圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

從11月15日起，基本半導體所有業(yè)務經(jīng)營活動將統(tǒng)一采用新名稱“深圳基本半導體股份有限公司”。公司注冊地址變更至青銅劍科技集團總部大樓，詳細地址為：深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值览峡由鐓^(qū)光科一路6號青銅劍科技大廈1棟801。股改完成后，公司業(yè)務主體和法律關系不變，原簽訂的合同繼續(xù)有效，原有業(yè)務關系和服務承諾亦保持不變。

官網(wǎng)資料顯示，基本半導體專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司總部位于深圳，在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設有研發(fā)中心和制造基地。

基本半導體研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導體的材料制備、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等產(chǎn)業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級及工業(yè)級碳化硅功率模塊、功率器件驅動芯片等，服務于電動汽車、風光儲能、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領域的全球數(shù)百家客戶。

業(yè)務進展方面，8月29日，在深圳舉行的PCIM Asia 2024國際電力元件、可再生能源管理展覽會上，基本半導體與賀利氏電子共同舉行了戰(zhàn)略合作備忘錄簽約儀式，雙方將共同推動功率半導體行業(yè)的技術革新與價值提升。

而在9月26日，埃安AION RT開啟全球預售，搭載了基本半導體750V全碳化硅功率模塊。（集邦化合物半導體Zac整理）

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據(jù)了解，基本半導體從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導體的材料制備、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等產(chǎn)業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、功率器件驅動芯片等，產(chǎn)品服務于全球電動汽車、光伏儲能、軌道交通、工業(yè)控制和智能電網(wǎng)等領域客戶。

賀利氏電子是電子封裝材料應用領域的材料及匹配材料解決方案專家，滿足市場對功率模塊高效率和可靠性的需求。

基本半導體表示，采用賀利氏電子材料的車規(guī)級碳化硅模塊產(chǎn)品已在幾個國內主流車企批量應用，出貨量進入全球碳化硅模塊新能源車市場前列，基本半導體成為了國內第一批量產(chǎn)上車的碳化硅行業(yè)頭部企業(yè)。

通過本次合作，基本半導體將與賀利氏共同應對電動汽車、光伏儲能等市場日益增長的需求。（來源：基本半導體、集邦化合物半導體整理）

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據(jù)介紹，該產(chǎn)品為業(yè)內主流DCM封裝模塊，采用有壓型銀燒結工藝和高性能粗銅線鍵合技術，使用氮化硅AMB陶瓷基板，以及直接水冷的PinFin結構。產(chǎn)品具有低動態(tài)損耗、低導通電阻、高阻斷電壓、高電流密度、高可靠性等特點，可支持連續(xù)運行峰值結溫至175℃，以及具備650Arms以上連續(xù)峰值相電流輸出。

資料顯示，基本半導體從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導體的材料制備、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等產(chǎn)業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、功率器件驅動芯片等。

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據(jù)悉，今年基本半導體還將推出更大導通電流、更低導通電阻以及更高耐壓的1200V/18mΩ和2000V/24mΩ碳化硅MOSFET芯片系列產(chǎn)品，并開發(fā)了2000V/40A碳化硅二極管芯片進行配合使用。

碳化硅MOSFET作為一種新型功率器件，目前已經(jīng)應用于新能源汽車、軌道交通、光伏發(fā)電及儲能、高壓電網(wǎng)等領域，相較于硅基功率器件，有很多優(yōu)勢。其中，碳化硅MOSFET在高溫下仍然可以正常工作，具有更高的熱穩(wěn)定性，可用于高溫、高壓環(huán)境；碳化硅MOSFET導通電阻比硅MOSFET低得多，可以實現(xiàn)更小的導通損耗；碳化硅MOSFET采用了更小尺寸的芯片，相同功率的器件尺寸更小、重量更輕，可以提高功率器件的集成度。

目前，碳化硅MOSFET在某些方面也存在不足之處。例如，碳化硅MOSFET制造需要采用較高難度的材料和工藝，制造成本較高；其可靠性有待提高，材料、制造工藝等還有一些待解決的問題，如材料的缺陷、器件的壽命等問題。

隨著技術和工藝不斷升級，成本等問題得到一定程度的解決后，碳化硅MOSFET將會得到更廣泛的推廣應用，相關廠商也會有更多優(yōu)質產(chǎn)品問世。（集邦化合物半導體Zac整理）

