時間跨入2024年，據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，截至目前，碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈已披露了超過50起廠商融資進展，盡管與去年同期相比在數(shù)量上有所回落，但這一數(shù)字依然顯示出投資者對碳化硅產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景的認可與信心。

44家碳化硅相關廠商獲融資，單筆最高43.28億元

具體來看，據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，2024年碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈共有44家企業(yè)獲得融資。其中，南砂晶圓、中車時代半導體、至信微電子、悉智科技、中科光智、思銳智能、蓋澤精密7家企業(yè)在2024年均已完成2輪融資。

從已披露的融資金額來看，多家企業(yè)完成了超5億元人民幣單筆融資，其中包括中車時代半導體的43.28億元和6.3億元戰(zhàn)略融資、芯粵能的10億元A輪融資以及晶能微電子的5億元B輪融資。

碳化硅襯底、器件、設備細分賽道均為投資熱土

分碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)來看，襯底、器件、設備細分領域均有企業(yè)完成新一輪融資，表明企業(yè)在任何環(huán)節(jié)有拿手好戲或取得一定的突破，都有機會成為資本市場寵兒。

襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的上游和源頭，襯底產(chǎn)能和質(zhì)量決定了后續(xù)的器件產(chǎn)能和性能，2024年，包括青禾晶元、粵海金在內(nèi)的部分碳化硅襯底廠商獲得了投資機構青睞。

整體來看，2023年有更多碳化硅襯底廠商獲得融資，包括天科合達、?？瓢雽w、乾晶半導體等，而2024年已完成新一輪融資的襯底企業(yè)相對較少，這與襯底細分領域的發(fā)展現(xiàn)狀有一定關系。

碳化硅襯底產(chǎn)能曾經(jīng)是制約碳化硅產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的一個重要因素。隨著近年來全球碳化硅襯底產(chǎn)能大幅提升，碳化硅襯底供過于求現(xiàn)象已開始顯現(xiàn)，碳化硅襯底市場價格的持續(xù)走低已經(jīng)在一定程度上印證了這一點。

今年年初，有市場消息稱，國內(nèi)主流6英寸碳化硅襯底報價參照國際市場每片750-800美元（約5400-5800元人民幣）的價格，快速下殺，價格跌幅近三成。而在近期，據(jù)國內(nèi)市場多位行業(yè)人士透露，2024年中期6英寸碳化硅襯底的價格已跌至500美元以下，到今年第四季度，價格進一步下降至450美元甚至400美元。

價格戰(zhàn)背景下，各大碳化硅襯底廠商的業(yè)務進展情況普遍不盡人意，也就不難理解為什么只有少數(shù)獲得重大技術突破的企業(yè)完成了新的融資。

器件廠商直接面對的是終端市場，對于碳化硅的應用和滲透發(fā)揮了重要作用，2024年碳化硅產(chǎn)業(yè)融資動態(tài)有相當一部分集中在器件領域，所涉廠商較多，包括積塔半導體、北一半導體等。

在碳化硅產(chǎn)業(yè)擴產(chǎn)浪潮中，首先爆發(fā)的是設備需求，相關企業(yè)在吃到產(chǎn)線建設紅利的同時，也獲得了投資機構加碼，2024年有近半數(shù)的融資事件都發(fā)生在設備領域，所涉企業(yè)也最多，包括邑文科技、硅酷科技、忱芯科技等。

小結

近年來，碳化硅產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展讓相關廠商如沐春風，誕生了相當數(shù)量有價值的投資標的，獲得了資本市場青睞，遍及上下游各個細分領域。未來一段時間，隨著碳化硅市場規(guī)模持續(xù)擴大，產(chǎn)業(yè)融資熱潮有望持續(xù)奔涌向前。

TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達到91.7億美金（約667億人民幣）。

已經(jīng)獲得融資的企業(yè)，大多數(shù)都將融資資金用于SiC產(chǎn)能擴充、技術研發(fā)、市場拓展等方面，有望進一步提升競爭力，獲得更大發(fā)展空間。而暫未收獲融資的廠商，通過打磨技術與產(chǎn)品，未來仍然有機會獲得資本市場拋來的橄欖枝。（文：集邦化合物半導體Zac）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

