chǎn)線。

臻晶半導體是一家專業(yè)從事第三代半導體碳化硅的液相法晶體生長及襯底制備研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的廠商。其基于液相法單晶爐制備技術(shù)、多元活性助溶技術(shù)生產(chǎn)出了低成本6英寸碳化硅晶體。（集邦化合物半導體Zac整理）

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中微公司臨港產(chǎn)業(yè)化基地正式啟用

8月2日，據(jù)中微公司官微消息，中微公司宣布其臨港產(chǎn)業(yè)化基地正式啟用。據(jù)悉，中微公司臨港產(chǎn)業(yè)化基地占地約157畝、總建筑面積約18萬平方米，配備實驗室、潔凈室、生產(chǎn)車間及智能化立體倉庫等設(shè)施，可實現(xiàn)生產(chǎn)全程數(shù)字化、智能化管理。

source：中微公司

項目進展方面，2023年7月，14萬平方米的中微公司南昌生產(chǎn)研發(fā)基地落成并投入使用；目前，位于滴水湖畔的中微臨港總部暨研發(fā)大樓也正在建設(shè)中，建成后占地面積約10萬平方米。未來，中微公司的生產(chǎn)和研發(fā)基地總面積將達到約45萬平方米。

業(yè)務(wù)進展方面，中微公司在刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、MOCVD設(shè)備等領(lǐng)域均取得了突破。在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，憑借刻蝕設(shè)備雙臺機技術(shù)，中微公司率先提出“皮米級”加工精度概念，其刻蝕精度已經(jīng)達到100“皮米”以下水平，相當于頭發(fā)絲350萬分之一的精準度，能夠滿足90%以上的刻蝕應(yīng)用需求。

半導體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域，中微公司推出了Preforma Uniflex? CW、Preforma Uniflex? HW、Preforma Uniflex? AW等多款新產(chǎn)品。此外，其新開發(fā)的硅和鍺硅外延EPI設(shè)備、晶圓邊緣Bevel刻蝕設(shè)備等多款新產(chǎn)品，也會在近期投入市場驗證。

在MOCVD設(shè)備領(lǐng)域，中微公司自推出第一代MOCVD設(shè)備PRISMO A7?以來，不斷豐富產(chǎn)品線且快速升級迭代，目前在Mini LED等氮化鎵基設(shè)備領(lǐng)域，中微公司的市場占有率穩(wěn)居前列，并持續(xù)開發(fā)用于氮化鎵、碳化硅等功率器件及Micro-LED器件制造的MOCVD設(shè)備。

總投資33.87億元，格創(chuàng)·華芯半導體園區(qū)落成

8月4日，據(jù)“珠海高新區(qū)”官微消息，格創(chuàng)·華芯半導體園區(qū)落成暨設(shè)備進機儀式于8月3日舉行。

source：珠海高新區(qū)

據(jù)了解，格創(chuàng)·華芯半導體園區(qū)總投資33.87億元。此次實現(xiàn)設(shè)備進機的格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地主體工程項目——華芯微電子首條6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)化合物半導體微波集成電路（MMIC）及VCSEL芯片，建成后將成為廣東省內(nèi)首家砷化鎵代工廠，預計今年11月竣工驗收并工藝通線、2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。該項目于2023年7月正式開工，僅用時184天便實現(xiàn)項目主體封頂。

資料顯示，華芯微電子是華芯（珠海）半導體有限公司（以下簡稱珠海華芯）全資子公司，后者是一家半導體集成電路產(chǎn)品與服務(wù)供應(yīng)商。珠海華芯擁有外延金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）設(shè)備、芯片工藝設(shè)備和封裝設(shè)備等，主要從事尖端化合物半導體光電子芯片及其應(yīng)用產(chǎn)品的研究、開發(fā)與生產(chǎn)，主要產(chǎn)品為高亮度LED、藍綠光半導體激光管、垂直腔面發(fā)射（VCSEL）光子芯片、DFB光子芯片、EML光子芯片以及高亮度半導體激光芯片等。

