根據(jù)相關(guān)環(huán)保網(wǎng)文件顯示，該項(xiàng)目依托現(xiàn)有廠房，新增一條SiC產(chǎn)線，主要生產(chǎn)SiC功率芯片產(chǎn)品。

項(xiàng)目新增SiC產(chǎn)能規(guī)模為MOSFET芯片28.8萬(wàn)片/年、SBD芯片28.8萬(wàn)片/年，同時(shí)減少GaN外延的藍(lán)綠光LED芯片57.6萬(wàn)片/年（其外延產(chǎn)能不變，多余外延片外售）、總共為芯片產(chǎn)能672萬(wàn)片（等效2吋）。

據(jù)了解，該項(xiàng)目為士蘭明鎵二期項(xiàng)目。

source：士蘭明鎵

2017年12月18日，士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)在廈門簽署了投資合作協(xié)議，雙方合作在廈門市海滄區(qū)建設(shè)一條4/6吋兼容的化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線，總投資50億元，其中一期總投資20億元，二期總投資30億元。項(xiàng)目由雙方參股公司士蘭明鎵負(fù)責(zé)建設(shè)。

截至2021年底，士蘭明鎵已完成第一期20億元的投資，形成了每月7.2萬(wàn)片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的產(chǎn)能。

2022年7月，士蘭微發(fā)布公告稱，子公司士蘭明鎵啟動(dòng)化合物半導(dǎo)體第二期建設(shè)，即實(shí)施”SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”。士蘭明鎵擬建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，項(xiàng)目總投資為15億元，建設(shè)周期3年，最終形成年產(chǎn)14.4萬(wàn)片6吋SiC功率器件芯片的產(chǎn)能（主要產(chǎn)品為SiC MOSFET、SiC SBD）。

值得一提的是，同在廈門市滄海區(qū)，士蘭微還布局了8英寸碳化硅產(chǎn)線。2024年5月21日，廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府與杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門共同簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。

按照協(xié)議約定，各方合作在廈門市海滄區(qū)建設(shè)一條以SiC MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。source：士蘭微該項(xiàng)目分兩期建設(shè)，項(xiàng)目一期投資規(guī)模70億元，二期投資規(guī)模約50億元，兩期建設(shè)完成后，將在廈門市海滄區(qū)形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產(chǎn)72萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。

項(xiàng)目于今年6月18日開(kāi)工，一期預(yù)計(jì)將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

時(shí)代電氣Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收59.73億元，具備年產(chǎn)2.5萬(wàn)片6英寸碳化硅產(chǎn)能

10月31日晚間，時(shí)代電氣公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，時(shí)代電氣實(shí)現(xiàn)營(yíng)收59.73億元，同比增長(zhǎng)8.10%；歸母凈利潤(rùn)9.94億元，同比增長(zhǎng)10.61%；歸母扣非凈利潤(rùn)8.89億元，同比增長(zhǎng)18.27%。

9月10日，時(shí)代電氣參加投資者調(diào)研活動(dòng)，披露了其在功率半導(dǎo)體、信號(hào)系統(tǒng)、電驅(qū)系統(tǒng)等業(yè)務(wù)上的最新進(jìn)展情況。在碳化硅業(yè)務(wù)方面，時(shí)代電氣表示，其目前具備年產(chǎn)2.5萬(wàn)片6英寸碳化硅的產(chǎn)能，并已發(fā)布基于碳化硅器件的電驅(qū)系統(tǒng)，預(yù)計(jì)今年形成銷售，明年實(shí)現(xiàn)批量推廣。

在碳化硅產(chǎn)線建設(shè)方面，時(shí)代電氣子公司中車時(shí)代半導(dǎo)體早在2017年就建成了國(guó)內(nèi)首條4/6英寸兼容碳化硅芯片中試線，并在軌道交通領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量應(yīng)用。目前，中車時(shí)代半導(dǎo)體正在建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)線。

盛美上海Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收15.73億元，已推出6/8英寸化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品線

10月31日晚間，盛美上海公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，盛美上海實(shí)現(xiàn)營(yíng)收15.73億元，同比增長(zhǎng)37.96%；歸母凈利潤(rùn)3.15億元，同比增長(zhǎng)35.09%；歸母扣非凈利潤(rùn)3.06億元，同比增長(zhǎng)31.41%。

盛美上海致力于為集成電路行業(yè)提供設(shè)備及工藝解決方案，包括清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備、立式爐管系列設(shè)備、前道涂膠顯影Track設(shè)備、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD設(shè)備、無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備、后道先進(jìn)封裝工藝設(shè)備以及硅材料襯底制造工藝設(shè)備等。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，盛美上海推出了6/8英寸化合物半導(dǎo)體濕法工藝產(chǎn)品線，以支持化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的工藝應(yīng)用，包括碳化硅、氮化鎵和砷化鎵等。

中瓷電子Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收6.64億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅功率模塊

10月31日晚間，中瓷電子公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，中瓷電子實(shí)現(xiàn)營(yíng)收6.64億元，同比增長(zhǎng)2.97%；歸母凈利潤(rùn)1.57億元，同比增長(zhǎng)28.67%；歸母扣非凈利潤(rùn)1.40億元，同比增長(zhǎng)88.72%。

中瓷電子業(yè)務(wù)分為化合物半導(dǎo)體器件及模塊、電子陶瓷材料及元件兩大方面，化合物半導(dǎo)體器件及模塊業(yè)務(wù)又分為氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、碳化硅功率模塊及其應(yīng)用兩部分。

在氮化鎵領(lǐng)域，中瓷電子氮化鎵通信基站射頻芯片與器件在通信基站中主要用于移動(dòng)通信基站發(fā)射鏈路，實(shí)現(xiàn)對(duì)通信射頻信號(hào)的功率放大；在碳化硅領(lǐng)域，中瓷電子中低壓碳化硅功率產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、新能源逆變器等領(lǐng)域，高壓碳化硅功率產(chǎn)品瞄準(zhǔn)智能電網(wǎng)、動(dòng)力機(jī)車、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。

士蘭微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收28.89億元，士蘭明鎵已具備月產(chǎn)0.9萬(wàn)片碳化硅芯片產(chǎn)能