早在2022年9月，南砂晶圓就聯(lián)合山東大學成功實現(xiàn)8英寸導電型4H-SiC單晶和襯底的制備，采用物理氣相傳輸法（PVT）擴徑制備了8英寸導電型4H-SiC單晶，并加工成厚度為520μm的8英寸4H-SiC襯底。

為加速8英寸SiC襯底產(chǎn)業(yè)化，南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項目于2023年6月12日落地山東濟南，成立于2023年5月的中晶芯源是該項目的主建方。今年1月30日，中晶芯源8英寸SiC單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項目正式備案。

今年3月，南砂晶圓總經(jīng)理王垚浩在接受采訪時表示，該公司正在積極擴產(chǎn)濟南廠區(qū)，計劃將中晶芯源項目打造成為全國最大的8英寸SiC襯底生產(chǎn)基地，投資額15億元，于2025年實現(xiàn)滿產(chǎn)達產(chǎn)。

而在近日，中晶芯源8英寸SiC項目傳出了最新進展。6月22日，新一代半導體晶體技術及應用大會在濟南開幕。開幕式上，中晶芯源宣布8英寸SiC北方基地正式投產(chǎn)。

目前，南砂晶圓致力于降本增效。今年5月，南砂晶圓與中機新材簽訂了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。后者已在第三代半導體晶圓研磨拋光應用領域取得多項關鍵性技術突破，其首創(chuàng)的團聚金剛石技術，替代了多晶和類多晶，有效解決了生產(chǎn)過程中的環(huán)保和成本痛點。與中機新材合作，南砂晶圓有望在SiC產(chǎn)線關鍵環(huán)節(jié)實現(xiàn)降本。

伴隨著8英寸SiC項目投產(chǎn)，南砂晶圓有望進一步降低成本、提升SiC襯底產(chǎn)品競爭力，進而獲取更多的市場份額。（集邦化合物半導體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

在這股戰(zhàn)略合作熱潮中，又有兩家SiC廠商開啟了合作進程。5月23日，據(jù)中機新材官微披露，該公司在5月15日與南砂晶圓簽訂了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。由此，知名SiC襯底廠商與SiC晶圓研磨拋光材料頭部企業(yè)正式開啟戰(zhàn)略合作。

source：中機新材

SiC襯底產(chǎn)線關鍵角色

作為一家專注于高硬脆材料和高性能研磨拋光材料的技術研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的廠商，中機新材已在第三代半導體晶圓研磨拋光應用領域取得多項關鍵性技術突破，這為其進軍SiC產(chǎn)業(yè)并與知名廠商達成合作打下了一定的基礎。

據(jù)了解，在SiC晶圓制造過程中,切磨與拋光技術尤為關鍵,它直接決定了晶圓的表面質(zhì)量和使用性能。由此可見，SiC晶圓切磨拋耗材在襯底生產(chǎn)過程中扮演了重要角色。而中機新材目前已擁有切割、減薄、粗磨、精磨、粗拋、精拋全工藝環(huán)節(jié)的耗材產(chǎn)品，這意味著其在SiC產(chǎn)業(yè)會有較強的“存在感”。

據(jù)悉，傳統(tǒng)磨拋方案中，研磨液占SiC襯底原材料成本的15.5%，傳統(tǒng)多晶和類多晶研磨成本中高氯酸占總成本的30%，且高氯酸產(chǎn)生的環(huán)境污染時間長、范圍廣、難以根除。

而中機新材首創(chuàng)的團聚金剛石技術，替代了多晶和類多晶，有效解決了生產(chǎn)過程中的環(huán)保和成本痛點。耗液量方面，團聚金剛石方案用量僅為3μm單晶金剛石方案的20%。

中機新材團聚金剛石研磨材料已于2021年投入量產(chǎn)，在此基礎上，中機新材已成功進入比亞迪、天岳先進、同光股份、天域半導體、合盛硅業(yè)、晶盛機電等SiC產(chǎn)業(yè)鏈頭部企業(yè)。此次與南砂晶圓合作，中機新材重磅客戶再+1。