艾銳光電化合物半導體平臺項目二期主體廠房封頂

8月1日，據(jù)“日照開發(fā)區(qū)發(fā)布”官微消息，艾銳光電化合物半導體平臺項目2#廠房主體結(jié)構(gòu)7月31日順利封頂。據(jù)介紹，主體封頂后，該項目擬計劃于近幾個月將后期的填充墻砌筑，內(nèi)外墻裝飾抹灰，樓、地面及門窗安裝和保溫涂料工程全部完成。

source：日照開發(fā)區(qū)發(fā)布

據(jù)悉，該項目總投資約2.6億元。一期投資1.4億元，建設(shè)MOCVD（金屬有機氣相外延）、MBE（分子束外延）生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)2英寸和3英寸磷化銦外延片，預計年產(chǎn)量約5000片；二期投資1.2億元，以一期項目磷化銦外延片為原料，新上芯片處理設(shè)備，進行激光器封裝及光模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)，形成300萬TO-CAN光器件、100萬光模塊的年產(chǎn)能。

據(jù)介紹，艾銳光電還計劃新上測試臺，ATE功能測試系統(tǒng)近20套，形成6條組裝生產(chǎn)線，達到年組裝36萬個光模塊的產(chǎn)能。

作為一家光組件及芯片研發(fā)商，艾銳光電集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體，為用戶提供光通信及傳感用激光芯片、光器件、組件及光模塊，以及光組件、模塊產(chǎn)品的設(shè)計方案和技術(shù)服務(wù)。艾銳光電以基于啁啾控制的高速DML激光器技術(shù)為切入點，研發(fā)10G DML激光器、25G DFB/FP等產(chǎn)品，面向10G-PON、NGPON2、5G無線前傳、及100G數(shù)據(jù)中心等市場。（來源：LEDinside）

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source：先導科技集團

據(jù)介紹，海飛通400G QSFP112 SR4光模塊應(yīng)用場景兼容性強。該光模塊的外形尺寸與100G QSFP28、200G QSFP56光模塊標準尺寸保持一致。在模塊散熱及功耗上，選用了DSP、DCDC電源芯片、Driver、TIA等高效率、低功耗的核心元器件，溫度保持在0-70℃內(nèi)，模塊功耗低于8W，兼顧了小尺寸與低功耗。此外，模塊的消光比、TDECQ、靈敏度、BER等關(guān)鍵技術(shù)指標，可滿足SR4標準。經(jīng)實測，OM4光纖傳輸距離超過150m（標準100m），性能追平頭部光模塊企業(yè)同類產(chǎn)品。

同時，海飛通400G QSFP112 SR4光模塊光電性能俱佳。軟件基于CMIS 5.2設(shè)計，已通過軟件壓力測試。在實際使用中，交換機的穩(wěn)定性、光纖工藝的一致性、周邊環(huán)境中的溫度、電磁輻射等因素都有可能會導致傳輸數(shù)據(jù)的信號頻率發(fā)生一定范圍的偏移。為模擬惡劣的應(yīng)用環(huán)境，海飛通光模塊按照測試儀表可設(shè)定的最大范圍500ppm、步進100ppm（標準100ppm、步進10ppm）進行頻偏測試，結(jié)果顯示，超過3000 cycle掛機無丟包。

官網(wǎng)資料顯示，海飛通成立于2019年，一期凈化車間面積近1500平米，是一家自主研發(fā)、生產(chǎn)和銷售TO-CAN、OSA器件及激光傳感探測器的廠商。目前，海飛通的產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于光纖通信、光纖傳感、激光雷達、微波光學等領(lǐng)域。

先導科技集團于1995年開始涉足稀散金屬行業(yè)，作為材料科學探索與實踐領(lǐng)域中的先行者，先導科技集團持續(xù)聚焦稀散金屬及其高端材料、器件、模組、系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和回收服務(wù)。其子公司先導稀材是世界半導體市場中的主要供應(yīng)商之一，其生產(chǎn)的襯底晶片、金屬有機源、特種氣體及最終的外延產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于射頻器件和光電器件市場。（來源：先導科技集團，集邦化合物半導體整理）