10月31日晚間，士蘭微公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收28.89億元，同比增長(zhǎng)19.22%；歸母凈利潤(rùn)0.54億元；歸母扣非凈利潤(rùn)0.14億元，同比下滑34.21%。

第三季度，士蘭微子公司士蘭集成5、6英寸芯片生產(chǎn)線、子公司士蘭集昕8英寸芯片生產(chǎn)線、重要參股企業(yè)士蘭集科12英寸芯片生產(chǎn)線均保持滿負(fù)荷生產(chǎn)，士蘭微預(yù)計(jì)4季度5、6、8、12英寸芯片生產(chǎn)線將繼續(xù)保持滿產(chǎn)。

第三季度，士蘭微加快子公司士蘭明鎵6英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能建設(shè)，截至目前士蘭明鎵已具備月產(chǎn)0.9萬(wàn)片碳化硅芯片的生產(chǎn)能力；士蘭微將進(jìn)一步增加對(duì)6英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線投入，加快其產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)。

拉普拉斯Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收17.61億元，同比增長(zhǎng)377.17%

10月31日晚間，拉普拉斯公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，拉普拉斯實(shí)現(xiàn)營(yíng)收17.61億元，同比增長(zhǎng)377.17%；歸母凈利潤(rùn)2.24億元，同比增長(zhǎng)1176.37%；歸母扣非凈利潤(rùn)2.06億元，同比增長(zhǎng)2290.74%。

拉普拉斯是一家高效光伏電池片核心工藝設(shè)備及解決方案提供商，主營(yíng)業(yè)務(wù)為光伏電池片制造所需高性能熱制程、鍍膜及配套自動(dòng)化設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并可為客戶提供半導(dǎo)體分立器件設(shè)備和配套產(chǎn)品及服務(wù)。

拉普拉斯半導(dǎo)體分立器件設(shè)備產(chǎn)品包括碳化硅基半導(dǎo)體器件用超高溫氧化爐和碳化硅基半導(dǎo)體器件用超高溫退火爐。

華潤(rùn)微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收27.11億元，已建成8英寸中壓增強(qiáng)型P-GaN工藝平臺(tái)

10月31日晚間，華潤(rùn)微公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，華潤(rùn)微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收27.11億元，同比增長(zhǎng)8.44%；歸母凈利潤(rùn)2.19億元，同比下滑21.31%；歸母扣非凈利潤(rùn)1.85億元，同比下滑1.35%。

目前華潤(rùn)微主營(yíng)業(yè)務(wù)可分為產(chǎn)品與方案、制造與服務(wù)兩大業(yè)務(wù)板塊。其產(chǎn)品與方案業(yè)務(wù)板塊聚焦于功率半導(dǎo)體、數(shù)模混合、智能傳感器與智能控制等領(lǐng)域，制造與服務(wù)業(yè)務(wù)主要提供半導(dǎo)體開(kāi)放式晶圓制造、封裝測(cè)試等服務(wù)。

2024年上半年，華潤(rùn)微完成8英寸中壓（100-200V）增強(qiáng)型P-GaN工藝平臺(tái)建設(shè)，并完成首顆150V/36A增強(qiáng)型器件樣品的制備。同時(shí)，華潤(rùn)微采用新型的氮化鎵控制及驅(qū)動(dòng)技術(shù)，開(kāi)發(fā)原邊、副邊控制芯片，及氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片，推出基于氮化鎵的高效能快充系統(tǒng)方案。

宏微科技Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.43億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅芯片和封裝

10月31日晚間，宏微科技公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，宏微科技實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.43億元，同比下滑7.53%；歸母凈利潤(rùn)0.02億元，同比下滑93.37%；歸母扣非凈利潤(rùn)-0.07億元。

宏微科技從事IGBT、FRD為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，宏微科技布局了碳化硅芯片和封裝業(yè)務(wù)，相關(guān)的碳化硅模塊已批量應(yīng)用于新能源等行業(yè)。

高測(cè)股份Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收7.85億元，6/8英寸碳化硅金剛線切片機(jī)實(shí)現(xiàn)交付

10月31日晚間，高測(cè)股份公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，高測(cè)股份實(shí)現(xiàn)營(yíng)收7.85億元，同比下滑53.51%；歸母凈利潤(rùn)-0.67億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-0.79億元。

高測(cè)股份研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的主要產(chǎn)品和服務(wù)為光伏切割設(shè)備、光伏切割耗材、硅片及切割加工服務(wù)、其他高硬脆材料切割設(shè)備及耗材四類。其中，高硬脆材料切割設(shè)備及耗材主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、藍(lán)寶石、磁材及碳化硅等切割領(lǐng)域。

在碳化硅領(lǐng)域，高測(cè)股份推出的6英寸及8英寸碳化硅金剛線切片機(jī)已形成批量訂單并實(shí)現(xiàn)交付。

燕東微Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.72億元，業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅器件

10月31日晚間，燕東微公布了2024年第三季度報(bào)告。2024年Q3，燕東微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收3.72億元，同比下滑15.54%；歸母凈利潤(rùn)-1.07億元，歸母扣非凈利潤(rùn)-1.19億元。

燕東微是一家集芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測(cè)試于一體的半導(dǎo)體企業(yè)，總部位于北京，在北京、遂寧分別有一條8英寸晶圓生產(chǎn)線和一條6英寸晶圓生產(chǎn)線；在北京擁有一座12英寸晶圓廠在建中。

在碳化硅領(lǐng)域，燕東微在2021年已建成月產(chǎn)能1000片的6英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

據(jù)報(bào)道，位于福建省廈門市海滄區(qū)的士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目近日進(jìn)入土方工程收尾階段，一期項(xiàng)目預(yù)計(jì)將于2025年三季度末初步通線，四季度試生產(chǎn)。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

據(jù)悉，士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，其中，一期項(xiàng)目總投資70億元，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)42萬(wàn)片8英寸碳化硅功率器件芯片。兩期全部建成投產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)72萬(wàn)片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

從該項(xiàng)目推進(jìn)情況來(lái)看，作為該項(xiàng)目實(shí)施主體士蘭集宏的母公司，士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司于2024年5月21日簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作協(xié)議》。隨后在6月18日，士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目在廈門市海滄區(qū)正式開(kāi)工。