南砂晶圓瞄準降本需求

作為國內(nèi)SiC襯底頭部廠商，南砂晶圓對SiC晶圓研磨拋光材料需求量大，尤其是在擴產(chǎn)戰(zhàn)略下，因此與中機新材合作已是水到渠成。

近年來，南砂晶圓開啟了規(guī)模龐大的擴產(chǎn)計劃。其中之一是南砂晶圓在廣州南沙區(qū)布局了SiC項目，總投資9億元，該項目2023年4月已經(jīng)試投產(chǎn)，達產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬片。放眼近期所有SiC擴產(chǎn)項目，20萬片產(chǎn)能也能夠位居前列。

此外，南砂晶圓還正在積極擴建廠區(qū)，計劃將位于山東濟南的8英寸SiC單晶和襯底項目打造成為全國最大的8英寸SiC襯底生產(chǎn)基地，投資額達15億元，這是南砂晶圓另一大規(guī)模擴產(chǎn)項目。

不僅僅只有南砂晶圓，天岳先進、天科合達、三安光電等眾多廠商均推出了雄心勃勃的SiC襯底產(chǎn)能提升計劃，隨著相關項目進入量產(chǎn)階段，SiC襯底產(chǎn)品競爭也會日趨激烈，此時，在技術水平、價格等方面有優(yōu)勢的產(chǎn)品有望脫穎而出，贏得客戶青睞。

廠商如何達成更有競爭力的價格，降本是必須的。從上文不難看出，采用中機新材團聚金剛石研磨材料對于降低SiC襯底產(chǎn)品生產(chǎn)成本具有積極意義，尤其是規(guī)模效應下，其成效將會更加顯著，因而尋求與中機新材合作對于南砂晶圓等SiC襯底大廠而言具有較強的戰(zhàn)略意義。

小結

與南砂晶圓合作，中機新材有望獲得較大的產(chǎn)品訂單需求，進而推動業(yè)績增長，并進一步提高市場影響力。而與中機新材合作，南砂晶圓有望通過在產(chǎn)線關鍵環(huán)節(jié)實現(xiàn)降本增效，進而提升產(chǎn)品競爭力，擴大市場份額。

雙方達成戰(zhàn)略合作后，有望通過技術交流與定制化開發(fā)，推出更契合用戶和市場需求的產(chǎn)品，實現(xiàn)企業(yè)協(xié)同發(fā)展，達成互利雙贏。（文：集邦化合物半導體Zac）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

同時，公司的注冊資本發(fā)生變更，由34,560萬元提升3.24%至35,680萬元。

值得一提的是，南砂晶圓近一年來已完成了三輪融資。天眼查官網(wǎng)顯示，南砂晶圓目前已完成六輪融資，最近三輪分別發(fā)生在2023年7月、2024年1月以及2024年3月。

根據(jù)公司官網(wǎng)介紹，南砂晶圓成立于2018年9月，是一家從事碳化硅單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家高新技術企業(yè)。公司總部設在廣州市南沙區(qū)，現(xiàn)有廣州、中山、濟南三大生產(chǎn)基地，形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、碳化硅單晶生長和襯底制備等完整的生產(chǎn)線。

其中，濟南廠區(qū)正處于積極擴產(chǎn)期。據(jù)悉，南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項目于2023年6月12日落地山東濟南，成立于2023年5月的中晶芯源是該項目的主建方。今年1月30日，中晶芯源8英寸SiC單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項目正式備案。

目前，南砂晶圓計劃將中晶芯源打造成為全國最大的8英寸SiC襯底生產(chǎn)基地，投資額15億元，于2025年實現(xiàn)滿產(chǎn)達產(chǎn)。

而廣州方面，南砂晶圓于2020年7月啟動南砂晶圓碳化硅單晶材料與晶片生產(chǎn)項目，該項目總投資9億元，已于2023年4月試投產(chǎn)，達產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬片。

產(chǎn)品方面，目前，南砂晶圓以6、8英寸導電型和半絕緣型碳化硅襯底為主，并可視市場需求不斷豐富產(chǎn)品線。

其中，8英寸產(chǎn)品方面，2022年，南砂晶圓聯(lián)合山東大學晶體材料國家重點實驗室經(jīng)過多年的理論和技術攻關，實現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導電型4H-SiC單晶和襯底的制備。