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source：中建八局

項目位于上海臨港新片區(qū)總建筑面積約5.8萬平方米，總投資11.6億元，由生產(chǎn)廠房及其配套設(shè)施等6個單體構(gòu)成，著力打造國內(nèi)領(lǐng)先、國際一流的紅外探測器研發(fā)與生產(chǎn)基地。項目主要提供從銻化物晶片到探測器成像組件的全套解決方案，建成后將形成年產(chǎn)1萬套焦平面探測器的能力，達產(chǎn)后可實現(xiàn)年銷售收入10億元。

據(jù)悉，該項目隸屬于中航凱邁（上海）紅外科技有限公司（下文簡稱中航紅外）。公司是中國空空導彈研究院控股子公司，主要從事軍民兩用紅外探測器及紅外光學研發(fā)生產(chǎn)，年產(chǎn)值近10億元。公司建有紅外探測器技術(shù)航空科技重點實驗室、河南省探測器工程技術(shù)研究中心等。

2021年9月8日，臨港新片區(qū)管委會與中航紅外簽訂投資協(xié)議，共同推動中航紅外新一代化合物半導體研制基地項目落地臨港。

2022年7月19日，中航紅外成功摘得自貿(mào)區(qū)臨港新片區(qū)重裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)J09-01B地塊33436.6平方米工業(yè)用地，并與上海市規(guī)劃和國土資源管理局簽訂土地出讓合同，標志著新一代化合物半導體研制基地項目落戶上海臨港。

2023年12月24日，新一代化合物半導體研制基地項目全面封頂，標志著項目高效、安全地完成了主體結(jié)構(gòu)建設(shè)任務(wù)。

如今，隨著該項目迎來竣工并通過驗收，后續(xù)將助力我國提升紅外探測器自主創(chuàng)新能力。（集邦化合物半導體Morty整理）

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漢磊深耕化合物半導體中的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）長達10年以上，也是中國臺灣少數(shù)半導體業(yè)擁有SiC、GaN技術(shù)的廠商，但旗下的晶圓廠都屬6英寸廠，隨著國際大廠與國內(nèi)同業(yè)逐漸建立化合物半導體8英寸生產(chǎn)線，漢磊也開始展開進軍8英寸廠的準備。

source：漢磊

漢磊董事長徐建華于上周股東會后受訪指出，目前漢磊正積極進行8寸廠的準備，包括技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)，但就生產(chǎn)而言，自己蓋晶圓廠的成本太高，將找已有8英寸廠的企業(yè)策略合作，才具最佳經(jīng)濟效益。

就合作時間考量，徐建華表示，因目前8寸襯底價格超過6英寸三倍，他估計大約還要等一年到一年半的時間，等襯底降到合理價格，將是發(fā)展8英寸的最好時機點。他并說，可能今年就可敲定合作對象，目前不方便透露。

半導體業(yè)界透露，力積電在化合物半導體欠缺技術(shù)，尤其是門檻較高的SiC，8英寸廠產(chǎn)能利用率也不高，漢磊將與力積電合作，擬采技術(shù)作價方式，雙方資源互補，以達經(jīng)濟效益，目前洽談合作中。
隨著產(chǎn)業(yè)往高頻的5G通訊、高電壓的電動車發(fā)展，未來AI更是看好，擁有高頻、高電壓的GaN、SiC的化合物半導體前景看好，徐建華尤其看好SiC，包括電動車、能源與AI，都會驅(qū)動SiC的應(yīng)用與需求大幅提升。

不過，化合物半導體以國際大廠包括Wolfspeed、英飛凌（Infineon）、安森美（ON Semi）等歐美日廠商為主，近幾年中國大陸積極投入資源，砸重金搶占市場，企圖彎道超車，產(chǎn)能大幅開出、殺價競爭，傳出SiC報價比漢磊少一半以上，漢磊與力積電未來在8吋廠攜手合作，也很難與中國大陸競爭。（來源：自由時報）

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