近期，除士蘭微8英寸碳化硅項(xiàng)目外，國(guó)內(nèi)外廠商還有多個(gè)8英寸碳化硅項(xiàng)目披露了最新進(jìn)展。

其中，北京市生態(tài)環(huán)境局于8月13日公示了天科合達(dá)第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目（以下簡(jiǎn)稱：二期項(xiàng)目）環(huán)評(píng)審批。二期項(xiàng)目用于擴(kuò)大天科合達(dá)碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，投產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬(wàn)片導(dǎo)電型碳化硅襯底，其中8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬(wàn)片。

8月底，重慶三安8英寸碳化硅襯底廠點(diǎn)亮通線。該項(xiàng)目投資額為70億元，規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅襯底48萬(wàn)片。

9月27日，住友金屬及其全資子公司Sicoxs Coparation宣布，將在Sicoxs的Ohkuchi工廠建設(shè)一條新的8英寸SiCkrest大規(guī)模生產(chǎn)線，SiCkrest為直接鍵合的碳化硅襯底。

10月13日，據(jù)韓媒報(bào)道，韓國(guó)東部高科（DB HiTek）于11日宣布，其將在忠清北道Eumseong的Sangwoo園區(qū)內(nèi)投資擴(kuò)建半導(dǎo)體潔凈室，計(jì)劃先行建設(shè)8英寸碳化硅產(chǎn)線。

10月16日，在首屆SEMiBAY灣芯展開(kāi)幕式上，方正微電子發(fā)布了車規(guī)/工規(guī)碳化硅MOSFET 1200V全系產(chǎn)品，還表示其8英寸碳化硅產(chǎn)線將于2024年年底通線。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

根據(jù)公告，士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱：廈門半導(dǎo)體）、廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司（以下簡(jiǎn)稱：新翼科技）于2024年5月21日簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作協(xié)議》（以下簡(jiǎn)稱：《投資合作協(xié)議》）。

根據(jù)《投資合作協(xié)議》，士蘭微與廈門半導(dǎo)體分別向本次8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目的實(shí)施主體廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱：士蘭集宏）認(rèn)繳注冊(cè)資本10.6億元和10億元。截至目前，士蘭集宏的注冊(cè)資本為20.60億元。

2024年9月24日，士蘭微與廈門半導(dǎo)體、新翼科技、廈門新翼微成投資合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡(jiǎn)稱：新翼微成）、廈門產(chǎn)投新翼科技投資合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡(jiǎn)稱：產(chǎn)投新翼）共同簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作補(bǔ)充協(xié)議》（以下簡(jiǎn)稱：《投資合作補(bǔ)充協(xié)議》）。

根據(jù)《投資合作補(bǔ)充協(xié)議》，項(xiàng)目公司士蘭集宏的原投資主體新翼科技變更為新翼微成和產(chǎn)投新翼。新翼科技將其在《投資合作協(xié)議》項(xiàng)下的權(quán)利義務(wù)，按新翼微成和產(chǎn)投新翼在《投資合作補(bǔ)充協(xié)議》項(xiàng)下的相對(duì)出資比例概括轉(zhuǎn)讓給新翼微成和產(chǎn)投新翼。其中，新翼微成繼受新翼科技對(duì)項(xiàng)目公司增資入股11億元的義務(wù)，產(chǎn)投新翼繼受新翼科技對(duì)項(xiàng)目公司增資入股10.5億元的義務(wù)。

公告顯示，士蘭微及協(xié)議各方在按照《投資合作協(xié)議》及《投資合作補(bǔ)充協(xié)議》完成認(rèn)繳后，士蘭集宏的注冊(cè)資本將增加至42.10億元，士蘭微對(duì)士蘭集宏的持股比例將由目前的51.46%降低至25.1781%，將不再將其納入合并報(bào)表范圍。

據(jù)悉，士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目計(jì)劃分兩期建設(shè)，一期投資規(guī)模約70億元，二期投資規(guī)模約50億元，兩期建設(shè)完成后，將形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產(chǎn)72萬(wàn)片的產(chǎn)能。

今年6月18日，士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目在廈門市海滄區(qū)正式開(kāi)工。

士蘭微表示，如本次投資事項(xiàng)順利實(shí)施，將為士蘭集宏“8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目”的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)提供資金保障，為其SiC功率器件在8英寸生產(chǎn)線上的產(chǎn)業(yè)化提供產(chǎn)能保障，將進(jìn)一步完善其在車規(guī)級(jí)高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力，推動(dòng)其主營(yíng)業(yè)務(wù)持續(xù)成長(zhǎng)。（來(lái)源：士蘭微公告，集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

根據(jù)公告，士蘭集科本次擬新增注冊(cè)資本148155.0072萬(wàn)元。士蘭微擬與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱：廈門半導(dǎo)體）以貨幣方式共同出資16億元認(rèn)繳士蘭集科本次新增的全部注冊(cè)資本。

其中，士蘭微出資8億元，認(rèn)繳士蘭集科注冊(cè)資本74077.5036萬(wàn)元；廈門半導(dǎo)體同樣出資8億元，認(rèn)繳士蘭集科注冊(cè)資本74077.5036萬(wàn)元。本次增資完成后，士蘭集科的注冊(cè)資本將由382795.3681萬(wàn)元變更為530950.3753萬(wàn)元。

天眼查資料顯示，士蘭集科成立于2018年2月，是一家電子設(shè)備供應(yīng)商，主要研發(fā)、生產(chǎn)和銷售芯片晶圓、MEMS、功率器件以及集成電路等產(chǎn)品，致力于為行業(yè)用戶提供相關(guān)的電子產(chǎn)品及服務(wù)。

股東信息顯示，目前，士蘭集科由廈門半導(dǎo)體、士蘭微、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司共同持股，持股比例分別為66.626%、18.719%、14.655%。

根據(jù)士蘭微2024年半年度報(bào)告，2024年上半年，士蘭集科總計(jì)產(chǎn)出12英寸芯片22.46萬(wàn)片，同比減少約5%，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收11.21億元，同比增加約6%。近期隨著IGBT芯片產(chǎn)能的進(jìn)一步釋放，士蘭集科產(chǎn)能利用率已處于較高水平。