2023年8月，山東大學與南砂晶圓在8英寸SiC襯底位錯缺陷控制方面取得了重大突破，使用物理氣相傳輸法實現(xiàn)了近“零螺位錯（TSD）”密度和低基平面位錯（BPD）密度的8英寸導電型4H-SiC單晶襯底制備，其中螺位錯密度為0.55 cm-2，基平面位錯密度為202 cm-2。據(jù)悉，近“零TSD”和低BPD密度的8英寸SiC襯底制備，有助于加快國產(chǎn)8英寸SiC襯底的產(chǎn)業(yè)化進程，提升市場競爭力。（集邦化合物半導體 Winter整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

source：南砂晶圓

據(jù)悉，南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項目于2023年6月12日落地山東濟南，成立于2023年5月的中晶芯源是該項目的主建方。今年1月30日，中晶芯源8英寸SiC單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項目正式備案。

項目方面，南砂晶圓還在廣州南沙區(qū)布局了SiC項目，總投資9億元，該項目2023年4月已經(jīng)試投產(chǎn)，達產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬片。

產(chǎn)品方面，2021年，南砂晶圓正式啟動導電型襯底研發(fā)；2022年9月，南砂晶圓聯(lián)合山東大學成功實現(xiàn)8英寸導電型4H-SiC單晶和襯底的制備，采用物理氣相傳輸法（PVT）擴徑制備了8英寸導電型4H-SiC單晶，并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC襯底；2023年南砂晶圓導電型襯底對部分客戶進入批量供貨階段。

技術研發(fā)和產(chǎn)能建設持續(xù)深化助推南砂晶圓受到資本市場青睞，自2021年以來，南砂晶圓已相繼完成5輪融資，投資方包括華民基金、華訊方舟基金、揚子江基金、魯信創(chuàng)投、渾璞投資、鼎心資本、中廣投資等機構。

隨著中晶芯源8英寸SiC項目建成達產(chǎn)，南砂晶圓8英寸SiC襯底產(chǎn)能有望位居行業(yè)前列。（集邦化合物半導體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

1月30日，山東中晶芯源半導體科技有限公司（以下簡稱中晶芯源）8英寸SiC單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項目正式備案。據(jù)悉，該項目于2023年6月12日落地山東濟南，計劃在2025年滿產(chǎn)達產(chǎn)，成立于2023年5月的中晶芯源是該項目的主建方。

股東信息顯示，中晶芯源由廣州南砂晶圓半導體技術有限公司（以下簡稱南砂晶圓）全資控股，后者成立于2018年8月，從事SiC單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品主要以6英寸半絕緣和N型SiC襯底為主。

近年來，在8英寸SiC襯底熱度持續(xù)上漲趨勢下，南砂晶圓積極投身8英寸賽道。2022年9月8日，南砂晶圓聯(lián)合山東大學成功實現(xiàn)8英寸導電型4H-SiC單晶和襯底的制備，采用物理氣相傳輸法（PVT）擴徑制備了8英寸導電型4H-SiC單晶，并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC襯底。

據(jù)介紹，經(jīng)測試表征，上述襯底微管密度小于0.3/cm2，4H-SiC晶型比例100%，電阻率平均值22mΩ·cm，不均勻性小于4%，襯底(004)面高分辨XRD 5點搖擺曲線半峰寬平均值32.7弧秒，說明襯底具有良好的結晶質(zhì)量，邊緣擴徑區(qū)域沒有小角度晶界缺陷。

技術突破也在一定程度上助推南砂晶圓成為資本市場重點關注對象，過去兩年多時間，南砂晶圓已相繼完成5輪融資，包括今年1月剛剛完成的C輪融資，投資方包括華民基金、天堂硅谷、華訊方舟基金、揚子江基金、魯信創(chuàng)投等機構。

項目方面，南砂晶圓還在廣州南沙區(qū)布局了SiC項目，總投資9億元，該項目2023年4月已經(jīng)試投產(chǎn)，達產(chǎn)后年產(chǎn)各類襯底片和外延片共20萬片。

項目備案意味著南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項目正式啟動，隨著項目建成達產(chǎn)，將有利于南砂晶圓未來在SiC襯底全面轉(zhuǎn)型8英寸后搶占先機。（集邦化合物半導體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。