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據(jù)介紹，基本半導體第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品在品質系數(shù)因子、開關損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。同時，產(chǎn)品的封裝更為豐富，以更好滿足客戶需求，可廣泛應用于新能源汽車電機控制器、車載電源、光伏逆變器、光儲一體機、充電樁、UPS及PFC電源等領域。

今年基本半導體還將推出更大導通電流、更低導通電阻以及更高耐壓的1200V/18mΩ 和2000V/24mΩ碳化硅MOSFET芯片系列產(chǎn)品，并開發(fā)了2000V/40A碳化硅二極管芯片進行配合使用。

基本半導體專為新能源汽車主驅逆變器應用設計開發(fā)了高低壓系列汽車級碳化硅MOSFET功率模塊，并在此次發(fā)布會上整體亮相，包括PcoreTM6汽車級HPD模塊（6芯片并聯(lián)、8芯片并聯(lián)）、PcoreTM2汽車級DCM模塊、PcoreTM1汽車級TPAK模塊、PcellTM汽車級模塊等。

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該系列汽車級功率模塊采用先進的有壓型銀燒結工藝、高性能銅線鍵合技術、銅排互連技術以及直接水冷的PinFin結構，使得產(chǎn)品具有低動態(tài)損耗、低導通電阻、高阻斷電壓、高電流密度、高可靠性等特點。

為更好滿足工業(yè)客戶對于高功率密度的需求，基本半導體推出工業(yè)級全碳化硅MOSFET功率模塊PcoreTM2 E2B，該產(chǎn)品基于高性能6英寸晶圓平臺設計，在比導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。產(chǎn)品可廣泛應用于大功率充電樁、燃料電池DCDC器、數(shù)據(jù)中心UPS、高頻DCDC變換器、高端電焊機、光伏逆變器等領域。

基本半導體針對多種應用場景研發(fā)推出碳化硅及IGBT門極驅動芯片，可適應不同的功率器件和終端應用，新產(chǎn)品包括單、雙通道隔離驅動芯片和低邊驅動芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達8000V，驅動峰值電流高達正負15A，可支持耐壓1700V以內功率器件的門極驅動需求。產(chǎn)品可廣泛用于光伏儲能、新能源汽車、工業(yè)電源、商用空調等領域。

同時，基本半導體還推出6CP0215T12-B11、2CP0220T等系列即插即用碳化硅驅動器，以及2QP0535T、2QP/CP0225T等系列IGBT驅動器，產(chǎn)品集成軟關斷、隔離DC/DC電源、原副邊欠壓保護和VCE短路保護等功能，可適配功率器件最高電壓2300V，可廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、風電變流器、電機傳動、大功率開關電源等領域。

據(jù)TrendForce集邦咨詢新推出《2023中國SiC功率半導體市場分析報告》顯示，從產(chǎn)業(yè)結構來看，中國的SiC功率半導體產(chǎn)值以功率元件業(yè)（包含F(xiàn)abless、IDM以及Foundry）占比最高，達42.4%。按2022年應用結構來看，光伏儲能為中國SiC市場最大應用場景，占比約38.9%，接續(xù)為汽車、工業(yè)以及充電樁等。汽車市場作為未來發(fā)展主軸，即將超越光伏儲能應用，其份額至2026年有望攀升至60.1%。

在此情況下，中國已有約70家廠商切入SiC功率元件業(yè)務，整體市場進入高度競爭階段。

作為一家專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的公司，為了搶占更多市場，基本半導體在SiC功率器件的開發(fā)以及生產(chǎn)方面下了大功夫。

基本半導體在去年9月完成C4輪融資之后，就往迭代SiC MOSFET產(chǎn)品和擴大產(chǎn)能方向一路疾馳。
2022年12月，基本半導體無錫汽車級碳化硅功率模塊產(chǎn)線實現(xiàn)全面量產(chǎn)，年產(chǎn)能達25萬只模塊，2025年將提升至150萬只。

今年4月，基本半導體坐落在深圳的車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線正式通線，該產(chǎn)線廠區(qū)具備年產(chǎn)1.8萬片6英寸碳化硅MOSFET晶圓的能力，二期計劃擴產(chǎn)至7.2萬片。按照1片6英寸晶圓能夠滿足7輛新能源汽車的碳化硅功率芯片需求估算，產(chǎn)線每年可保障約50萬輛新能源汽車的需求。

基本半導體推出以上新品SiC MOSFET可以視為對逐漸白熱化的市場的亮劍，對進一步推進國內生產(chǎn)高質量SiC MOSFET起到了積極作用。（文：集邦化合物半導體）

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