士蘭微表示，如本次增資事項(xiàng)順利實(shí)施，將進(jìn)一步增加士蘭集科的資本充足率，為士蘭集科12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)提供資金保障；有利于進(jìn)一步提升士蘭集科的生產(chǎn)能力，為士蘭微提供產(chǎn)能保障。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，今年以來(lái)，除士蘭微外，還有另外兩家化合物半導(dǎo)體廠商披露了增資相關(guān)動(dòng)態(tài)，分別是中車時(shí)代半導(dǎo)體和長(zhǎng)光華芯。

4月26日，中車時(shí)代半導(dǎo)體增資引入戰(zhàn)略投資者簽約儀式在株洲舉行。根據(jù)中車時(shí)代半導(dǎo)體母公司時(shí)代電氣在今年3月底發(fā)布的公告，中車時(shí)代半導(dǎo)體本次增資擴(kuò)股擬引入株洲市國(guó)創(chuàng)田芯創(chuàng)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）等26名戰(zhàn)略投資者及員工持股平臺(tái)株洲芯發(fā)展零號(hào)企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），增資金額為人民幣43.278億元。本次增資完成后，時(shí)代電氣持有中車時(shí)代半導(dǎo)體的股權(quán)比例從96.1680%變更為77.7771%，仍為中車時(shí)代半導(dǎo)體的控股股東。

隨后在7月12日晚間，長(zhǎng)光華芯發(fā)布公告宣布子公司擬增資惟清半導(dǎo)體，后者股東之一為碳化硅功率器件廠商清純半導(dǎo)體。具體來(lái)看，長(zhǎng)光華芯全資子公司蘇州長(zhǎng)光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司（以下簡(jiǎn)稱：研究院）擬出資1億元認(rèn)購(gòu)關(guān)聯(lián)方惟清半導(dǎo)體新增注冊(cè)資本1333.33萬(wàn)元。本次增資前，研究院持有惟清半導(dǎo)體29%的股權(quán)，增資完成后，研究院將持有惟清半導(dǎo)體31.61%的股權(quán)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

士蘭微上半年虧損收窄，IGBT和碳化硅營(yíng)收增長(zhǎng)

8月19日晚間，士蘭微公布了2024年半年度報(bào)告。2024年上半年，士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)收52.74億元，同比增長(zhǎng)17.83%，虧損同比收窄。

士蘭微報(bào)告期內(nèi)凈利潤(rùn)出現(xiàn)虧損，主要原因有兩方面：一是公司持有的其他非流動(dòng)金融資產(chǎn)中，昱能科技和安路科技的股票價(jià)格下跌，導(dǎo)致公允價(jià)值變動(dòng)產(chǎn)生稅后凈損失達(dá)1.62億元；二是子公司士蘭明鎵的6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線仍處于產(chǎn)能爬坡期，產(chǎn)量較低，同時(shí)資產(chǎn)折舊等固定成本較高，進(jìn)一步加劇了虧損。

盡管歸母凈利潤(rùn)仍處于虧損，但士蘭微總體營(yíng)收同比增長(zhǎng)約18%。這一增長(zhǎng)得益于公司持續(xù)加大模擬電路、IGBT器件、IPM智能功率模塊、PIM功率模塊、碳化硅功率模塊、超結(jié)MOSFET器件、MCU電路、化合物芯片和器件等產(chǎn)品在大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車等高門檻市場(chǎng)的推廣力度。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，2024年上半年，士蘭微IGBT和碳化硅（模塊、器件）的營(yíng)業(yè)收入已達(dá)到7.83億元，較去年同期增長(zhǎng)30%以上。

產(chǎn)能方面，2024年上半年，士蘭微加快推進(jìn)“士蘭明鎵SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項(xiàng)目的建設(shè)。截至目前士蘭明鎵已形成月產(chǎn)6000片6英寸碳化硅MOSFET芯片的生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)三季度末產(chǎn)能將達(dá)到9000片/月，預(yù)計(jì)2024年年底產(chǎn)能將達(dá)到12000片/月。

技術(shù)研發(fā)方面，上半年，基于士蘭微自主研發(fā)的Ⅱ代碳化硅MOSFET芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已通過(guò)吉利、匯川等客戶驗(yàn)證，并開(kāi)始實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付。其已初步完成第Ⅲ代平面柵碳化硅MOSFET技術(shù)的開(kāi)發(fā)，正在加快產(chǎn)能建設(shè)和升級(jí)，推動(dòng)第Ⅲ代平面柵碳化硅MOSFET芯片導(dǎo)入量產(chǎn)。

晶盛機(jī)電上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收101.47億元，推進(jìn)8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能爬坡

8月20日晚間，晶盛機(jī)電公布了2024年半年度報(bào)告。2024年上半年，晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收101.47億元，同比增長(zhǎng)20.71%；歸母凈利潤(rùn)20.96億元，同比減少4.97%。

晶盛機(jī)電業(yè)務(wù)涉及半導(dǎo)體、光伏設(shè)備領(lǐng)域以及半導(dǎo)體材料細(xì)分領(lǐng)域的藍(lán)寶石材料和碳化硅材料等。

半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)方面，晶盛機(jī)電所生產(chǎn)的設(shè)備主要用于半導(dǎo)體晶體的生長(zhǎng)和加工，屬于硅片制造環(huán)節(jié)設(shè)備，同時(shí)在部分工藝環(huán)節(jié)布局至芯片制造和封裝制造端?；诋a(chǎn)業(yè)鏈延伸，晶盛機(jī)電在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域開(kāi)發(fā)了8-12英寸常壓硅外延設(shè)備，以及6-8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備、切片設(shè)備、減薄設(shè)備、拋光設(shè)備、外延設(shè)備等，實(shí)現(xiàn)碳化硅外延設(shè)備的國(guó)產(chǎn)替代，并創(chuàng)新性推出雙片式碳化硅外延設(shè)備，大幅提升外延產(chǎn)能。

材料業(yè)務(wù)方面，晶盛機(jī)電在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域積極布局新材料業(yè)務(wù)，逐步發(fā)展了高純石英坩堝、藍(lán)寶石材料、碳化硅材料、以及金剛線等具有廣闊應(yīng)用場(chǎng)景的材料業(yè)務(wù)。

