據(jù)日經亞洲7月8日報道，因看好AI人工智能、電動車（EV）、減碳市場的前景，搶奪市場商機，索尼、三菱電機、羅姆、東芝、鎧俠、瑞薩、Rapidus、富士電機等8家日本企業(yè)將在截至2029年對半導體領域投資5萬億日元。

而日經新聞對索尼、三菱電機、羅姆、東芝、瑞薩電子、Rapidus等日本多家芯片制造商2021財年~2029財年的資本投資計劃分析發(fā)現(xiàn)，為了振興日本國內芯片產業(yè)，這些企業(yè)將加大對功率半導體、傳感器和邏輯芯片的投資，而這些正是被視為人工智能、脫碳和電動汽車等增長領域的核心技術。

其中，索尼將在2021-2026年度期間投資約1.6萬億日元、增加CMOS圖像傳感器產能。資料顯示，索尼是全球知名的圖像傳感器廠商，索尼芯片業(yè)務負責人Terushi Shimizu此前曾預計，到2025年4月開始的新財年，索尼在全球圖像傳感器市場的份額將達到60%。

2023年12月，索尼集團在生產圖像傳感器的長崎科技中心(長崎縣諫早市)舉行了擴建工程竣工儀式，并宣布計劃在熊本縣建設生產圖像傳感器的新工廠，配合此次長崎工廠的擴建，完善供應體制。日經新聞2022年曾報道，索尼計劃在熊本縣投資數(shù)千億日元建設新工廠，用于生產智能手機圖像傳感器，并計劃最快于2024年破土動工，并2025年投產。

圖片來源：拍信網正版圖庫

東芝和羅姆則因看好AI數(shù)據(jù)中心、EV市場需求的擴大，雙方計劃將合計投資約3,800億日元，增產硅（Si）基、碳化硅（SiC）功率半導體。

2023年12月，東芝發(fā)布新聞稿稱，已與羅姆就合作制造功率器件達成協(xié)議，將分別對硅（Si）功率器件和碳化硅（SiC）進行增效投資，總投資金額為3883億日元，有效提升其供應能力，并以互補的方式利用對方的產能。

其中，羅姆計劃在九州島南部宮崎縣建造一座新工廠，并將投資2892億日元用于其主導的SiC（碳化硅）晶圓生產。東芝則出資近1000億日元，在日本中部石川縣建設一座尖端的300mm晶圓制造工廠。

此外，三菱電機則計劃投資1000億日元在熊本縣興建設新工廠生產碳化硅（SiC）功率半導體，預計2026年4月投入運營。三菱電機的目標是在2026年度將SiC功率半導體產能提高至2022年度的5倍。三菱電機社長漆間啟表示，“將建構能夠與全球龍頭廠英飛凌相競爭的體制”。

瑞薩方面，2022年，為應對功率半導體領域持續(xù)增長的需求，瑞薩電子宣布計劃斥資900億日元，將此前已關閉的甲府工廠改建為12英寸晶圓廠。今年4月11日，該工廠正式重啟。據(jù)瑞薩電子此前預計，該工廠將于2025年開始量產IGBT、功率MOSFET等功率器件，翻倍瑞薩電子整體的功率半導體產能。

至于邏輯半導體領域，目前，日本半導體“新貴”Rapidus計劃在北海道生產2納米芯片，總投資金額達2萬億日元，其中日本政府決定對該公司補助9,200億日元。Rapidus計劃在2025年4月啟動2納米邏輯芯片試產，2027年大規(guī)模量產。（來源：全球半導體觀察）

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