報(bào)告期內(nèi)，受益于新能源車的持續(xù)發(fā)展，碳化硅材料需求快速增加，產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)能逐步向8英寸轉(zhuǎn)移。公司緊抓行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，快速推進(jìn)8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能爬坡，同時(shí)積極拓展國(guó)內(nèi)外客戶，市場(chǎng)拓展成果顯著，產(chǎn)能和出貨量快速增加。

目前，晶盛機(jī)電掌握了6-8英寸碳化硅材料的生長(zhǎng)及加工技術(shù)，并正在建設(shè)實(shí)施年產(chǎn)25萬(wàn)片6英寸及5萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，加速推進(jìn)大尺寸碳化硅襯底材料的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac、Mia整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

晶升股份預(yù)計(jì)上半年凈利潤(rùn)增長(zhǎng)118.72-141.92%

7月9日晚間，晶升股份發(fā)布2024年半年度業(yè)績(jī)預(yù)告稱，預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)3300-3650萬(wàn)元，同比將增加1791.23-2141.23萬(wàn)元，同比增加118.72%-141.92%；預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)歸母扣非凈利潤(rùn)1610-1850萬(wàn)元，同比將增加808.84-1048.84萬(wàn)元，同比增加100.96%-130.92%。

公告顯示，2023年上半年，晶升股份實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)1508.77萬(wàn)元，歸母扣非凈利潤(rùn)801.16萬(wàn)元。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，晶升股份表示，2024年上半年，其實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)、歸母扣非凈利潤(rùn)較上年同期有較大幅度增長(zhǎng)，主要原因系：公司主營(yíng)業(yè)務(wù)穩(wěn)健發(fā)展，客戶合作的深入與技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域的拓展為公司創(chuàng)造收入增長(zhǎng)；同時(shí)，公司不斷加強(qiáng)內(nèi)部經(jīng)營(yíng)管理，持續(xù)降本增效，綜合盈利能力得到提升。

目前，晶升股份8英寸SiC長(zhǎng)晶設(shè)備已實(shí)現(xiàn)批量出貨，其中包含PVT感應(yīng)加熱/電阻加熱單晶爐、TSSG單晶爐等類別產(chǎn)品，下游應(yīng)用完整覆蓋主流導(dǎo)電型/半絕緣型SiC晶體生長(zhǎng)及襯底制備。

得益于在晶體生長(zhǎng)設(shè)備領(lǐng)域形成豐富的產(chǎn)品序列，能夠滿足客戶差異化、定制化的晶體生長(zhǎng)制造工藝需求，晶升股份逐步發(fā)展成為國(guó)內(nèi)具有較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體級(jí)晶體生長(zhǎng)設(shè)備供應(yīng)商，并在2023年陸續(xù)開(kāi)拓了三安光電、東尼電子、比亞迪、合晶科技、上海新昇、金瑞泓、神工股份等客戶。

聞泰科技Q2半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入及綜合毛利率環(huán)比改善

7月9日晚間，聞泰科技發(fā)布2024年半年度業(yè)績(jī)預(yù)告稱，預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)1.3-1.95億元，同比將減少10.63-11.28億元，同比減少84%-90%。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，聞泰科技表示，受行業(yè)周期性影響，2024年上半年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的收入及綜合毛利率同比下降。從2024年第二季度來(lái)看，受部分市場(chǎng)需求回暖及公司降本增效等因素影響，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入及綜合毛利率相較于2024年第一季度環(huán)比改善。

聞泰科技是集研發(fā)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造于一體的半導(dǎo)體產(chǎn)品集成企業(yè)。其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)采用IDM模式，產(chǎn)品包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOS器件、GaN FET、SiC二極管與MOS、IGBT以及模擬IC和邏輯IC。

2023年，在三代半領(lǐng)域，聞泰科技實(shí)現(xiàn)了GaN產(chǎn)品D-M系列產(chǎn)品工業(yè)和消費(fèi)領(lǐng)域的銷售，同時(shí)E-M產(chǎn)品通過(guò)所有測(cè)試認(rèn)證，于2024年開(kāi)始銷售；實(shí)現(xiàn)了SiC整流管的工業(yè)消費(fèi)級(jí)的量產(chǎn)和MOS的工業(yè)消費(fèi)級(jí)的測(cè)試驗(yàn)證，SiC?MOS產(chǎn)品線的建立，讓其進(jìn)入三代半1200V高壓市場(chǎng)，拓展新的增長(zhǎng)空間。

士蘭微上半年6英寸SiC功率器件芯片處于產(chǎn)能爬坡階段

7月10日晚間，士蘭微發(fā)布2024年半年度業(yè)績(jī)預(yù)告稱，預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)為-3000萬(wàn)元到-2000萬(wàn)元，同比將減少虧損1122萬(wàn)元到2122萬(wàn)元；預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)歸母扣非凈利潤(rùn)為12189萬(wàn)元到13189萬(wàn)元，同比將減少3070萬(wàn)元到4070萬(wàn)元，同比減少19%到25%。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，士蘭微表示，報(bào)告期內(nèi)，其子公司士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線尚處于產(chǎn)能爬坡階段，SiC芯片產(chǎn)出相對(duì)較少，資產(chǎn)折舊等固定生產(chǎn)成本相對(duì)較高，導(dǎo)致其虧損較大。目前士蘭明鎵SiC芯片生產(chǎn)線已處于較快上量中，隨著產(chǎn)出持續(xù)增加，預(yù)計(jì)其下半年虧損將逐步減少。

同時(shí)，報(bào)告期內(nèi)，其持續(xù)加大對(duì)模擬電路、功率器件、功率模塊、MEMS傳感器、SiC MOSFET等新產(chǎn)品的研發(fā)投入，加快汽車級(jí)、工業(yè)級(jí)電路和器件芯片工藝平臺(tái)的建設(shè)進(jìn)度，加大汽車級(jí)功率模塊和新能源功率模塊的研發(fā)投入，公司研發(fā)費(fèi)用同比增加34%左右。

6月18日上午，士蘭微旗下士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線在廈門海滄區(qū)開(kāi)工。該項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，兩期建成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬(wàn)片的生產(chǎn)能力，將較好滿足國(guó)內(nèi)新能源汽車所需的SiC芯片需求，并有能力向光伏、儲(chǔ)能、充電樁等功率逆變產(chǎn)品提供高性能的SiC芯片。

東尼電子預(yù)計(jì)2024年上半年虧損同比收窄

7月9日晚間，東尼電子發(fā)布2024年半年度業(yè)績(jī)預(yù)告稱，預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)-6800萬(wàn)元到-4800萬(wàn)元，將出現(xiàn)虧損；預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)歸母扣非凈利潤(rùn)-12600萬(wàn)元到-10600萬(wàn)元。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，東尼電子表示，2024年上半年，其母公司經(jīng)營(yíng)情況良好，實(shí)現(xiàn)盈利，但控股子公司湖州東尼半導(dǎo)體科技有限公司預(yù)計(jì)將計(jì)提大額資產(chǎn)減值損失，研發(fā)費(fèi)用較大。故本報(bào)告期其歸母凈利潤(rùn)將出現(xiàn)虧損，但與上年同期相比虧損收窄。

今年上半年，東尼電子在SiC擴(kuò)產(chǎn)方面有新進(jìn)展。東尼電子2021年非公開(kāi)發(fā)行募投項(xiàng)目“年產(chǎn)12萬(wàn)片碳化硅半導(dǎo)體材料”已于2023年上半年實(shí)施完畢，其計(jì)劃在該募投項(xiàng)目基礎(chǔ)上進(jìn)一步擴(kuò)建。根據(jù)今年3月湖州市生態(tài)環(huán)境局公示的對(duì)東尼電子擴(kuò)建SiC項(xiàng)目的環(huán)評(píng)文件審批意見(jiàn)，東尼半導(dǎo)體計(jì)劃利用東尼五期廠區(qū)廠房，實(shí)施擴(kuò)建年產(chǎn)20萬(wàn)片6英寸SiC襯底材料項(xiàng)目。

立昂微預(yù)計(jì)上半年?duì)I收同比增長(zhǎng)8.7%

7月9日晚間，立昂微發(fā)布2024年半年度業(yè)績(jī)預(yù)告稱，預(yù)計(jì)2024年上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收14.59億元左右，同比增長(zhǎng)8.7%左右；預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)為-7350萬(wàn)元至-5950萬(wàn)元，同比將減少23314.88萬(wàn)元至24714.88萬(wàn)元。

關(guān)于業(yè)績(jī)變動(dòng)原因，立昂微表示，報(bào)告期內(nèi)，其歸母凈利潤(rùn)下降的主要原因在于綜合毛利率大幅減少所致，綜合毛利率下降較多的主要原因：一是隨著2023年擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目陸續(xù)轉(zhuǎn)產(chǎn)，本報(bào)告期折舊成本同比增加12090萬(wàn)元；二是為了拓展市場(chǎng)份額，硅片產(chǎn)品和功率芯片產(chǎn)品的銷售單價(jià)有所下降。另外，報(bào)告期內(nèi)公司持有的上市公司股票股價(jià)下跌產(chǎn)生公允價(jià)值變動(dòng)損失3804.71萬(wàn)元（去年同期為公允價(jià)值變動(dòng)收益2420.43萬(wàn)元）。

立昂微于2002年3月注冊(cè)成立，專注于集成電路用半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體功率芯片、集成電路芯片設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、制造和銷售。目前，立昂微擁有杭州、寧波、衢州、嘉興、海寧五大經(jīng)營(yíng)基地，旗下?lián)碛泻贾萘簴|芯微電子有限公司、海寧立昂東芯微電子有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、金瑞泓科技（衢州）有限公司、金瑞泓微電子（衢州）有限公司、金瑞泓微電子（嘉興）有限公司、杭州立昂半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、衢州金瑞泓半導(dǎo)體科技有限公司八家子公司。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，此次上海光伏展，三安半導(dǎo)體、士蘭微、鍇威特、基本半導(dǎo)體、杰平方、芯聯(lián)集成、瑞能半導(dǎo)體、飛锃半導(dǎo)體、阿基米德半導(dǎo)體、宏微科技、矽迪半導(dǎo)體、派恩杰、蘇州固锝等13家廠商帶來(lái)了豐富多樣的SiC功率器件產(chǎn)品，應(yīng)用范圍涵蓋新能源汽車、光儲(chǔ)充、工業(yè)控制等多個(gè)領(lǐng)域。

三安半導(dǎo)體

本次展會(huì)，三安半導(dǎo)體帶來(lái)了SiC晶錠、襯底、外延、芯片、器件等全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品。

展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，三安半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了8英寸SiC晶圓，以及可應(yīng)用在光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器、充電樁電源模塊等領(lǐng)域的650V-1700V SiC二極管和MOSFET，包含多種封裝類型及規(guī)格型號(hào)。

士蘭微

本次光伏展，士蘭微展示了應(yīng)用于光伏場(chǎng)景的SiC MOS、IGBT、DPMOS、SGT LVMOS等功率器件產(chǎn)品。

其中，士蘭微推出的1200V SiC芯片性能指標(biāo)已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，并同時(shí)研發(fā)650V、1700V、2000V等電壓段高性能SiC MOSFET芯片，包含TO-247B-4L、TO-263-7L、TOLL、D4等多種封裝形式，適配光伏儲(chǔ)能逆變器應(yīng)用場(chǎng)景。

華潤(rùn)微

本次展會(huì)，華潤(rùn)微重點(diǎn)展示了SiC MOS模塊。

source：華潤(rùn)微

華潤(rùn)微展示的SiC MOS模塊可應(yīng)用于電動(dòng)汽車充電器、太陽(yáng)能、高速轉(zhuǎn)換器、逆變器、電機(jī)和牽引驅(qū)動(dòng)器、智能電網(wǎng)、并網(wǎng)分布式發(fā)電、車載OBC、汽車主驅(qū)等領(lǐng)域，具有低Rdson、低Qg、超低損耗、高頻工作等特點(diǎn)。

鍇威特

本次展會(huì)，鍇威特帶來(lái)了超結(jié)MOSFET、中高壓平面MOSFET、650-1700V SiC MOSFET、600-1200V SiC SBD、智能功率IC等系列產(chǎn)品。

其中，鍇威特全新的第三代SiC SBD產(chǎn)品，結(jié)合先進(jìn)的薄片技術(shù)和抗浪涌技術(shù)，在顯著提升產(chǎn)品電流密度、降低正向?qū)▔航档耐瑫r(shí)，仍保持高的浪涌電流以及低的反向漏電。合理的可靠性設(shè)計(jì)及規(guī)范的產(chǎn)品管控，使產(chǎn)品能穩(wěn)定工作于多種嚴(yán)苛工況下，在650-1200V電壓等級(jí)滿足各種應(yīng)用需求。

同時(shí)，鍇威特量產(chǎn)的平面型SiC MOSFET，立足于6英寸SiC功率芯片工藝線，優(yōu)化元胞結(jié)構(gòu)和柵氧工藝，產(chǎn)品具有更高的阻斷電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小系統(tǒng)電感、電容、變壓器等無(wú)源器件的尺寸，提高系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率。該系列產(chǎn)品支持15V-18V棚極驅(qū)動(dòng)電壓，最高結(jié)溫高達(dá)175℃。

基本半導(dǎo)體

此次展會(huì)，基本半導(dǎo)體攜2000V/1700V系列高壓SiC MOSFET、第三代SiC MOSFET、工業(yè)級(jí)SiC功率模塊Pcore 2 E1B、工業(yè)級(jí)SiC半橋頂部散熱MOSFET模塊等系列新品，以及旗下全系列SiC二極管、門極驅(qū)動(dòng)芯片、功率器件驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品亮相。

其中，基本半導(dǎo)體展出的Pcore 2 E1B工業(yè)級(jí)SiC半橋MOSFET模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、PressFit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB，在導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

杰平方

本次展會(huì)，杰平方半導(dǎo)體帶來(lái)了第三代SiC MOSFET和SBD、工業(yè)級(jí)SiC功率模塊、1200V 8mΩ SiC晶圓等系列產(chǎn)品，展示了杰平方半導(dǎo)體在SiC領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)實(shí)力。

芯聯(lián)集成

本次展會(huì)，芯聯(lián)集成帶來(lái)了650V-2300V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品具備低導(dǎo)通損耗，低開(kāi)關(guān)損耗；高可靠性，通過(guò)車規(guī)級(jí)驗(yàn)證；參數(shù)一致性好，良率高等特點(diǎn)。在工業(yè)控制方面，可應(yīng)用于光伏、儲(chǔ)能、充電樁、輸配電等場(chǎng)景；在汽車電子方面，可應(yīng)用于OBC、DC-DC、逆變器等產(chǎn)品中。

瑞能半導(dǎo)體

本次展會(huì)，瑞能半導(dǎo)體展示了SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊等系列產(chǎn)品。

飛锃半導(dǎo)體

此次展會(huì)，飛锃半導(dǎo)體帶來(lái)了一系列創(chuàng)新成果，涵蓋第三代1200V SiC MOSFET、750V SiC? MOSFET、1200V大電流SiC二極管、6英寸SiC MOSFET晶圓等產(chǎn)品，以及在光伏儲(chǔ)能、新能源汽車等領(lǐng)域的前沿應(yīng)用解決方案。

其中，飛锃半導(dǎo)體針對(duì)新能源汽車的創(chuàng)新應(yīng)用方案，利用車規(guī)級(jí)1200V與650V SiC MOSFET，為智能汽車打造安全、高效、智能的核心動(dòng)力系統(tǒng)。

宏微科技

本次展會(huì)，宏微科技展示了1200/20A SiC SBD系列產(chǎn)品。

宏微科技推出的風(fēng)光儲(chǔ)功率器件產(chǎn)品，具有高度的可靠性和優(yōu)異的性能，能夠滿足新能源行業(yè)對(duì)高效、安全、可靠的電力轉(zhuǎn)換和控制的需求。此外，宏微科技的風(fēng)光儲(chǔ)功率器件產(chǎn)品還具有廣泛的適用性，可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能光伏電站、風(fēng)力發(fā)電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)等場(chǎng)景。

矽迪半導(dǎo)體

本次展會(huì)，矽迪半導(dǎo)體展示了高性能和差異化的SiC系統(tǒng)解決方案，包括30KW Buck-Boost全SiC解決方案、40KW xBooster IGBT并聯(lián)SIC MOSFET解決方案等，可應(yīng)用于光伏逆變器、儲(chǔ)能逆變器、工業(yè)電源等場(chǎng)景。

阿基米德半導(dǎo)體

本次展會(huì)，阿基米德半導(dǎo)體展示了SiC MOSFET/IGBT單管、半橋IGBT模塊、三電平IGBT模塊、SiC模塊等眾多產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于直流快充/超充、工業(yè)電源、感應(yīng)加熱、光伏逆變器、儲(chǔ)能PCS、新能源汽車等領(lǐng)域。

其中，對(duì)于215KW儲(chǔ)能，現(xiàn)有產(chǎn)品體積大、效率低，阿基米德推出的1200V 400A混合SiC單模塊解決方案，助力縮小產(chǎn)品體積，提升功率密度，同時(shí)集成SiC器件，大幅度降低了功率損耗，提升了充放電效率，模塊滿載效率高達(dá)99%。

派恩杰

本次展會(huì)，派恩杰半導(dǎo)體帶來(lái)了SiC功率器件、芯片設(shè)計(jì)路線以及1700V高壓器件應(yīng)用方案等系列產(chǎn)品，為工業(yè)應(yīng)用以及新能源車用方案等提供了一個(gè)新的方向。

其中，派恩杰半導(dǎo)體在650V、1200V、1700V三個(gè)電壓平臺(tái)已發(fā)布100余款不同型號(hào)的SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品。派恩杰半導(dǎo)體的量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動(dòng)汽車，IT設(shè)備電源、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域廣泛使用，為Tier 1廠商持續(xù)穩(wěn)定供貨。

蘇州固锝

本次展會(huì)，蘇州固锝帶來(lái)了光伏旁路二極管在太陽(yáng)能面板集線盒、以及功率二極管、MOS管、IGBT、SiC SBD等功率器件在光伏逆變器、輔助電源等新能源市場(chǎng)的應(yīng)用方案。

除上述SiC功率器件廠商外，連城數(shù)控、晶升股份、晶盛機(jī)電、宇晶股份、先導(dǎo)智能、微導(dǎo)納米、高測(cè)股份、弘元綠能、邁為股份等SiC設(shè)備相關(guān)廠商也在本次上海光伏展上精彩亮相，這些廠商將共同推動(dòng)SiC產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：士蘭微

該項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，兩期建成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。這條生產(chǎn)線投產(chǎn)后將成為國(guó)內(nèi)第一條擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、產(chǎn)能規(guī)模最大的8英寸碳化硅功率器件芯片生產(chǎn)線。將較好滿足國(guó)內(nèi)新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、儲(chǔ)能、充電樁等功率逆變產(chǎn)品提供高性能的碳化硅芯片，同時(shí)促進(jìn)國(guó)內(nèi)8吋碳化硅襯底及相關(guān)工藝裝備的協(xié)同發(fā)展。

此次士蘭集宏8英寸制造生產(chǎn)項(xiàng)目是繼士蘭集科“12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線”和士蘭明鎵“先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線”兩個(gè)重要項(xiàng)目后，士蘭微電子落地廈門海滄的第三個(gè)重要項(xiàng)目。（來(lái)源：廈門廣電網(wǎng)）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

士蘭微8英寸SiC功率器件項(xiàng)目落地廈門

5月21日，士蘭微與廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府在廈門市簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》（以下簡(jiǎn)稱協(xié)議協(xié)議）。

根據(jù)協(xié)議，各方合作在廈門市海滄區(qū)投資建設(shè)一條以SiC MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。該項(xiàng)目分兩期建設(shè)，項(xiàng)目一期投資規(guī)模約70億元，規(guī)劃產(chǎn)能3.5萬(wàn)片/月，二期投資規(guī)模約50億元，規(guī)劃產(chǎn)能2.5萬(wàn)片/月，兩期建設(shè)完成后，將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。

為主導(dǎo)項(xiàng)目實(shí)施，士蘭微已于2024年3月6日在廈門市海滄區(qū)先行設(shè)立了項(xiàng)目公司廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱士蘭集宏），士蘭集宏注冊(cè)資本為0.6億元，全部由士蘭微出資。

為推進(jìn)項(xiàng)目實(shí)施，士蘭微擬與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司共同向子公司士蘭集宏增資41.5億元并簽署《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目之投資合作協(xié)議》。

士蘭集宏本次新增注冊(cè)資本41.5億元，由士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司以貨幣方式共同認(rèn)繳，其中：士蘭微認(rèn)繳10億元，廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司認(rèn)繳10億元，廈門新翼科技實(shí)業(yè)有限公司認(rèn)繳21.50億元。本次增資完成后，士蘭集宏的注冊(cè)資本將由0.6億元增加至42.1億元。

士蘭微表示，如本次投資事項(xiàng)順利實(shí)施，將為士蘭集宏“8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目”的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)提供資金保障，有利于加快實(shí)現(xiàn)士蘭微SiC功率器件的產(chǎn)業(yè)化，完善其在車規(guī)級(jí)高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力。

安建功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目簽約浙江海寧

5月20日，2024年二季度海寧經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)、海昌街道項(xiàng)目集中簽約儀式在浙江海寧(中國(guó))泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園服務(wù)中心舉行，寧波安建半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱安建半導(dǎo)體）功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目簽約落地海寧經(jīng)開(kāi)區(qū)，總投資1億元。

作為一家功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)及銷售公司，安建半導(dǎo)體現(xiàn)有低電壓的SGT MOSFET（分裂柵金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、高電壓的SJ MOSFET（超結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、Field Stop Trench IGBT（絕緣柵雙極晶體管）三條成熟的產(chǎn)品線。其高電壓產(chǎn)品主要應(yīng)用于高鐵、電動(dòng)汽車、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域；低電壓產(chǎn)品主要應(yīng)用于5G基站、電能轉(zhuǎn)換、綠色家電、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，安建半導(dǎo)體目前已推出具有完全自主產(chǎn)權(quán)的1200V 17mΩ SiC MOSFET，正在同步建設(shè)SiC模塊封裝產(chǎn)線和開(kāi)發(fā)新一代GaN技術(shù)和產(chǎn)品。

在SiC業(yè)務(wù)方面，安建半導(dǎo)體在去年12月與積塔半導(dǎo)體就加速完成安建在積塔代工的平面型SiC MOSFET器件開(kāi)發(fā)，并攜手邁進(jìn)新一代溝槽型SiC MOSFET器件開(kāi)發(fā)達(dá)成合作。

智新半導(dǎo)體800V SiC模塊產(chǎn)線預(yù)計(jì)7月批量投產(chǎn)

5月20日，據(jù)湖北日?qǐng)?bào)消息，智新半導(dǎo)體第二條生產(chǎn)線兼容生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊和800V SiC模塊，預(yù)計(jì)7月份批量投產(chǎn)，10月份大批量投用。

據(jù)悉，為加速車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊國(guó)產(chǎn)替代，東風(fēng)公司在2019年6月與中國(guó)中車成立智新半導(dǎo)體，開(kāi)始自主研發(fā)生產(chǎn)車規(guī)級(jí)IGBT模塊。

2021年7月，智新半導(dǎo)體以先進(jìn)的第6代IGBT芯片技術(shù)為基礎(chǔ)的生產(chǎn)線啟動(dòng)量產(chǎn)，華中地區(qū)首批自主生產(chǎn)的車規(guī)級(jí)IGBT模塊產(chǎn)品正式下線。一期產(chǎn)能30萬(wàn)只，主要生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊。

而在今年4月，智新半導(dǎo)體第二條生產(chǎn)線啟用，規(guī)劃產(chǎn)能40萬(wàn)只，兼容生產(chǎn)400V硅基IGBT模塊和800V SiC模塊，產(chǎn)線國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到70%。
智新半導(dǎo)體表示，其800V SiC模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù)，可將能量轉(zhuǎn)化效率提高3%，與同樣性能的國(guó)外產(chǎn)品相比，該模塊成本降低了30%。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。